نتایج جستجو برای: مدل سازی فرایند نیم رسانا
تعداد نتایج: 210798 فیلتر نتایج به سال:
نانوذرات نیم رسانا دارای ویژگی های نوری منحصر بفردی هستند که به شدت به اندازه شان وابسته است. سلنید روی از جمله این نانو بلورهای نیم رسانا است که ضمن غیرسمی بودن مواد اولیه، به علت قابلیت تنظیم اندازه و پهنای گاف انرژی آن، گستره ی نورتابی آن از طول موج های فرابنفش و آبی تا نزدیک طول موج های قرمز تغییر می کند. در این پژوهش ساخت نانوذرات znse با استفاده از روش های آبی و تابش امواج ماکروویو صورت گ...
چکیده پلیمرهای رسانا به سبب دارا بودن خواص منحصر به فردی همچون تولید کرنش¬های بالا، سازگاری با بافت¬های زنده، ولتاژ تحریک پایین و قابلیت تولید در مقیاس میکرومتر مورد توجه دانشمندان قرار گرفته¬اند. از جمله مهم¬ترین پلیمرهای رسانا می¬توان به پلی¬پیرول اشاره کرد. عملگرهای ساخته شده از پلیمرهای رسانا دارای قابلیت¬های بالایی برای استفاده در حسگرها، میکروروبات¬ها و میکروپمپ¬ها هستند. کاتترها به نح...
این تحقیق به مدل سازی دوبُعدی داده های تیپر اسکالر vlf تک بسامد می پردازد. در این تحقیق مدل سازی وتفسیر داده های تیپر اسکالر ، برای داده های مصنوعی و داده های vlf صحرایی با بسامد vlf 23300 هرتز بررسی شده است. ابتدا مدل سازی پیشرو دوبُعدی داده های مصنوعی براساس طراحی یک ساختار گسل صورت گرفت. سپس برای مقایسه پاسخ واقعی مدل، نوفه به میزان دو درصد به داده های مدل اضافه شده و با وارون سازی داده ها، مد...
نانولوله اکسید روی خالص غیرمغناطیسی ونیم رسانا می باشدکه بعد از آلاییده شدن با اتم نقره رسانا شده و باجذب اتم اکسیژن برحالت آلاییده به نیم فلز تبدیل می شود که درصنعت اسپین ترونیک کاربرد زیادی دارد.
با گسترش روزافزون فناوری های مرتبط با پردازش کوانتومی اهمیت دسترسی به ادواتی برای حصول تزویج قوی میان ذرات هرچه بیشتر نمایان می گردد. در این میان زیرساختار مبتنی بر فناوری فوتونیک از اهمیت فوق العاده ای برخوردار است و در حقیقت بهترین دستاوردها در این خصوص توسط این فناوری بدست آمده اند. امکان تشخیص و گسیل تک فوتونها، و نیز تولید حالات درهم تنیده میان فوتون ها و الکترونها در ساختارهای حالت جامد م...
به کمک شبیه سازی دینامیک مولکولی می توان تحلیل کوتاه مدت در مقیاس زمانی چند ده پیکوثانیه ای را برای مواد آسیب دیدهی تابشی مورد مطالعه قرار داد. بر همین مبنا این سازی، تعداد تعادلی عیوب نقطه بین نشین و تهی جای مختصات مکانی آنها آهن- آلفا دست آورده شد. سپس با استفاده از نتایج حاصل شده، مونت کارلوی جنبشی شیء منظور بررسی تأثیر بازپخت آلفای انجام نشان دادند که یکنواخت دیده ی تنها خوشه جای ب...
در سطح آزاد نیم رساناها برای مثال سطح سیلیکن، حالت تناوبی اتم های بلور گسیخته می شود به طوری که بعضی از پیوندهای اتمی به صورت پیوندهای آزاد باقی می مانند. در نتیجه حالت های سطحی دهنده و یا پذیرنده زیادی در گاف نواری سطح سیلیکن وجود دارد. به طور مشابه در اتصال شوتکی فلز – نیم رسانا (ti-si)، حالت های میان گاهی الکترونیکی در گاف نواری القا می شوند. به هر حال حالت های سطحی (و یا میان-گاهی) توانایی ...
در این پایان نامه یک بازار اوراق بهادار تعدیل شده با فرایند نیم مارکف که شامل یک دارایی بدون ریسک با نرخ بهره ثابت و یک دارایی ریسکی است در نظر می گیریم.فرض می کنیم قیمت سهام در این بازار از یک حرکت براونی هندسی و تلاطم از یک فرایند نیم مارکف تبعیت کند. ثابت می کنیم این بازار ناکامل است، سپس اندازه مارتینگل مینیمال را برای این بازار به دست می آوریم و در نهایت به مدل سازی و قیمت گذاری سوآپ واری...
دراین پایان نامه پدیده دوپایایی نوری درچاه های کوانتومی نیم رسانا موردبررسی قرار می گیردو شامل چهار فصل است.درفصل اول خلاصه ای ازمفاهیم مقدماتی شامل برهم کنش اتم-میدان وماتریس چگالی ونوسانات رابی بحث شده وسپس به سراغ پدیده دوپایایی نوری در سیستم سه ترازی نوعvوحل عدی آن می رویم.فصل دوم شامل ساختار کاواک حلقوی نوری وشرایط مرزی ومعادلات اصلی حاکم برآن یعنی معادلات ماکسول-بلاخ است ودوپدیده شفافیت ا...
یکی از شاخه های مهم در علم اسپینترونیک ترابرد جریان اسپینی از یک ماده فرومغناطیس به درون نیم رسانا می باشد. امروزه از مواد فرومغناطیس مختلفی برای این منظور استفاده می شود. یکی از راه های افزایش کارایی ابزا رهای اسپینترونیکی به کارگیری فرومغناطیس هایی است که بتوانند جریانی با قطبیدگی اسپینی بالا تولید کنند و نیم فلزات فرومغناطیس با داشتن قطبش اسپینی 100 % در تراز فرمی گزینه ی مناسبی برای این منظ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید