در این پژوهش نانوذرات اکسید روی به همراه افزودنی­های Ti (10 درصد مولی) و Si (10 درصد مولی) به روش سل ژل سنتز شد. خواص نمونه­ها (SZ, TZ, STZ) در مقایسه با اکسید روی خالص (ZnO=Z) مورد بررسی قرار گرفت. روش­های XRD،  SEM و UV-VIS برای بررسی فازهای کریستالی، مورفولوژی و اندازه ذرات، خواص نوری و فتوکاتالیستی نانوذرات استفاده شده است. خواص فتوکاتالیستی نمونه­ها تحت تابش نور فرابنفش و با استفاده از تخر...

اکسید ایندیوم in2o3 بطور ذاتی یک نیمه رسانای شفاف است که خواص الکتریکی واپتیکی آن رامی توان با افزودن ناخالصی به آن تغییر داد. این خواص به نوع ناخالصی حساس اند و با افزودن ناخالصی به آن به رسانایی بالاتر و مقاومت سطحی کمتر می رسیم. برای مثال افزودن قلع به آن سبب می شود بخاطر چگالی بالای الکترونهای آزاد در باند رسانش رفتار شبه فلزی از خود نشان دهد. اکسید ایندیوم قلع به این دلیل که به طور هم زمان...

اکسید روی یکی از مهمترین نیم رساناهای گروه iib-vi که درحالت طبیعی به سه صورت ورتسایتس، زینک بلند و سنگ نمکی وجود دارد. ساختار ورتسایتس با دارا بودن گاف مستقیم 4/3 الکترون ولت پایدارترین ساختار است. چون اکسید روی دارای خواص مهمی مانند پیزوالکتریسیته بودن، پایداری شیمیایی و شفافیت اپتیکی در ناحیه ی نور مرئی است دارای کاربردهای زیادی در حسگرهای گازی، الکترودهای شفاف، سلول های خورشیدی و وسائل صوتی ...

ساده ترین مدار معادلی که ممکن است برای توصیف پاسخ الکتریکی یک رسانای یونی به کار رود عبارت است از یک مقاومت الکتریکی و یک خازن که به طور موازی به هم متصل شده اند. نیم دایره امپدانس حاصل از این مدار معادل یک نیم دایره کامل است، در حالی که حاصل داده های تجربی معمولا به صورت نیم دایره فشرده شده بوده، و از این رو متفاوت با نیم دایره های کامل هستند. برای توصیف این رفتار معمولا به جای خازن از عنصر دی...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

همانطور که می دانید فلوئورین تین اکساید (fto) یک نیمه رسانا نوع n است.این نیم رسانا برتریهایی نسبت به ماده ی دیگر مورد استفاده در سلولهای خورشیدی در سالهای اخیر یعنیito دارد، ازجمله ی این برتری ها می توان به مقاومت بیشتردر برابر خوردگی ودرصد عبور نور مرئی بیشتر، مقاومت الکتریکی پایین تر و میزان جذب آب کمتر اشاره کرد. به همین دلایل کاربرد fto در سلول خورشیدی مناسب تر از ito به نظر می رسد. به همی...

امروزه با توجه به آلودگی هوا ناشی از دود ماشین‌ها و کارخانه‌ها باید تمهیداتی برای آشکارسازی و پایش انتشار این ترکیب‌های آلوده‌کننده اندیشید. یکی از روش‌های آشکارسازی این ترکیب‌ها استفاده از حسگرهای اکسید فلزی نیم‌رسانا است. این حسگرهای گازی اکسید فلزی برای تشخیص گازها در کاربردهای خانگی، تجاری و صنعتی دارای مزایای بسیاری ازجمله هزینه کم و تولید آسان هستند. به هرحال، کارایی این حسگرها به عوامل م...

در این بررسی اثر استخلاف آمیدی روی سطح اکسید گرافن مورد مطالعه قرار گرفت. دو آمین برای تغییر سطح تماس و میزان جذب انتخاب شد. از یک دی آمین خطی مثل اتیلن دی آمین و آمین حلقوی 6-آمینو اوراسیل با دو مشخصه متفاوت مورد ارزیابی واقع شدند. بعد از سنتز و شناسایی محصولات در حضور یون های فلزی مس، سرب و کادمیم در محیط آبی میزان جذب توسط هر یک از جاذبها اندازه گیری شد. در این تحقیق هدف بهبود خصوصیات پیوند...

امروزه با توجه به صنعتی شدن جوامع بشری، نیاز انسان به انرژی افزایش یافته است. قسمت اعظم این انرژی از منابع سوخت های فسیلی یعنی نفت، گاز و زغال سنگ تأمین می شود. از آنجا که این منابع محدود می-باشند، نیاز روز افزون بشر منجر به بروز بحران انرژی شده است تا جائیکه حتی حملات نظامی و اشغال کشورها نظیر اشغال عراق توسط آمریکا که به نام جنگ نفت معروف شد، به واسطه دستیابی به منابع سوخت فسیلی رخ داده اند. ...

حسگرهای گاز اکسید فلزی به دلیل حساسیت بالا، قیمت کم و قابلیت آشکارسازی گستره وسیعی از گازها در میان انواع دیگر حسگرها پرکاربردتر هستند. البته این حسگرها معایبی نیز دارند از جمله اینکه دمای کاری آن ها بالاست و نیاز به ریزگرمکن دارند، همچنین انتخابگری آن ها ضعیف است. برای استفاده از این حسگرها در ابزار قابل حمل تحلیل گر گاز باید توان کاری آن ها کاهش یافته و انتخاب گری آن ها بهبود یابد. مدولاسیون ...