در این پایان نامه، فیلترهای بالاگذر(مشتق گیر) و پایین گذر(انتگرال گیر) در حوزه sinh به همراه روابط آنها ارائه شده است. سپس یک مدار انتگرال گیر (فیلتر پایین گذر) در حوزه sinh به طور خاص مورد تحلیل و بررسی قرار گرفت و طرح پیشنهادی برای این مدار ارائه می گردد. این مدار شامل ? بلوک است که عبارتند از: تقسیم کننده جریان، دو بلوک حلقه ترانسلینیر(tl)، ترارسانای sinh/cosh . همچنین در بلوک ترارسانای sinh...

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار راشبا در سال 1990، تاکنون تلاش های زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماد? نیم رسانا صورت گرفته است که منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالع? خواص ترابرد بار و اسپین در حضور برهم کنش اسپین-مدار از اهمیت بنیادی و کاربردی زیادی برخوردار است. در این پایان نامه ض...

هدف اصلی در انجام این پایان نامه طراحی بلوک های اصلی یک گیرنده- فرستنده مخابراتی بی سیم با توان مصرفی بسیار پایین است. در طراحی مدار ها برای تحقق بخشیدن به خواسته توان مصرفی بسیار کم از نانو ترانزیستور ها استفاده خواهیم کرد. کار اصلی انجام شده در این پایان نامه ترکیب ترانزیستورهای تک الکترونی (set) با mosfet ها در طراحی یک مدار سازنده ی فرکانسی است که یکی از بلوک های اصلی گیرنده- فرستنده های مخ...

روند پیشرفت تکنولوژی های ساخت مدارات مجتمع همواره در مسیر پیچیده تر شدن مدارها و افزایش توان محاسباتی در آن ها بوده است. این امر سبب شده است مدارهای ساخته شده چگالی بالاتری داشته باشند. اولین مشکلی که تعداد بالای ترانزیستور بوجود می آورد توان مصرفی بالاست. از این رو اعمال روش هایی برای کاهش و کنترل توان مصرفی در مرحله طراحی و بعد از آن مهمترین مسائل پیش روست. این پایان نامه با بررسی عوامل موث...

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

امروزه یکی از کاربرد های مهم ممریستور استفاده از آن به عنوان سیناپس در شبکه های عصبی مصنوعی است. علت آن نیز ساخت متراکم و عملکرد عالی آن به عنوان حافظه آنالوگ است. اما اگر تنها از یک ممریستور به عنوان سیناپس استفاده شود و بدنه سلول یک پالس ژنراتور باشد، در این صورت اگر پالس در پیش سیناپس ایجاد شود جریان از ممریستور عبور کرده و پتانسیل پس سیناپس را افزایش می دهد. با پایان یافتن پالس پیش سیناپسی،...

چکیده ندارد.