کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزاره?هایی است که در تکنولوژی soi ساخته می?شوند. روش?های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره?های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک?های اضافی از کاربردی?ترین روش?های افزایش ولتاژ شکست می?باشند. با توجه به اینکه کاهش میدان الکتریکی موجب افزایش ولتاژ شکست می?شود در نتیجه با کم کردن میدان الکتریکی در کانال می?توان ولتاژ شکست را ا...

هدف این پژوهش، شبیه ‌سازی عددی پدیده­ی پلاسما ناشی از اعمال میدان الکتریکی بر جریان سیال تراکم ناپذیر در راکتور تخلیه­ی سد دی‌ الکتریک است. برای شبیه ‌سازی این راکتور از روش سیال پلاسما استفاده شده است. گاز هلیم به‌ عنوان گاز پیش ‌زمینه و از پنج جزء و نه واکنش برای شبیه سازی این گاز استفاده ‌شده است. در این شبیه ‌سازی، معادلات بقا برای جزءها و معادله­ی پواسون میدان الکتریکی حل شده و نهایتاً با م...

در این پژوهش با استفاده از تحلیل هم هندسه رفتار الکترومکانیکی پوسته های کامپوزیتی پیزوالکتریک بررسی شده است. روش های تولید شکل های هندسی مانند نربز و اسپلاین ها، اساس روش تحلیل هم هندسه است. در روش هم هندسه، برخلاف روش اجزای محدود، برای تولید مدل محاسباتی و نیز تقریب فضای حل از توابع پایه یکسان استفاده می شود. در این مقاله برای تحلیل سازه پوسته ای کامپوزیتی از نظریه تغییر شکل برشی مرتبه اول مین...

مبدل‌های ولتاژ نوری که برای اندازه‌گیری ولتاژهای بالا مورد استفاده قرار می‌گیرند، مزایای زیادی نسبت به ترانسفورماتورهای ولتاژ خازنی و سلفی دارند. این مبدل‌ها با توجه به دقت بالا، پهنای باند وسیع، وزن کم، هزینه ساخت پایین، نصب و نگهداری پایین، مصونیت در برابر تداخل امواج الکترومغناطیسی و غیره جایگزین مناسبی برای ترانسفورماتورهای ولتاژ سلفی و خازنی هستند. علی رغم مزایای مزبور فاصله زیاد بین دو ال...

در این مقاله اثرات دمای سیال ورودی روی طرح جریان الکترواسمتیک درون یک ریزمجرای تخت با دیواره¬های دما ثابت توسط حل معادلات حاکم به روش لتیس بولتزمن تحلیل شده است. هدف اصلی این مطالعه جستجوی اثرات تغییر دما بر توزیع یون¬ها و به تبع آن، پتانسیل الکتریکی داخلی و میدان سرعت سیال می¬باشد. برای آنکه بتوان از معادله توزیع یون بولتزمن استفاده نمود از دمای میانگین کاسه¬ای برای هر مقطع از ریزمجرا استفاده ...