نتایج جستجو برای: ترانزیستورهای ldmos

تعداد نتایج: 449  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - پژوهشکده فنی و مهندسی 1390

با توجه به اهمیت و مزایایی که ترانزیستورهای دو قطبی نامتجانس در کاربردهای مایکروویو دارند مطالعات وتحقیقات بیشتری در مورد این ترانزیستورها احساس می شود نظر به اینکه هدف این پایانه نامه شبیه سازی ترانزیستور با بهره گیری از تکنیک های هوش محاسباتی می باشد لذا از این جهت که در نهایت پیش بینی رفتارو عملکرد این ترانزیستوربا دقت بیشتر ، سرعت عمل بالاتر و زمان اندکی نسبت به روشهای قبلی دارد حائز اهمیت ...

2006
Yogesh Singh Chauhan Costin Anghel Francois Krummenacher Christian Maier Renaud Gillon Benoit Bakeroot Bart Desoete Steven Frere Andre Baguenier Desormeaux Abhinav Sharma Michel Declercq Adrian Mihai Ionescu

In this work, we present for the first time, a highly scalable general high voltage MOSFET model, which can be used for any high voltage MOSFET with extended drift region. This model includes physical effects like the quasi-saturation, impact-ionization and self-heating, and a new general model for drift resistance. The model is validated on the measured characteristics of two widely used high ...

Journal: :IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 2002

Journal: :Engineering Science and Technology, an International Journal 2015

Journal: :IEEE Journal of the Electron Devices Society 2016

Journal: :International Journal of Communications, Network and System Sciences 2011

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید