در سال های اخیر به دلیل نیاز روز افزون به تهیه ی مسکن، طراحان، محاسبان و انبوه سازان اغلب در فکر برپاسازی ساختمان ها به صورت سریع و اقتصادی هستند. البته بحث ایمنی ساختمان ها از جمله دغدغه های اصلی هر روز دستگاه های نظارت بر ساختمان و نویسندگان آیین نامه های ساختمانی بوده و خواهد بود. سیستم ساختمان قالب تونلی یکی از سیستم های نوین ساختمانی است که می تواند بحث ایمنی و سرعت بالای اجرا را به همراه ...

این تحقیق در راستای بررسی تحلیلی رفتار لرزه ای ساختمانهای پانلی با سیستم تونلی می باشد که محاسبه ضریب رفتار مناسب، بررسی اثر ارتفاع و سایر پارامترهای مربوطه اهداف اصلی آن را تشکیل می دهد. ابزار مورد استفاده، مدلهای عددی ساخته شده از ساختمانهای تونلی می باشد که جهت کنترل صحت نتایج از مطالعات آزمایشگاهی نیز بهره برده شده است. بدین منظور دو نمونه مقیاس شده از ساختمانهای پانلی بتنی با سیستم تونلی د...

در سال های اخیر کوچک سازی ترانزیستورهای cmos متداول به تکنولوژی های زیر 100 نانو متر برای دست یابی به چگالی مجتمع سازی بالاتر و سرعت بیشتر با چندین مشکل روبه رو شده است از جمله: افزایش سوئینگ زیر آستانه، جریان نشتی بالا در حالت خاموش، کاهش سد با القاء درین(dibl) و اثرات کانال کوتاه دیگر. ترازیستور اثر میدان تونلی(tfet) یکی از امید بخش ترین افزاره ها برای جایگزینی ترانزیستور اثر میدان فلز – اکسی...

در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه si(100) و si(111) به بررسی نان...

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

هدف: بررسی میزان نقض حق نشر ناشران توسط اعضای ریسرچ‌گیت در خودآرشیوی متن کامل مقاله‌ها. روش‌شناسی: طی یک نمونه‌گیری تصادفی دومرحله‌ای، یک نمونه ۵۰۰‌تایی از مقاله‌های انگلیسی‌زبان تمام‌متن مجله‌ها که در ریسرچ‌گیت موجود بود، انتخاب و اطلاعات آنها و نویسندگانشان از ریسرچ‌گیت گردآوری شد. سپس نقض حق نشر با توجه به سیاست ذکرشده ناشر مجله در سایت مجله یا سایت شرپا/ رومئو بررسی شد. یافته‌ها: ۶۴ مقاله (...

در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور لایه نازک در دو حالت یک گیتی و دو گیتی، بررسی گردیده است. از آنجا که وابستگی ولتاژ آستانه به ولتاژ درین برای کاربردهای دیجیتال مهم است، تغییرات آنرا بررسی نموده ایم. در ابتدا تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین بررسی شده است که با افزایش ولتاژ درین مقدار ولتاژ آستانه کاهش می یابد. سپس تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که...

در این مقاله نظریه تشدید تونلی در چند لایه های al(x)ga(1-x)as/gaas, بررسی شده است. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد, برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین, آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است و نتایج براساس محاسبات عددی مستقیم به دست آمده است. تا به حال توسط دیگران این محاسبات برای حالت 3 سد انجام شده است و در ای...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...