نتایج جستجو برای: مواد مغناطیس دی الکتریک
تعداد نتایج: 104962 فیلتر نتایج به سال:
در سال های اخیر خواص ساختاری و دی الکتریک مواد فروالکتریک و ترکیبات وابسته به آن ها با فرمول شیمیایی abo3 به صورت گسترده مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. هدف از این پژوهش، سنتز تیتانات باریم- استرانسیم همراه با افزودنی بیسموت با استفاده از روش سل- ژل و بررسی تأثیر افزودن بیسموت بر ساختار و خواص دی الکتریکی ترکیب مورد نظر جهت دست یابی به خواص کاربردی تر می باشد. ساختار و خواص این ماده ...
هدف کلی این پژوهش، تولید و بررسی خواص نانو ساختاری کامپوزیت های tio2-sio2، نانو میله های خالص و نانومیله های tio2با آلایش sio2 و tio2-cuo-sio2 با استفاده از تکنیک های xrd، xrf، afm، sem، tem، ftir و طیف سنجی در ناحیه فرابنفش(uv-vis) می باشد. در ابتدا به بررسی کامپوزیت tio2-sio2 پرداختیم. با استفاده از تکنیک xrf محتوای sio2 را در ترکیب ها معین نمودیم. با استفاده از تکنیک xrd که توسط نرم افزار x...
با توجه به اینکه ویژگی های دی الکتریکی کامپوزیت ها وابسته به برهمکنش های میان مواد پرکننده و ماتریکس زمینه می باشد، در این مطالعه اثرات میکا با اندازه ذرات، جنس و غلظت های مختلف بر روی ولتاژ شکست دی الکتریک پوشش های کامپوزیتی بر پایه pvc عایق برق فشار قوی، بررسی می شود. برای این منظور6 سری نمونه بر اساس فرمولاسیون رایج به صورت صنعتی تهیه شد. سپس توسط دستگاه foster ots 80 af آزمون ولتاژ شکست دی ...
مواد فروالکتریک پایه سربی و علی الخصوص pb(zrti)o3 به علت دارا بودن خواص پیزوالکتریک عالی دارای کاربردهای وسیعی در عملگرها ، حسگرها و مبدل های پیزوالکتریک هستند. از طرفی، بیش از 60 درصد وزنی این ترکیبات را سرب تشکیل می دهد. با در نظر گرفتن سمی بودن سرب تلاش های فراوانی به منظور گسترش موادی سازگار با بدن و محیط زیست صورت گرفته است. در این پژوهش سرامیک نایوبات پتاسیم-سدیم (knn) به عنوان مهمترین خا...
در سال های اخیر سرامیک های بر پایه خانواده( cacu3ti4o12 (ccto به سبب داشتن ثابت دی الکتریک بالا به منظور به کارگیری آنها در ساخت قطعات الکترونیکی مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته است. ساختار ccto به صورت پرووسکایت مکعبی حجم مرکز دار با گروه فضایی im3 تا دماهای پایین 35 درجه کلوین می باشد. برخی از این ترکیبات ثابت های دی الکتریک تا مقادیر بالای 100000 را در دمای اتاق در گستره فرکانس بین ...
در این پایان نامه سنتز ماده دی الکتریک تیتانات کلسیم- مس (ccto) به دو روش مکانوشیمیایی و آلیاژسازی مکانیکی دگرگونی یافته مورد بررسی قرار گرفت و تغییرات ساختاری صورت گرفته در حین فرآیند سنتز به وسیله آنالیز پراش اشعه ایکس (xrd) و با استفاده از روش رتویلد به صورت کیفی و کمی بررسی شد. نتایج آنالیز ساختاری کمی و کیفی نشان داد که کوچک شدن اندازه ذرات و متعاقباً بلورها در زمان های ابتدایی آسیابکاری (ت...
از آرایه های تخلیۀ سدّ دی الکتریک برای کنترلِ پدیده های مختلفِ آئرودینامیکی از جمله کنترلِ جداسازی جریان استفاده می شود. به منظورِ کنترلِ این پدیده ها توسّطِ تکانهِ تولیدی محرّک ها نیاز به تعیینِ ولتاژِ بیشینۀ تخلیۀ لازم برای تولید تکانه است. در روش پردازش تصویر با استفاده از شعله های پلاسما و پارامترهایی از جمله طول و شدّتِ نور آن می توان بیشینۀ تکانهِ تولیدی و به تَبَع آن ولتاژِ بیشینۀ تخلیه را به دست آورد. مز...
نیروی کازیمیر بین دو تیغه ی دی الکتریک را می توان به کمک عملگرهای میدان الکترومغناطیسی، با توجه به اختلاف فشار تابشی خلأ وارد بر دو سطح هر تیغه محاسبه کرد. برای کوانتیزه کردن میدان الکترومغناطیسی در حضور دو تیغه ی دی الکتریک موازی، از روش تابع گرین استفاده می شود. همچنین با به کار بردن قضیه ی اتلاف-افت و خیز نیز نیروی کازیمیر قابل محاسبه است. سادگی رهیافت اخیر به هر کس این امکان را می دهد که نی...
چکیده ندارد.
سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی های متعددی روبه رو می شود. برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی و رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجود می آیند. برای تشخیص این دسته از خرابی ها ، چندین روش موجود می باشد که یکی از آن ها بکارگیری امواج مایکروویو است. در این تحقیق با استفاده از امواج مایکروویو و اندازه گیری ثابت دی الکتریک برای تشخیص خرابی های داخلی سه رقم سیب زمینی ( آگری...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید