ماکرومولکول های زیستی دارای ضریب دی الکتریک کوچک هستند که در محیط های آبی، با ضریب دی الکتریک بزرگ، حل شده اند. وجود این ناهمگنی ضریب دی الکتریک در مرز ماکرومولکول و آب، در برهمکنش های الکتروستاتیک اثر دارد. در این پایان نامه برای به دست آوردن برهمکنش های الکتروستاتیک در حضور ناهمگنی ضریب دی الکتریک، از روش تابع گرین استفاده می کنیم و تابع گرین را برای یک کره ی دی الکتریک، یک استوانه ی دی الکتر...

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

موجبرهای mim به علت هدایت پلاسمون های سطحی در سطح مقطع فلز-دی الکتریک ساختارهای بسیار مهمی در ادوات پلاسمونیکی هستند. در سال های اخیر این ساختارها محبوبیت زیادی در میان محققین بدست آورده اند چراکه این موجبرها نه تنها از انتشار مدهای با طول موج بسیار کوچک و با سرعت گروهی بالا پشتیبانی می کنند، بلکه توانایی هدایت موج تا فواصل نسبتا بالا را از خود نشان می دهند. ترکیب این موجبرها با نانوتشدیدگرهایی...

در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

در دهه گذشته با توجه به توسعه سیستم¬های مایکروویو بی¬سیم، نیاز مبرمی به سیستم¬های مخابراتی با توان مصرفی کـم و ‫کارایی بالا ایجاد شده است. استفاده از محیط¬هـای ‫انتقال موج عایق مانند dielectric image line کاهش تلفات در فرکانس¬های بالا را به همراه دارد. همچنین تشدید کننده¬های عایقی به¬عنوان تشعشع¬کننده امواج الکترومغناطیس دارای تلفات کم در فرکانس¬هـای مـایکروویو هستند که با توجه به حذف تلفات هاد...

در این تحقیق پودرهای پیزوسرامیکی بدون سرب (K0.44Na0.52Li0.04)(Ta0.1Sb0.06Nb0.84)O3 به دو روش سرامیکی سنتی و پوشش�دهی کلوییدی آبی تهیه گردید. پودرهای سرامیکی سنتز شده پس از پرس شدن در دماهای مختلف پخت شدند. بر روی تمامی نمونه�ها آزمون�های اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و اندازه?گیری خواص دی�الکتریکی انجام شد. الگوی پراش اشعه ایکس نمونه�های بالک ساخته شده از پودرهایی که با روش کل...

بلورهای فوتونی که به دلیل ویژگی¬های جالب توجهشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی، در سالهای اخیر مورد توجه زیادی قرار گرفته اند، ساختارهای متناوبی از دی¬الکتریک¬ها هستند که به صورت مصنوعی ساخته می¬شوند و در تشابه با نیم¬رساناها یک ناحیه ممنوعه فرکانسی دارند که نوار گاف فوتونی نامیده می شود. تمامی خواص جالب بلورهای فوتونی، ناشی از وجود این گاف ممنوعه فرکانسی است. بلورهای فوتونی حلقوی آثار چ...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

هدف از این کار تجربی ارائه نتایج حاصل از اسپکتروسکوپی دی الکتریک بلور مایع 235 ، در فاز سمکتیک کایرال (فاز فروالکتریک) آن و در حالت های خالص وآلائیده با رنگینه می باشد. برای این منظور پراکندگی و اتلاف دی الکتریک بلور مایع، در حالت های خالص وآلائیده با رنگینه، در چندین دمای انتخابی از فاز مورد نظر تحت فرکانس های مختلف توسط دستگاه متر، اندازه گیری شده است. میزان تاثیر افزایش غلظت رنگینه بر طیف ه...

در این تحقیق، پودر نانو ساختار تنگستن کارباید با استفاده از فرایند تخلیه الکتریکی ایجاد شده بین دو الکترود تنگستنی و گرافیتی غوطه ور در دو دی الکتریک نفت سفید و آب دی یونیزه، تولید و اثر پارامترهای ورودی فرایند(جریان و زمان روشنی پالس) بر روی نرخ تولید پودر، ساختار، فازها، خصوصیات مورفولوژیکی، توزیع اندازه و شکل نانو ذرات توسط تست های xrd ، tem ، psa و sem مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته است. نت...