در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

در این رساله طراحی و تحلیل بخش آنالوگ گیرنده غیرهمدوس uwb مبتنی بر آشکارسازی انرژی در سطح سیستمی و مداری ارائه می شود. اثرات غیر ایده آل بلوکهای گیرنده به منظور دست یابی به مشخصات فنی طراحی، در شبیه سازی سیستمی با سیمولینک matlab مورد توجه قرار گرفته است. در ota مقادیر iip3 و توان مصرفی مورد نیاز برابر dbm15 و mw2 است. همچنین در مربع کننده iip3، توان مصرفی و بهره در ber 3-10 به ترتیب برابر dbm1...

یکی از مهمترین پارامترهای نوسان ساز ها، نویز فاز می باشد. نویز فاز نوسان ساز در میکسر سبب تداخل باندهای فرکانسی داده های ورودی می شود. نویز فاز را در سیستم های دیجیتال جیتر نیز می گویند. در واقع جیتر معادل حوزه زمانی نویز فاز می باشد. جیتر در سیستم های دیجیتال سبب می شود که داده ها در لحظه صحیحی از زمان نمونه برداری نشوند. بنابراین شناخت نویز فاز و مدل سازی ریاضی آن از اهمیت ویژه ای برخوردار اس...

تاکنون مدل های نورونی گوناگونی برای بازتولید دینامیک های غیرخطی بیولوژیکی ارائه شده است، که مدل ایژیکویچ یکی از بهترین آنها از لحاظ پیچیدگی و صحت در الگوهای تولیدی و نیز از لحاظ مساحت می باشد. نورون سیلیکونی یک مدار vlsi مبتنی بر ترانزیستور فشرده است که می تواند انواع مدل های نورونی را پیاده سازی نماید. جهت این کار دو راهبُرد وجود دارد که مُد جریان به لحاظ توان و ابعاد پائین تر بهینه تر می باشد. ...

هدف از این تحقیق شبیه سازی عددی آشکارساز های نوری ?"hg" ?_"1-x" ?"cd" ?_"x" "te" به کمک دسته معادلات رانش-نفوذ به منظور بررسی مشخصات درونی از جمله توزیع حامل های بار الکتریکی و بار کل فضا، توزیع میدان، ساختار تراز هدایت و تراز ظرفیت است؛ این شبیه سازی همچنین بررسی مشخصات خروجی آشکارساز نوری از قبیل منحنی ولتاژ جریان، منحنی آشکارسازی، جریان تاریک، بازده کوانتومی و غیره می پردازد. در ابتدا به معر...

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

از مهمترین نیازمندی ها برای طراحی ابزارهای قابل حمل مانند گوشی های هوشمند مصرف پایین انرژی بر کارکرد می باشد. در بسیاری از کاربردها، حافظه ها بخش عمده ای از کل انرژی سیستم را مصرف می کنند. از این رو درکاربردهای توان محدود که سرعت در درجه دوم اهمیت پیدا می کند، مفید است که عملیات های خواندن و نوشتن برای یک سلول sram با کمترین ولتاژ کاری ممکن انجام گیرد. چالش اصلی در طراحی sram مرسوم سازش بین نیا...

بیشترین سوالی که برای هرکسی که فرانسه را شروع می کند بوجود می آید این است که کدام متد برای او مناسب تر است.این پرسش همواره یکی از دغدغه های من نیز بوده است. انگیزه من از انتخاب این موضوع این است که بتوانم به سوالاتی که در این زمینه برایم مطرح شده پاسخ بدهم. هدف ما بررسی تحلیلی متون به کار رفته در دو متد کامپوس 1و رون پون 1، از رویکرد کاربردی تا رویکرد ارتباطی،است.کدام رویکرد و متد متناسب با نیا...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...