نتایج جستجو برای: مقطع نگاری امپدانس الکتریکی

تعداد نتایج: 37466  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

بیماری ماکولاپاتی دیابتی یکی از بیماری های رایج شبکیه می باشد که چشم پزشکان از روی تصاویر oct بیماران، به تشخیص و درمان این بیماری می پردازند. از بارزترین نشانه های این بیماری در تصاویر oct، می توان به ضایعات تیره رنگی به نام کیست اشاره نمود که در مرکز ماکولا پدیدار می شوند. در مطالعات قبلی با استفاده از روش های کانتور فعال و آستانه گذاری، ضایعات موجود در تصاویر oct برخی دیگر از بیماری های شبک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1393

امروزه بررسی و تحلیل تصاویر پزشکی از اهمیت بالایی برخوردار است. برای تهیه این تصاویر از دستگاه های تصویربرداری متفاوتی استفاده می شود. از جمله این دستگاه ها می توان به توموگرافی کامپیوتری اشاره کرد که در تشخیص انواع بیماری ها مانند بیماری های کبد برای عمل جراحی یا پیوند کاربرد گسترده ای دارد. با استفاده از تصاویر توموگرافی کامپیوتری می توان در برش های متفاوت یک بخش خاص از بدن بیمار را نمایش داد...

مقره‌های پلیمری خطوط هوایی در مدت بهره‌برداری تحت تنش‌های الکتریکی، محیطی و مکانیکی بوده به‌طوری‌که این عوامل، مقره را دچار پیری نموده و باعث افزایش جریان نشتی و کاهش ولتاژ قوس الکتریکی می‌شوند. ترکیب آلودگی و رطوبت هوا مسیری با امپدانس پایین روی سطح مقره ایجاد نموده و درنتیجه جریان نشتی بیش‌تر و ولتاژ قوس الکتریکی کاهش می‌یابد و این موضوع باعث وقوع خطا در مقره شده به‌طوری‌که این امر در مقره‌ها...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده شیمی 1392

پیل سوختی میکروبی بیوراکتوری است که توسط میکروارگانیسم ها تحت شرایط بی هوازی انرژی شیمیایی در پیوندهای شیمیایی مواد آلی را به انرژی الکتریکی در طی واکنش های کاتالیستی تبدیل می کند. مهمترین کاربردهای پیل های سوختی میکروبی تولید الکتریسیته، تولید هیدروژن، تصفیه فاضلاب و حسگرهای bod می باشد. در این مطالعه ابتدا ساخت یک پیل سوختی دو محفظه ای صورت گرفت و سپس کارایی آن با استفاده ازالکترود آند اصلا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1391

روش های توموگرافی غیرمخرب با بهره گیری از اندازه گیری های غیرمخرب، قادر به ارائه تصاویر و اطلاعات ارزشمندی در مورد فرآیند تحت آزمایش هستند. روش توموگرافی الکتریکی بر پایه خواص الکتریکی مواد استوار است که در سال های اخیر به سبب سادگی نسبی در اجرا، سرعت بالا و هزینه کم به صورت موفقیت آمیزی از حوزه تحقیقاتی به کاربردهای صنعتی و پزشکی وارد شده است. چالش مهم در این روش، به خصوص در کاربردهای صنعتی، ا...

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 2001
سید خطیب الاسلام صدر نژاد افروز برنوش محمد قربانی

حلالهای آروماتیک حاوی نمکهای ان بوتیل آمین دارای پایداری ترموشیمیایی کافی،پتانسیل پلاریزاسیون گسترده،نقطه جوش بالا و ضریب دی الکتریک قابل قبول برای پوشش دادن الکترولیتی یونهای فلزی فعال هستند. در این مقاله سینتیک جوانه زنی و رشد رسوب لایه نازک فلزی از کمپلکس ان بوتیل آمین حاوی فلز مس در محلول پایه نفتالین به شیوه ولتامتری چرخه ای ، کرنوآمپرمتری و بیناب نگاری امپدانس الکتروشیمیایی بررسی شده است....

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1382

نیمرسانای ‏‎inas‎‏ از نیمرساناهای ترکیبی گروه ‏‎iii-v‎‏ است، که دارای گاف انرژی کوچکی نسبت به نیمرساناهای دیگر(بجز ‏‎insb‎‏) می باشد. از این ترکیب می توان در ساخت آشکارسازهای مادون قرمز، لیزرهای نیمرسانا و همچنین بعنوان ژنراتور هال برای اندازه گیری شدت مغناطیسی استفاده نمود. پیوند بین اتمهای این ترکیب از نوع یونی و کووالانسی است و از ‏‎sb‎‏ بعنوان ناخالصی دهنده در آن استفاده شده تا ترکیب مورد ن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده فنی 1393

مبدل اینورتر از کاربردی ترین ساختارها در صنعت می باشد. از این رو حفاظت و نگهداری از این نوع مبدل ها بسیار مهم است. شبکه های امپدانسی که اخیرا معرفی شده است، وظیفه حفاظت از اینورتر را در مقابل اتصال کوتاه در ساق بر عهده دارد. این نوع خطا در عملکرد که بر اثر اشتباه در کنترل اینورتر یا نویز ناشی از emi ایجاد می شود، می تواند باعث آسیب به سوئیچ های قدرت اینورتر شده و نهایت از کار افتادگی اینورتر را...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی عمران 1389

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده فیزیک 1392

پیشرفت در ساخت تجهیزات الکترونیکی با ابعاد نانومتر و میکرومتر نیازمند استفاده از روش ها و دستگاه های جدید برای کنترل و پردازش ویژگی های آنها است. یکی از عوامل موثر در خاصیت فیزیکی این وسایل، ناهمواری سطح (زبری ) است که در ادو ات نوری و آینه های اشعهx و ... بسیار مهم است. اهمیت این عامل باعث شده است روش های زیادی برای استخراج این کمیت ابداع و به کار گرفته شود. با استفاده از روش تداخل سنجی ناهم...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید