در این رساله طراحی و تحلیل بخش آنالوگ گیرنده غیرهمدوس uwb مبتنی بر آشکارسازی انرژی در سطح سیستمی و مداری ارائه می شود. اثرات غیر ایده آل بلوکهای گیرنده به منظور دست یابی به مشخصات فنی طراحی، در شبیه سازی سیستمی با سیمولینک matlab مورد توجه قرار گرفته است. در ota مقادیر iip3 و توان مصرفی مورد نیاز برابر dbm15 و mw2 است. همچنین در مربع کننده iip3، توان مصرفی و بهره در ber 3-10 به ترتیب برابر dbm1...

در دهه اخیر، نیمه هادی ganبه دلیل گاف انرژی و رسانندگی گرمایی بزرگ تر نسبت به نیمه هادی gaas ، در کاربردهای توان بالا مورد توجه قرارگرفته است. به دلیل همین ویژگی ها، ganاین قابلیت را دارد که در دماها و ولتاژهای بالا نیز کار کند. علاوه بر این سرعت اشباع الکترون در ganنیز نسبت به gaasبیشتر بوده و به همین دلیل، این نیمه هادی برای کاربردهای فرکانس بالا نیز مناسب می باشد. در ترانزیستورهای hemt با فن...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...

در این پایان نامه مشخصات جریان- ولتاژ ماسفت های کانال کوتاه دو دروازه ای با طولهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است. در ابتدا جریان زیر آستانه ی این قطعات برای طولهای کانال 100 و 50 و 20 نانومتر محاسبه شده است و نشان داده ایم که جریان زیر آستانه برای قطعه با طول کانال کوچکتر، مقدار بزرگتری دارد و هر چه طول کانال بزرگتر باشد بستگی جریان زیر آستانه به جریان دررو کمتر است. همچنین نشان داده ایم که ...

پس از ارائه اولین گزارش ها در مورد نانو لوله های کربنی با خواص خاص و چشمگیر الکترونیکی ، نوری و شیمیایی ؛ آنها از دیدگاه کاربردی جهت تحقیقات اساسی ، موضوعی جذاب برای پژوهش در حوزه های گوناکون دانش بوده اند. از جمله مباحثی که در این زمینه مورد بررسی قرار گرفت مبحث ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربن((cntfet می باشد. در ابتدا چگونگی عملکرد این قطعه خیلی واضح نبود اما با پیشرفت های بعدی ؛ شناخ...

در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که...

در این مقاله، یک lna کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45ghz با استفاده از تکنولوژی µmrf-0.18cmos شرکت tsmc ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...

در این پژوهش، یک تقویت‏کننده توان دوهرتی متقارن در فرکانس 2.14GHz با بازدهی توان بالا و توان خروجی 20 وات طراحی و شبیه سازی شده است. این تقویت‏کننده توان برای استفاده در قسمت بلوک تقویت‏کننده توان یک فرستنده مخابرات بی سیم WCDMA ارائه شده است. این تقویت‏کننده توان از دو تقویت‏کننده تشکیل شده است. تقویت‏کننده توان اصلی که در کلاس AB و تقویت‏کننده توان کمکی که در کلاس C طراحی شده‏اند. برای تقسیم ...

در این پروژه، مدل سازی تمام گسترده ترانزیستورهای گالیم آرسناید در فرکانس های بالا بررسی شده است. با استفاده از این روش و با فرض ترانزیستور به عنوان سه خط کوپل شده فعال، معادلات amtl و namtl بترتیب در رژیم خطی و غیرخطی استخراج شده اند. این معادلات در حوزه زمان با استفاده از روش عددی تفاضلات محدود در حوزه زمان حل و نتایج آنها با نتایج حاصل از روش شبه گسترده که توسط نرم افزار ads انجام شده، مقایسه...