نتایج جستجو برای: تابع دی الکتریک

تعداد نتایج: 39590  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم 1391

ما در این رساله پدیده ترابرد در گرافین تک لایه در حضور مراکز بار ناخالصی از لحاظ تئوری مورد بررسی قرار دادیم. از تئوری ترابرد بولتزمن و تقریب زمان واهلش برای بدست آوردن هدایت در چگالی های مختلف ناخالصی و الکترون کمک گرفتیم. اثر استتار حاملهارا به کمک تابع دی الکتریک استاتیک تقریب فاز اتفاقی وارد مساله کردیم و نقش ثابت دی الکتریک زیر لایه گرافین در تعیین مقدار هدایت سیستم تک لایه در نظر گرفته ش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه خلیج فارس - دانشکده علوم پایه 1390

در این تحقیق پارامترهای مدل درود- لورنتس را با استفاده از روش شبیه سازی گرمایی برای طلا، نقره و مس در محدوده ی ev 001/1 تا ev 60/6 به دست آورده و سپس با استفاده از آن ها قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک و ثابت های اپتیکی n ,k را محاسبه کرده ایم که در مقایسه با کارهای قبلی از دقت بالاتری برخوردار بوده است. در رابطه با طلا حداکثر درصد خطای نسبی n ,k نسبت به داده های تجربی به ترتیب 5/3% و 5...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک 1393

مطالعات روی نانو ساختارهای نیمرسانا تحت میدان های مغناطیسی کوانتیده و تابششدید تراهرتز از اهمیت بالایی برخوردار است. علاوه بر مطالعات تجربی، اکثر خواصنانو ساختارهای نیمرسانا تحت میدان های مغناطیسی کوانتیده و تابش تراهرتز به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به پیشرفت سریع پدیده تراهرتز توصیف نظری جفت شدگی الکترون فوتون امری ضروری است. کمیتی که به این منظور به طور معمول در درک ویژگی ه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1393

در سال های اخیر سرامیک های بر پایه خانواده( cacu3ti4o12 (ccto به سبب داشتن ثابت دی الکتریک بالا به منظور به کارگیری آنها در ساخت قطعات الکترونیکی مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته است. ساختار ccto به صورت پرووسکایت مکعبی حجم مرکز دار با گروه فضایی im3 تا دماهای پایین 35 درجه کلوین می باشد. برخی از این ترکیبات ثابت های دی الکتریک تا مقادیر بالای 100000 را در دمای اتاق در گستره فرکانس بین ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان 1379

در این پایان نامه میدان الکترومغناطیسی را به روش تابع گرین در یک محیط دی الکتریک غیرهمگن پاشنده و اتلافی، کوانتیزه کرده ایم. محیط مورد نظر، فضایی است که با دو دی الکتریک نیمه نامتناهی با فصل مشترک تخت اشغال شده است. متغیرهای دینامیکی و اندازه حرکتهای تعمیم یافته به روش استاندارد تعریف شده اند. پیمانه انتخاب شده برای میدانها، پیمانه ایست که در آن پتانسیل نرده ای برابر صفر است. روابط جابجایی کانو...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه 1392

در پژوهش حاضر، با استفاده از معادلات پلاسمای کوانتومی، تابع دی الکتریک برای یک محیط پلاسما در حضور میدان مغناطیسی و در سیستم ویگنر-ماکسول به دست آورده شده است. به کمک تابع دی الکتریک به دست آمده و روابط پاشندگی به بررسی ناپایداری های پلاسما و باریکه در پلاسمای کوانتومی یکنواخت و مغناطیسی پرداخته شده است. درحالتی که میدان مغناطیسی، موازی با سرعت سیال باشد تأثیری بر ناپایداری های جریانی نخواهد د...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2015
امیر رضا کوثری محمدرضا برزگران

از آرایه های تخلیۀ سدّ دی الکتریک برای کنترلِ پدیده های مختلفِ آئرودینامیکی از جمله کنترلِ جداسازی جریان استفاده می شود. به منظورِ کنترلِ این پدیده ها توسّطِ تکانهِ تولیدی محرّک ها نیاز به تعیینِ ولتاژِ بیشینۀ تخلیۀ لازم برای تولید تکانه است. در روش پردازش تصویر با استفاده از شعله های پلاسما و پارامترهایی از جمله طول و شدّتِ نور آن می توان بیشینۀ تکانهِ تولیدی و به تَبَع آن ولتاژِ بیشینۀ تخلیه را به دست آورد. مز...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده کشاورزی 1391

سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی های متعددی روبه رو می شود. برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی و رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجود می آیند. برای تشخیص این دسته از خرابی ها ، چندین روش موجود می باشد که یکی از آن ها بکارگیری امواج مایکروویو است. در این تحقیق با استفاده از امواج مایکروویو و اندازه گیری ثابت دی الکتریک برای تشخیص خرابی های داخلی سه رقم سیب زمینی ( آگری...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1388

در این پایان نامه، نانوپودرهای سرامیکی pb(zr1-xtix)o3 به ازای x=0/05 به روش احتراق ژل تهیه شدند. خواص ساختاری و اپتیکی آنها در دماهای کلسینه مختلف (oc500، oc600، oc700 و oc800)مورد بررسی قرار گرفتند. پارامترهای اپتیکی از جمله ضریب شکست، قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک و فونون های اپتیکی، در گستره عدد موج 400-4000cm-1، به کمک روابط کرامرز- کرونیگ محاسبه شده اند. بررسی ها نشان دادند که در دما...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1393

هدف این پایان نامه، مطالعه ی خواص ساختارالکترونی مولکول سیلیکن شامل چگالی حالت ها، ساختار نواری و خواص اپتیکی شامل بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک در حالت قطبیده و غیرقطبیده است. این پژوهش برمبنای نظریه ی تابع چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته انجام گرفته و برای انجام محاسبات از کد siesta استفاده شده است. ابتدا خواص الکترونی مولکول سیلیکنsilicene در غیاب میدان الکتریکی خارجی محاس...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید