نتایج جستجو برای: ترانزیستورها

تعداد نتایج: 171  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فناوری های نو 1393

اثرات کانال کوتاه یکی از حساس ترین نکات در ساخت ترانزیستورها در ابعاد کمتر از میکرو ونانو است وبه مانع اصلی فن آوری ساخت ترانزیستور در مقیاس نانوتبدیل شده است و باعث تخریب عملکرد وتغیر ویژگیهای الکتریکی شده است. یک نمونه از اثرات کانال کوتاه اشباع سرعت است که در آن حامل در دستگاه به سرعت به اشباع رسیده با جود آن که حالت اشباع بوجود نیامده است. در سال های اخیر ترانزسیتورهای اثر میدانی مبتنی بر گ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1388

فناوری cmos از مزیت های متعددی همچون قابلیت اطمینان بالا، سادگی ساخت و مقیاس پذیری برخوردار است و به همین علت در چند دهه ی اخیر به عنوان اصلی ترین فناوری در ساخت مدارهای مجتمع مطرح بوده است. جالب اینکه، در تمام دوره ی حیات خود، این فناوری همواره به سرعت در حال پیشرفت بوده است به گونه ای که به طور مستمر شاهد تولد تراشه هایی بوده ایم که سرعت بالاتر، توان مصرفی کمتر و کارآیی بیشتر داشته اند. کاه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم و فنون مازندران 1379

سیر حرکت از ذخیره سازی وانتقال اطلاعات قیاسی (آنالوگ) به رقمی (دیجیتال)، پیشرفت مدارهای الکتریکی، ساخت رایانه ها، ورود ترانزیستورها بجای لامپهای خلا، ساخته شدن تراشه های رایانه ای در ابعاد کوچک، متراکم و فشرده شدن داده ها سرآغاز ورود به عصر اطلاعات بوده است. شاهراه اطلاعاتی و ایجاد محیطهای انتقال، چگونگی و سرعت این انتقال از جمله مسائلی است که ذهن بشر را به خود مشغول داشته است. بیشتر شاهراههای ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز 1390

سیستم های میکرو الکترومکانیک ونانو الکترو مکانیک امروزه بسیار مورد توجه قرار گرفته اند.با توجه به پتانسیل بالقوه شان کاربرد های این سیستم ها رو به افزایش می باشد. سویچ های mos که امروزه در اکثر سیستم های دیجیتالی بکار می روند در واقع با اعمال الکترون به نیمه هادی یا حذف آن باعث ایجاد یک جریان یا قطع آن می شود، حال اگر نوع جدید از سوییچ که در آن قطع و وصل از طریق تونل زنی الکترون انجام شود سوییچ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1393

در تگ پسیو، توان موردنیاز برای تغذیه بلوک های موجود بر روی تگ، با استفاده از امواج ارسالی توسط کدخوان تأمین می شود. بنابراین برای افزایش بازه کدخوانی لازم است، بلوک-های موجود بر روی تراشه تگ، توان مصرفی کمی داشته باشند. باوجوداینکه ترکیب حسگر دما با تگ باعث افزایش سطح نظارتی تگ خواهد شد ولی با افزایش سطح و توان مصرفی همراه است. در این پایان نامه دو طراحی حسگر دما با سطح و توان مصرفی کم و خطای پ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی امیرکبیر(پلی تکنیک تهران) - دانشکده مهندسی برق 1385

با توجه به گسترش روز افزون کاربردهای علم مخابرات تکنیک های افزایش پهنای باند به یکی از مقوله های اساسی علم مخابرات نوین مدل شده است. در دسترس بودن نیمه هادی هایی چون gaas با کیفیت بالا و عملکرد بسیار خوب در فرکانس های بالا و سادگی استفاده آن ها در مدارات مجتمع یکپارچه نیاز به استفاده از روش های جدیدی نظیر ساختارهای موج رونده را در طراحی های باند وسیع به خوبی مشخص می سازد. پس از معرفی ساختارهای ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه 1381

برای پردازش سیگنال آنالوگ در شبکه های عصبی ، معمولا نیاز به یک واحد حافظه آنالوگ احساس میشود که بدون احتیاج به ‏‎a/d‎‏ و‏‎d/a‎‏ بتواند بطور قابل انعطاف و مطمئن اطلاعات آنالوگ را در خود ذخیره کند. این واحد حافظه باید دارای دقت کافی ، سرعت بالا ، توان تلفاتی کم و سایز کوچک باشد و همچنین اطلاعات را برای زمان کافی در خود نگهدارد. برای پیاده سازی سیستمی که همه این قابلیتها را در خود داشته باشد، کوشش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1389

در این پایان نامه سه تقویت کننده کم نویز برای باند ku طراحی شده اند . در هر یک از این سه طرح سه روش تطبیق متفاوت مبتنی بر طراحی فیلتر میانگذر برای نخستین بار استفاده شده است . دو مدار نخست از ناحیه کانال کوتاه و اشباع حامل ها برای دستیابی به حداکثر گین ، خطینگی و فرکانس قطع برای ترانزیستورها استفاده می کنند و علاوه بر آن نسبت به کارهای مشابه توان بسیار کمتری مصرف می کنند . در طرح فیلتر ورودی د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1391

بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

با کوچک کردن تکنولوژی بمنظور افزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه و افزایش کارایی این قطعه آثار ناخواسته ای به نام آثار کانال کوتاه (مانند کاهش سد ناشی از درین، roll off ولتاژ آستانه و... ) ظاهر می شوند که کارایی افزاره را کاهش می دهند. برای کاهش این آثار کانال کوتاه ساختارهای مختلفی از جمله ماسفت soi utb ، ساختارهای عمودی، ترانزیستور مهندسی باند و ساختارهای دوگیتی و غیره توسط محققان پیشنهاد ش...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید