در تحقیق حاضر، نانو کامپوزیت سطحیAl5083/CeO2 با افزودن نانو ذرات اکسید سریم(CeO2) به سطح آلیاژ آلومینیم 5083 توسط فرآیند اصطکاکی اغتشاشی ایجاد گردید. ریزساختار، رفتار سایشی و خوردگی فلز پایه، نمونه­ تحت فرآیند بدون ذرات تقویت­کننده و کامپوزیت سطحی Al5083/CeO2 مورد بررسی قرار گرفت. بررسی­های ریزساختاری توزیع یکنواخت ذرات تقویت­کننده را در ناحیه­ اغتشاشی نشان داد....

هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به ک...

در این رساله یک ماسفت سیلیکون برعایق جدید به منظور کاهش اثرات کانال کوتاه ارائه شده است. ترانزیستور استفاده شده دارای دو گیت مجزا دارای طول های متفاوت می باشد. در این ساختار پیشنهادی بایاس گیت دوم که نزدیک درین قرار دارد به ولتاژ درین وابسته می باشد؛ به عبارتی به وسیله ولتاژ درین کنترل می شود. هدف این است که با انتخاب ولتاژ مناسب برای گیت دوم، از تاثیر ولتاژ درین بر پتانسیل کانال جلوگیری شود. د...

هدف از انجام این آزمایشات این است که سرعت دیفوزیون فلز گالیم را در آلومینیم مطالعه کنیم و به عبارت دیگر باید مشخص نمود که در لحظه t فلز گالیم تا چه عمق در فلز آلومینیم پیشروی کرده است در اثر آزمایش می توان با مقایسه نتایج عملی و یک محاسبه نظری صحت رابطه پترسون را مشخص کرد . مطالعه این نوع دیفوزیون نیز از نقطه نظر کیفی برای قضاوت بر روی نظریه های دیفوزیون در مقیاس میکروسکپی بسیار مفیداست . ن...

در این پروژه هدف طراحی و شبیه سازی مداری جهت اندازه گیری بار ذخیره شده در گیت شناور یک ماسفت گیت شناور است. ماسفت گیت شناور ساختاری شبیه به ماسفت معمولی دارد با این تفاوت که بین گیت کنترلی و زیرلایه آن یک گیت شناور پلی سیلیسیمی وجود دارد که توسط عایق دی اکسید سیلیسیم احاطه شده است.می توان بار را با کمک خاصیت تونل زنی دراین گیت شناور برای مدت طولانی ذخیره نمود. برای اندازه گیری این بار ابتدا ساخ...

کاهش اندازه ماسفت ها منجر به افزایش توان مصرفی استاتیک می شود. به منظور بهبود بازده انرژی مدارات الکترونیکی، سوئیچهایی با شیب کم برای جایگزینی یا بکارگیری ماسفت های مرسوم که امروزه به وفور مورد استفاده قرار می گیرند، مورد توجه می باشد. فت هایتونلی، که دارای پیوند p-i-n هستند و جریان روشن آنها از تونل زنی باند به باند ناشی می شود، ترانزیستورهای جدید و مورد توجه برای کاربردهای کم توان، به خاطر جر...

در این پژوهش مورفولوژی فیلم اکسید آلیاژ منیزیم که در شرایط ریخته گری تشکیل شده اند، بررسی گردید. فیلم اکسید سطحی در اثر تلاطم سطحی هنگام ریخته گری، بر روی هم تا خورده و با حبس هوا در بین لایه های داخلی خود، موجب تشکیل فیلم های دو لایه در مذاب شده و منشاء تشکیل عیوب ریختگی از جمله مک‌های گازی و حفرات انقباضی می شوند. بنابراین شناخت ویژگیها و مشخصات فیلم اکسید فلزات در پیش بینی خواص نهایی قطعات...

در این پژوهش مورفولوژی فیلم اکسید آلیاژ منیزیم که در شرایط ریخته گری تشکیل شده اند، بررسی گردید. فیلم اکسید سطحی در اثر تلاطم سطحی هنگام ریخته گری، بر روی هم تا خورده و با حبس هوا در بین لایه های داخلی خود، موجب تشکیل فیلم های دو لایه در مذاب شده و منشاء تشکیل عیوب ریختگی از جمله مک های گازی و حفرات انقباضی می شوند. بنابراین شناخت ویژگیها و مشخصات فیلم اکسید فلزات در پیش بینی خواص نهایی قطعات ر...

استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که...

در این تحقیق، از مدل توابع توزیع دوتایی با ضریب تخفیف چندتایی روش شبکه بولتزمن برای شبیه‌سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه‌ شیبدار تحت میدان مغناطیسی استفاده شده است. محفظه موردنظر دوبعدی بوده و حاوی نانوسیال آب-اکسید تیتانیوم می‌باشد. محفظه دارای زاویه ø نسبت به سطح افقی بوده و تحت یک میدان مغناطیسی یکنواخت قرار گرفته است. روش عددی ارائه شده به ترتیب میدان جریان و میدان دما را با ا...