نتایج جستجو برای: نانولوله زیگزاگ gan

تعداد نتایج: 15754  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان 1389

ارائه شود چون fem در این پایان نامه سعی شده که یک مدل مکانیک ساختار مولکولی بر پایه ماتریس در مقیاس میکرو و نانولوله کربنی در مقیاس نانو است روش بکار رفته مولتی اسکیل است، و نیروهای واندروالسی بین beam به وسیله المان 4 c-c نیروهای بین مولکولی پیوند کووالانسی پلیمر به وسیله المان فنر غیرخطی جایگزین شده است. بعد از ساختن -ch کربن و واحد های - 2 مدل ها در دو حالت پیوسته و ناپیوسته تحت نیروی مح...

Journal: :Optics express 2014
Zabu Kyaw Zi-Hui Zhang Wei Liu Swee Tiam Tan Zhen Gang Ju Xue Liang Zhang Yun Ji Namig Hasanov Binbin Zhu Shunpeng Lu Yiping Zhang Xiao Wei Sun Hilmi Volkan Demir

N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN (NPNPN-GaN) junctions embedded between the n-GaN region and multiple quantum wells (MQWs) are systematically studied both experimentally and theoretically to increase the performance of InGaN/GaN light emitting diodes (LEDs) in this work. In the proposed architecture, each thin P-GaN layer sandwiched in the NPNPN-GaN structure is completely depleted due to the buil...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1390

در این رساله رسانش الکترونی وابسته به اسپین در نانو ساختارهای پایه کربنی در چارچوب فرمولبندی ترابرد همدوس لاندائور و با استفاده از هامیلتونی بستگی قوی تک باندی و چند باندی، توابع گرین سطحی و ماتریس های انتقال بررسی و محاسبه می شود. ویژگی های مغناطیسی مورد بررسی، ناشی از خواص مغناطیسی تهی جای ها، اتمهای مغناطیسی ناخالصی و میدانهای خارجی است. بعلاوه خواص مغناطیسی نانو دیسک ها و نانو نوار های گراف...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حمید هراتی زاده h. haratizadeh physics department, shahrood university of technology, 3619995161, p.o. box 316, shahrood, iranدانشکده فیزیک دانشگاه، صنعتی شاهرود، بلوار دانشگاه 3619995161، شاهرود، ایران مرتضی اسمعیلی m. esmaeili physics department, shahrood university of technology, 3619995161, p.o. box 316, shahrood, iranدانشکده فیزیک دانشگاه، صنعتی شاهرود، بلوار دانشگاه 3619995161، شاهرود، ایران پر اولاف هولتز p. o. holtz department of physics and measurements technology, linkoping university, s- 581 83 linkoping, swedenانستیتوی فیزیک و تکنولوژی سنجش دانشگاه لینشوپینگ 58183، لینشوپینگ، سوئد

در این مقاله اثر پهنای سد و پهنای چاه کوانتومی gan/algan بر روی انرژی گذارهای اپتیکی و طیف فتولومینسانس آنها با استفاده از تکنیک فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه طیف فتولومینسانس این چاه های کوانتومی در دماهای پایین نشان می دهد که نحوه تغییرات انرژی گذار اپتیکی بر حسب پهنای سد در ساختارهای کوانتومی gan/algan بر خلاف آنچه که در سایر نیمرساناها از قبیل آلیاژهای gaas مشاهده شده, می ب...

The present study was conducted to investigate current density of0.3 0.7 Al Ga N/ GaN multiple quantum well solar cell (MQWSC) under hydrostaticpressure. The effects of hydrostatic pressure were taken into account to measureparameters of 0.3 0.7 Al Ga N/ GaN MQWSC, such as interband transition energy, electronholewave functions, absorption coefficient, and dielectric con...

Journal: :Optics express 2010
Yongjin Wang Fangren Hu Yoshiaki Kanamori Hidehisa Sameshima Kazuhiro Hane

We develop a novel way to fabricate subwavelength nanostructures on the freestanding GaN slab using a GaN-on-silicon system by combining self-assemble technique and backside thinning method. Silicon substrate beneath the GaN slab is removed by bulk silicon micromachining, generating the freestanding GaN slab and eliminating silicon absorption of the emitted light. Fast atom beam (FAB) etching i...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده مهندسی هوافضا 1391

نانولوله های کربنی را می توان به صورت فرم رول شده ورق گرافن فرض کرد که به علت پیوندهای کووالانت موجود در بین اتم های کربن، خواص منحصر به فردی را از خود نشان می دهند. در این پژوهش به مدلسازی و تحلیل ساختارهای مختلفی از نانولوله های کربنی برای تعیین خواص مکانیکی و بررسی رفتار آن تحت بارگذاری های محوری، خمشی و پیچشی با استفاده از روش مکانیک مولکولی و روش اجزای محدود یا به عبارتی روش محیط پیوسته م...

امرائی, رضا , میرجلیلی, غضنفر ,

Optical properties of InxGa1-xN alloy and In0.5Ga0.5N/GaN multi quantum wells have been investigated in the region of far infrared. Far-IR reflectivity spectra of In0.5Ga0.5N/GaN multi quantum wells on GaAs substrate have been obtained by oblique incidence p- and s-polarization light using effective medium approximation. The spectra and the dielectric functions response give a good informa...

2014
Ling Sang Qin Sheng Zhu Shao Yan Yang Gui Peng Liu Hui Jie Li Hong Yuan Wei Chun Mei Jiao Shu Man Liu Zhan Guo Wang Xiao Wei Zhou Wei Mao Yue Hao Bo Shen

The band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterojunctions are measured by X-ray photoemission spectroscopy. A large forward-backward asymmetry is observed in the non-polar GaN/AlN and AlN/GaN heterojunctions. The valence-band offsets in the non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterojunctions are determined to be 1.33 ± 0.16 and 0.73 ± 0.16 eV, respectively. The large valence-b...

Journal: :Journal of environmental management 2004
Shih-Liang Chan Shu-Li Huang

Corresponding to the concept of 'Think globally, act locally and plan regionally' of sustainable development, this paper discusses the approach of planning a sustainable community in terms of systems thinking. We apply a systems tool, the sensitivity model (SM), to build a model of the development of the community of Ping-Ding, located adjacent to the Yang-Ming-Shan National Park, Taiwan. The m...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید