پلاسمونیک در گرافین، آرایه¬ای دو بعدی از اتم¬های کربن در یک شبکه لانه زنبوری، در سال¬های اخیر مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. گرافین همانند مواد پلاسمونیکی مرسوم مانند طلا و نقره، توانایی انتقال نور در سطح خود را به صورت پلاسمون پلاریتونهای سطحی دارا می-باشد. این ماده در گستره¬های تراهرتز و مادون قرمز دارای تلفاتی ناچیز بوده و بنابراین پلاسمون پلاریتونهای سطحی که در این گستره¬ها، مخص...

رهیافت این پایان نامه گام اول از یک مسیر تحقیقاتی در بررسی مشخصه های مختلف فیبرهای بلور فوتونیِ میان تهی با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود است.در ابتدای کار برنامه ای جهت شبکه بندی سلول واحد در دو محیط نرم افزاری فرترن 90 و متلب نوشته شده است که قابلیت شبکه بندی یکنواخت سلول واحد ساختار مثلثی و با اندکی تغییر ساختارهای دیگر را دارد.در ادامه ی کار نیز روابط مربوط به روش اجزای محدود در قالب ب...

پیشگویی مور، یک مقدار تخمینی از مقیاس گذاری است که به پیشگویی کام بخش تبدیل شده است که رشد نمایی صنعت نیمه رسانا و ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) را از چهار دهه پیش سبب شده است. هم سوی پیشگویی مور، توسعه-های آتی صنعت نیازمند نانو ترانزیستورهایی با گیت اکسید با ثابت دی الکتریک بالا و انرژی گاف نواری بزرگ تر برای جایگزین کردن اکسید سیلیکون است. در کار حاضر، ما یک سری از آزما...

بلورهای فوتونیک ساختارهای متناوب از مواد دی¬الکتریکی¬اندکه مهم¬ترین مشخصه¬ی آن¬ها داشتن گاف نواری فوتونیک است. فرمول¬بندی و روابط فیزیکی مربوط به بلورهای فوتونیک، امواج بلوخ، تقارن¬ها، نقص در بلورهای فوتونیک و ... معرفی می¬گردد. بلورهای فوتونیک مغناطیسی، نوعی از بلورهای فوتونیک¬اند که در آن¬ها اجزای مغناطیسی در کنار مواد دی¬الکتریکی قرار داده می¬شود و با به¬کاربردن میدان مغناطیسی خارجی، خاصیت م...

بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

محدودیت های عملکرد ذاتی ترانزیستورهایsi در دماها و توان های بالا انگیزه اصلی گرایش به سمت نیمه هادی هایی با شکاف انرژی بالا نظیر sic و gan بوده است. در بسیاری از کاربردها از قبیل کاربردهای نظامی و رادار لازم است مدارهایی با قابلیت های پهن باند مورد استفاده قرار گیرند. طراحی تقویت کننده های توان با کارایی بالا مهم ترین مساله ای ایست که در طراحی فرستنده ها باید مورد توجه قرار گیرد. در سال های اخ...

چکیده: مساله مهمی که فکر انسان امروزی را به خود مشغول نموده است، مساله بهره وری بیشتر در همه زمینه ها بخصوص در زمینه کشاورزی و تولید محصولات غذایی می باشد. لذا به منظور استفاده بهینه از امکانات موجود بشر سعی در به کار بستن راه کارهای جدید دارد تا بتواند بر مشکل بحران ماده و انرژی فایق آید و به همین امید در این تحقیق اثر میدان الکتریکی بر رشد و گلزایی گیاه زعفران بررسی شد که محصولی مهم از ل...

در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که...

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...