نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثرمیدانی حساس به یون
تعداد نتایج: 688237 فیلتر نتایج به سال:
تمام مدارات الکترونیکی غیرخطی هستند، این یک واقعیت پایه در الکترونیک است. فرض خطی بودن که زیربنای اکثر تیوری های مدرن مداری امروزی را تشکیل میدهد، در واقعیت یک نوع تقریب بشمار می آید. بعضی از مدارات مانند تقویت کننده های سیگنال کوچک در اصل به صورت ضعیف غیرخطی هستند، با این حال در مدار به صورت المان های خطی درنظر گرفته می شوند. گونه ای دیگر از مدارات مانند چندبرابر کننده های فرکانسی از این قابلی...
در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائهشده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همینطور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 بهطور قابلتوجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش میدهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...
در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .
مشخص شده است که خروج یون سدیم و نسبت K+/Na+ بیشتر در گندم با تحمل به شوری ارتباط دارد، بنابراین بهمنظور شناسایی QTLهای دارای تأثیرات افزایشی برای مقدار یونهای سدیم و پتاسیم در ریشه و اندام هوایی گندم، 319 لاین نوترکیب خالص (RIL F7) گندم نان، حاصل از تلاقی رقم روشن (متحمل به شوری) و رقم فلات (حساس به شوری)، به همراه والدین و دو شاهد (ارگ، مغان 3) در قالب دو طرح مجزا (تنش و نرمال) بهصورت بلوک ...
هدف: این پژوهش به منظور بررسی تغییر در فعالیت آنزیمهای نوکلئازی ترجیح دهنده DNAی تک رشته ای (single stranded DNA preferring nuclease, SSPN)، میزان پروتئین و کلروفیل در گیاه جو در شرایط تنش شوری انجام شد. مواد و روشها: یک رقم متحمل (صحرا) و یک رقم حساس جو (ریحان) در قالب طرح کاملا تصادفی با سه تکرار تحت تیمار شوری در دو غلظت صفر و 120 میلی مولار NaCl قرار گرفتند. آزمایش فعالیت نوکلئازی در ...
تک لایه های خودآرا نانو ساختارهایی هستند که به طور خودبه خود به ضخامت یک مولکول بر روی یک بستر جامد تشکیل می شوند. بستر روکش داده شده خود می تواند به عنوان بستری برای ساماندهی لایه ی دیگری با ترکیب متفاوت به کار رود. از جمله روش هایی که می توان برای تثبیت لایه های بعدی بر روی تک لایه های خودآرای پایه بکار برد، استفاده از یون های فلزات می باشد که همانند چسبی دو لایه ی مولکولی را بر روی سطح الکتر...
در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...
در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .
پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...
هدف: این پژوهش به منظور بررسی تغییر در فعالیت آنزیم های نوکلئازی ترجیح دهنده dnaی تک رشته ای (single stranded dna preferring nuclease, sspn)، میزان پروتئین و کلروفیل در گیاه جو در شرایط تنش شوری انجام شد. مواد و روشها: یک رقم متحمل (صحرا) و یک رقم حساس جو (ریحان) در قالب طرح کاملا تصادفی با سه تکرار تحت تیمار شوری در دو غلظت صفر و 120 میلی مولار nacl قرار گرفتند. آزمایش فعالیت نوکلئازی در دو p...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید