نتایج جستجو برای: ساختار کلید خازنی
تعداد نتایج: 73539 فیلتر نتایج به سال:
طراحی و شبیه سازی یک شیفت دهنده فاز میکرو الکترومکانیکی 6 بیتی در باند x مورد بررسی قرار گرفته است. در طراحی این شیفت دهنده ساختار به نسبت جدیدی را با ادغام دو ساختار dmtl و switched-line ارایه داده¬ایم. با توجه به نتایج شبیه سازی، میانگین return loss و insertion loss برای تمامی 64 حالت شیفت فاز در فرکانس ghz 7/9 به ترتیب برابر db 22- و db 06/0- است. همچنین در این فرکانس مقدار موثر خطای فاز برا...
اندازهگیری دبی جرمی با استفاده از حسگرهای خازنی به عنوان روش ارزان و سریع توسعه یافته است. اما پیشبینی دبی جرمی به علت وابستگی پاسخ حسگر به عوامل مختلف و پیچیدگی اثر این عوامل دشوار است؛ لذا در این مطالعه پتانسیل شبکه عصبی مصنوعی (ANN)، سیستم استنتاج فازی (ANFIS) و تکنیکهای رگرسیون چندگانه (MR) برای پیشبینی دبی جرمی شلتوک با استفاده از سنسور خازنی مورد بررسی قرار گرفت. بسامد، رطوبت و ولتا...
به طورکلی در طراحی منابع تغذیه پالسی ولتاژ شارژ بانکهای خازنی و زمان سوئیچ شدن آنها از جمله پارامترهایی هستند که نقش اساسی در شکل و دامنه پالس خروجی ایفا میکنند. در این مقاله روشی جدید جهت طراحی منبع تغذیه پالسی پیشنهاد شده است. در این روش با استفاده از الگوریتم ژنتیک تحت محیط نرمافزار MATLAB مجموعهای از مقادیر ولتاژهای شارژ بانکهای خازنی و زمان سوئیچ شدن آنها، برای بهینه سازی چند هدفی منب...
مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...
در این مقاله سیستم تأمین انرژی و تخلیه جریان سیمپیچ چنبرهای توکامک دماوند به منظور افزایش زمان میدانهای مغناطیسی با هدف ماندگاری پلاسما، طراحی شبیهسازی شده است. حال حاضر سیمپیچ دارای نیم سیکل سینوسی مدت ms 100 پیک kA 12 است که میدان مغناطیس تقریباً T 1/1 مرکز چنبره تولید میکند ناحیه تخت آن حدود 20 میباشد برای تشکیل محصورسازی پلاسما استفاده میگردد. ارتقاء 200، ضروری سیستمهای کنترل مربو...
در این پژوهش، جاذب های صفحه ای غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته اند. به کمک روش خط انتقال، مدار معادل و نمودار اسمیت دو جاذب پهن باند در باند های c و x به وسیله ساختارهای متناوب طراحی و تحلیل شده اند. جاذب اول در باند c در مقایسه با صفحه سلیزبری به ازای افزایش 2 میلیمتری در ضخامت، پهنای باند db20- را از 25.3 درصد به 66.7 درصد بهبود می دهد. در طراحی جاذب دوم در باند x، با معرفی یک سلول واحد جدی...
پیشرفت سریع در حوزه مدارهای مجتمع در دهه اخیر، چنان رشدی داشته است که در حال حاضر مجتمع سازی سیستم های پیچیده بر روی یک تراشه (soc) را ممکن ساخته است. یکی از ساختارهای مداری مناسب برای طراحی مدارهای مجتمع سیگنال مخلوط مدارهای سوئیچ-خازنی هستند. مدارهای سوئیچ-خازنی به طور گسترده در طراحی فیلترها، تقویت کننده های ابزار دقیق، مبدل ولتاژ به فرکانس، مبدل های داده، آرایه خازنی قابل برنامه ریزی، مدولا...
در این پایان نامه توزیع ولتاژ ضربه در طول انواع سیم پیچی ترانسفورماتور بررسی خواهد شد. انواع سیم پیچی مورد استفاده در ترانسفورماتورها معرفی و مدل خازنی آنها نیز ارائه خواهد شد. در قسمتی از پایان نامه با استفاده از نرم افزار volna به شبیه سازی انواع سیم پیچی پرداخته و سپس توزیع ولتاژ ضربه در طول این سیم پیچی ها نیز محاسبه خواهند شد. همچنین با استفاده از یک نرم افزار المان محدود نیز توزیع ولتاژ ض...
دراینپژوهش، تهیه و مطالعه رفتارالکتروشیمیاییکامپوزیت پلیآکریلآمید ـ روی اکسید (Polyacrylamide-ZnO) انجامشد. نانو کامپوزیتپلیآکریلآمید ـ روی اکسید با مقدارهای گوناگون روی اکسید بهروش پلیمریزاسیونشیمیایی تهیهشد.مورفولوژی، ساختار بلوری، پایدار...
معرّفی کتاب »کلید مفاهیم قرآن«، یا »معجم موضوعی قرآن کریم« اثر آقای علی اکبرهاشمی رفسنجانی است. این اثر که با عنوان »تفسیر راهنما« چاپ و منتشر شده، نخستین معجم مفصّل موضوعی مفاهیم قرآن کریم است که به شکلی ابتکاری و منحصر به فرد، اطلاعات موضوعی گسترده ای را در خود جای داده است.
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید