چکی‍‍ده : گزارش پیش رو، تحت عنوان "طرح نوسازی بیمارستان هدایت درتهران » به بازتاب روند طراحی پروژه نوسازی یک بیمارستان دولتی موجود وفعال درتهران، با تخصص ویژه زنان وزایمان ،شناخته شده درسطح ایران می پردازد.این بیمارستان هم اکنون دریکی ازمحله های اصیل وقدیمی شهرتهران ،محله ی قلهک، واقع درمنطقه سه شهرداری ، قرارگرفته است . درابتدا ، باتوجه به اینکه نوسازی یک بیمارستان قدیمی مدنظرطراح است ، مطا...

دارورسانی مغناطیسی، نوعی روش درمانی است که درآن، عامل­های دارویی ازبین برنده­ی تومور و یا سلول­های سرطانی، روی یک هسته­ی مغناطیسی بارگذاری شده است که با اِعمال یک میدان مغناطیسی خارجی، از حضور این داروها در سایر نقاط بدن و بافت­های سالم جلوگیری می­کند. بدین صورت، اثرهای جانبی ناخواسته حاصل­از شیمی درمانی­های مرسوم به طور چشم­گیری کاهش می­یابد. این روش، موانع و مشکلاتی دارد که به نظر می­رسد با به...

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...

هدف این پایان نامه دکتری بررسی عملکرد ترانزیستوری دیود اثر میدانی (fed) است. ساختار این دیود مشابه با یک mosfet می باشد، بطوریکه آلایش سورس و درین آن متفاوت بوده و دارای دو گیت بر روی کانال است. این ترانزیستور قابلیت روشن و خاموش شدن با ولتاژ گیتها را دارد. نتایج حاصل از شبیه سازی این افزاره با استفاده از نرم افزار minimos-nt نشان می دهد که این ترانزیستور با ساختار معمولی آن در ابعاد میکرومتری ...

درحال حاضر، تزریق انسولین در بیماران دیابت نوع یک، اغلب موجب نوسان­های شدید در قند خون آن­ها شده و منجر به رخدادهای هایپرگلیسمی/هایپوگلیسمی می­شود. کنترل حلقه بسته گلوکز توسط پانکراس مصنوعی کیفیت زندگی بیماران دیابت نوع یک را بهبود می­دهد. درین مقاله، با استفاده از سیمولاتور gim، داده­ی بیمار دیابتی در طول شبانه­روز به دست آمده و سپس به مدل­سازی معکوس رفتار فیزیولوژیکی سیستم پرداخته شد. نظر به ...

در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو بر...

در این تحقیق ابتدا اثر 10 نمونه ماده جاذب شامل اکسید منیزیم ، خاک تونسیل ، بنتونیت خوشاب ، کربن اکتیو ، بنتونیت درین ، سلیت ، خاک دیاتومه و رس فعال بر روغن حرارت دیده بررسی شد و سپس اثر 2 مخلوط از جاذبها روی این روغن در طی فرایند تهیه چیپس سیب زمیبنی بررسی شد. تیمار اول ‏‎t1 ‎‏ شامل 42/24 گرم کربن اکتیو، 19/17 گرم بنتونیت خوشاب ، 78/23 گرم سلیت ، 93/15 گرم زئولیت ، 24/14 گرم کائولن ، 31/15 گرم ...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمای بالا نشان می دهند. در میان چندگونه های سیلیکن کاربیدی، گونه 4h-sic با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. در میان تمام ساختارهای افزاره های قدرت، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (ماسفت) ساخته شده با 4h-sic بواسطه داشتن ...

در سال های اخیر کوچک سازی ترانزیستورهای cmos متداول به تکنولوژی های زیر 100 نانو متر برای دست یابی به چگالی مجتمع سازی بالاتر و سرعت بیشتر با چندین مشکل روبه رو شده است از جمله: افزایش سوئینگ زیر آستانه، جریان نشتی بالا در حالت خاموش، کاهش سد با القاء درین(dibl) و اثرات کانال کوتاه دیگر. ترازیستور اثر میدان تونلی(tfet) یکی از امید بخش ترین افزاره ها برای جایگزینی ترانزیستور اثر میدان فلز – اکسی...