در این پایان نامه به بررسی خواص الکترونیکی نانو نوارهای گرافینی با استفاده از تقریب تنگ بست و روش تابع گرین می پردازیم. برای این کار ابتدا نانو نوارهای گرافینی را بدون هیچ گونه ناخالصی و میدان خارجی در نظر گرفته، و برای عرضهای مختلف خواص الکترونیکی و وابستگی آنرا به اندازه ی عرض نوار و شکل لبه ها تعیین می کنیم. در مرحله ی بعد خواص الکترونیکی دستگاه را با در نظر گرفتن میدان مغناطیسی یکنواخت خارج...

چکیده در این پژوهش رسانش وابسته به اسپین در سیستمی بر پایه نانورشته های گرافنی در چهارچوب فرمول بندی لانداورو با استفاده از هامیلتونی هابارد در تقریب میدان متوسط و رهیافت تابع گرین بررسی شده است. قسمت مرکزی در این سیستم یک نانوصفحه گرافنی لبه زیگزاگی است که به دو نانورشته گرافنی دسته صندلی به عنوان الکترودهای چپ و راست متصل می شود. این سیستم در غیاب میدان های خارجی به عنوان یک فیلتر کننده اس...

در این تحقیق خواص الکترونی و مغناطیسی نانو ساختارهای گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی¬های منحصر به فرد گرافین باعث شده است برای کاربرد¬های الکترونی در مقیاس نانو بسیار مورد توجه باشد. با این وجود، مشکل اصلی کاربرد گرافین در ادوات الکترونیکی، نبود گاف در طیف انرژی آن است. برای غلبه بر این مشکل و ایجاد گاف درساختار الکترونی صفحه گرافین به نوار¬های باریک، نقاط کوانتومی و حلقه¬های کوانتومی ...

از آنجا که ساختارهای کربنی اغلب دارای خواص اعجاب انگیزی هستند، همیشه بررسی رفتارهای الکترونیکی آنها دارای اهمیت بوده است. یکی از این ساختارهای کربنی، نانونوارهای کربنی آرمچیر هستند که در این پایان نامه به بررسی آنها می پردازیم. نانونوارها را میتوان بصورت برشی از یک لایه گرافین فرض کرد که دارای یک عرض مشخص است اما از دوطرف تا بینهایت ادامه دارد. ما در این پایان نامه، 7 نوار مختلف با عرضهای متفا...

از مهمترین نیازمندی ها برای طراحی ابزارهای قابل حمل مانند گوشی های هوشمند مصرف پایین انرژی بر کارکرد می باشد. در بسیاری از کاربردها، حافظه ها بخش عمده ای از کل انرژی سیستم را مصرف می کنند. از این رو درکاربردهای توان محدود که سرعت در درجه دوم اهمیت پیدا می کند، مفید است که عملیات های خواندن و نوشتن برای یک سلول sram با کمترین ولتاژ کاری ممکن انجام گیرد. چالش اصلی در طراحی sram مرسوم سازش بین نیا...

در دهه اخیر، نیمه هادی ganبه دلیل گاف انرژی و رسانندگی گرمایی بزرگ تر نسبت به نیمه هادی gaas ، در کاربردهای توان بالا مورد توجه قرارگرفته است. به دلیل همین ویژگی ها، ganاین قابلیت را دارد که در دماها و ولتاژهای بالا نیز کار کند. علاوه بر این سرعت اشباع الکترون در ganنیز نسبت به gaasبیشتر بوده و به همین دلیل، این نیمه هادی برای کاربردهای فرکانس بالا نیز مناسب می باشد. در ترانزیستورهای hemt با فن...

طی سالهای اخیر گرافن به یکی از جالب توجه ترین سوژه های دنیای فناوری تبدیل شده است. خواص عجیب و منحصر به فرد گرافن نسبت به نیم رساناهای استاندارد باعث شده است محققان به سختی بتوانند جایگزینی برای گرافن پیدا کنند. با توجه به ساختار باند گرافن و فاقد گاف بودن آن نمی توان از گرافن در کاربردهایی همچون ساخت ادوات الکترونیکی و اپتیکی استفاده کرد. یکی از راههای ایجاد گاف در گرافن ساخت نقاط کوانتومی است...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

ابرخازن ها وسیله های ذخیره انرژی الکتریکی محسوب می شوند. مواد بر پایه گرافن، مواد امید بخشی برای استفاده در الکترود ابرخازن ها هستند. الکترودهای پایه گرافنی برتری های بسیاری دارند؛ در مقابل، یک محدودیت بزرگ که مانع از کاربردهای گسترده و صنعتی شان شده، محدود بودن ظرفیت ویژه آن ها است. مشخص شده که عامل محدود کننده در ظرفیت کل الکترودهای بر پایه گرافن ظرفیت کوانتومی این دسته از مواد است. در این پژ...

پس از ارائه اولین گزارش ها در مورد نانو لوله های کربنی با خواص خاص و چشمگیر الکترونیکی ، نوری و شیمیایی ؛ آنها از دیدگاه کاربردی جهت تحقیقات اساسی ، موضوعی جذاب برای پژوهش در حوزه های گوناکون دانش بوده اند. از جمله مباحثی که در این زمینه مورد بررسی قرار گرفت مبحث ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربن((cntfet می باشد. در ابتدا چگونگی عملکرد این قطعه خیلی واضح نبود اما با پیشرفت های بعدی ؛ شناخ...