نتایج جستجو برای: ترابرد مغناطیسی

تعداد نتایج: 7202  

Journal: : 2023

به منظور ساخت، راه‌اندازی و عیب‌یابی مقدماتی چشمه پنینگ داخلی سیکلوترون 10IRANCYC، یک مگنت الکتریکی دوقطبی با میدان مغناطیسی در حد امکان مشابه مرکز مذکور طراحی ساخته شد. این الکترومگنت که دانشکده فیزیک دانشگاه تهران شد، قادر است بزرگی 7000 گوس را محل استقرار (منطقه‌­ای شعاع 15 میلی‌متر مگنت) آسانی بدون نیاز خنک‌سازی تأمین کند. دست‌­یابی 1/1 تسلا نیز استفاده از برای مدت چند دقیقه امکان‌­پذیر است...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - پژوهشکده فیزیک 1391

گرافین، یک ساختار دو بعدی از اتم های کربن که چینش شبکه ی لانه زنبوری را دارند، با خواص ترابردی بسیار جالب توجّه در فیزیک ماده چگال، در حد انرژی کم که از حامل های دیراک گونه اش نشأت می گیرد، نوید تحولی شگرف را در تکنولوژی تولید قطعات الکترونیکی و اپتیکی داده است. انعطاف پذیری، شفافیت، تحرک پذیری بسیار بالای حامل ها، استحکام در برابر تنش های کششی (بیشتر از الماس) و کم هزینه بودن، همگی از عواملی هس...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 0
محسن نظری دانشیار دانشگاه صنعتی شاهرود، دانشکده مهندسی مکانیک آتنا قادری دانشگاه صنعتی شاهرود محمد حسن کیهانی استاد دانشگاه شاهرود

در مقاله حاضر، سقوط قطره سیال فرو در سیال غیر مغناطیسی تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی به صورت عددی مطالعه می شود. برای این منظور، از روش ترکیبی شبکه بولتزمن مدل شان- چن و روش حجم محدود استفاده شده است. معادله شبکه بولتزمن با استفاده از اضافه کردن ترم نیروی مغناطیسی جهت به روزرسانی میدان جریان حل می شود، در حالیکه معادله القاء مغناطیسی به روش حجم محدود برای محاسبه میدان مغناطیسی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم 1389

آشکارسازهای سوسوزن کاربردهای وسیعی دراندازه گیری های هسته ای دارندکه موجب اهمیت یافتن برآورد دقیق تابع پاسخ آنها و مطالعه کمیت های موثر بر آن می شود. ازجمله مهمترین اثرات، عوامل اپتیکی هستندکه مطالعه آنها نیازمند دقت نظر در برقراری ارتباط مناسب میان ترابرد تابش و ترابرد نور حاصل از تابش می باشد. راه حل تحلیلی ترابرد نور و فرآیند جمع آوری نوری، تنها برای تعداد محدودی از هندسه های ساده قابل استفا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک 1390

در این پایان نامه ترابرد کوانتومی در دو ساختار گرافینی بالیستیک مطالعه می شود. ابتدا به بررسی اتصالات نامتجانس نرمال-ابررسانا-نرمال گرافینی می پردازیم. همدوسی ابررسانایی باعث می شود در فرود الکترون از ناحیه نرمال اول به مرز اتصال با ابررسانا، علاوه بر پراکندگی (ترابرد) به صورت الکترون به ناحیه نرمال دوم (تونل زنی الکترونی)بازتاب ضربی اندریو (پراکندگی به صورت حفره به ناحیه نرمال دوم) نیز صورت بگ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1393

در این تحقیق با استفاده از روش بستگی قوی و هامیلتونی بسط داده شده بر پایه اوربتال¬های اتمی و فرمول¬بندی تابع گرین به بررسی برهمکنش¬های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا بر روی خواص الکترونی، مغناطیسی و ترابرد در نانو ساختارهای کربنی می¬پردازیم. وجود لبه¬های زیگزاگ در نقاط کوانتومی کربنی موجب جایگزیدگی اسپین بر روی لبه¬ها و مغناطش خالص در نانوساختار می¬شود. برای بر...

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونل‌زنی تشدیدی را شبیه‌سازی نموده‌ایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می‌توان در محاسبه جریان تاریک سلول‌های خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مؤلفه‌های تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت‌ها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیم‌رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود 1389

در تحقیق حاضر ترابرد اسپینی در یک دیواره حوزه مغناطیسی که در بین دو ناحیه فرومغناطیس با مغناطش پاد موازی قرار دارد مطالعه شده است. معادلات پخش برای مولفه های انباشت اسپینی عرضی با استفاده از معادلات جنبشی در فضای ویگنر و پس از آن افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی در دیواره مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان دهنده این نکته است که انباشت اسپینی عرضی از دو قسمت مستقل ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک 1394

در‎ این رساله اثر گاف و انحنای شش گوشه را روی خواص ترابرد گرمایی و الکتریکی عایق های توپولوژیکی سه بعدی ‏آلاییده با ناخالصی های غیرمغناطیسی و ناخالصی های مغناطیسی مطالعه ‏می کنیم. ‎‎‎تفاوت اصلی عایق توپولوژیکی آلاییده با ناخالصی ها‎‏ی‎ مغناطیسی نسبت به آلایش با ناخالصی های غیرمغناطیسی، وجود پراکندگی به عقب به دلیل جفت شدگی اسپین-مدار می باشد. همین عامل باعث می شود رسانندگی های این مواد کمتر از ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید