در این پایان نامه نور کند پهن باند با پاشندگی سرعت گروه بسیار ناچیز در موجبر بلور فوتونی با نقص خطی به لحاظ نظری بررسی شده است. نور کند در موجبرهای بلور فوتونی برای برخی کاربردهای عملی که در آن لازم است اندرکنش بین نور و مواد دی الکتریک مثل جذب یا غیرخطیت را کاهش دهیم، از اهمیت زیادی برخوردار است. همچنین از آنجائی که تجمع سازی مدارهای اپتیکی نیازمند به کارگیری موجبرهای خمیده می باشد، بنابراین ب...

در این پایان نامه خواص مدهای نقص در ساختارهای متناوب با سه لایه دی الکتریک- فلز- دی-الکتریک در حالت متقارن و نامتقارن بررسی شده است. سپس ویژگی های آن با بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز دو لایه در یک بعد مقایسه شده است. همچنین بازتاب را بر حسب طول موج بررسی کرده و وابستگی آن را با تغییر تعداد سلولهای چپ و راست لایه نقص و تغییر زاویه برای امواج te و tm در دو حالت متقارن و نامتقارن هم برای بلور فوتونی ...

بلورهای نوری ساختارهای متناوبی هستندکه خواص اپتیکی گوناگونی را از خود نشان می دهند. وجود لایه های متناوب ضریب شکست، موجب حضور نوارهای ممنوعه برای فرکانس های خاص شده وفرکانس های مختلف نیز با موج های مختلف انتشار پیدا می کنند. از این رو بلورهای فوتونی قابلیت تغییر راستای انتشار نور را نیز از خود به نمایش می گذارند که با کنترل آن می توان به ضریب دست یافت. این پدیده که اخیراً مورد توجه زیادی قرارگرف...

یک موجبر بلور فوتونی در این مقاله ارائه شده است. این ساختار آرایه دو بعدی از میله‌های سیلیکونی است که در آرایش مثلثی چیده شده‌ است. میله‌ها در زمینه هوا و در صفحه x-z قرار گرفته است. ساختار موجبر با حذف میله‌های سیلیکون ایجاد شده است. آرایش شکاف باند در این اسپلیتر با روش FDTD بررسی شد. این موجبر می‌تواند نقش اسپلیتر را ایفا کند. با استفاده از این آرایه اسپلیتر دو پورتی و سه پورتی ایجاد شده است...

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

The piezoelectric crystals conven mechanical energy inlo clcclrical energy and vice versa. This propeny has many applications in science and technology. In this paper we reporl the growth of KDP single crystal OUI of a super-saturated KDP liquid by controling the temperature and the pH. We studied the effect of the variation of the pH and temperature on the KDP single crystal. We found th...

 در این مقاله آرایه­ای متناوب مثلثی شکل از بلورهای فوتونی دو بعدی در صفحه­ی x-z ایجادشده است.در این ساختار میله­های شش­ضلعی سیلیکونی در زمینه هوا قرار دارند.با قرار دادن یک منبع نور گوسی در سمت چپ و مرکز ساختار میزان انتشار و انعکاس در اطراف بلور فوتونی به دست آمد. روش تفاضل متناهی حوزه زمان (FDTD)جهت شبیه­سازی استفاده شده است که از جمله روش­های عددی است.با توجه به نتایج شبیه­سازی، بلور فوتونی ...

بستگی دمائی ضرائب ترابری در فلزات ساده عمدتا ناشی از اثر پراکندگی همگن الکترون-فونون و الکترون ناخالصی می باشد در فلزات مرکب با اتمهای مغناطیسی مثل بلور upd2si2 الکترون ها بطور ناهمگن نیز توسط اتمهای مغناطیس پراکنده می گردند که این باعث رفتار غیرعادی در وابستگی دمائی ضرائب ترابری در این اجسام می گردد. یکی از مکانیسم هائی که در توجیه این رفتارها موفق بوده مکانیسم پراکندگی اریبی می باشد. در این ر...

در این مقاله، مسئلۀ ویژه مقداری غیرخطی برای محاسبۀ ساختار نواری فوتونی بلور فوتونیک دوبعدی با استفاده از روش عددی mmp بررسی شده است. ساختار نواری بلور فوتونیک دوبعدی برای دو قطبش te و tm محاسبه شده است.  جزئیات روش محاسباتی شامل چیدمان فضای شبیه­سازی، مدل سازی میدان­های داخل و بیرون جسم، شرایط مرزی تناوبی فرضی شرح داده شده­اند. در طراحی فضای شبیه­سازی خصوصیات فیزیکی منطقۀ اول بریلوئن بلور نظیر ...

در این کار پژوهشی ، خواص کشسانی تک بلور NI در میدانهای مغناطیسی متفاوت ، تا 12 کیلو گاوس ، بررسی شده است . مقایسه نتایج بدست آمده در حضور میدان مغناطیسی و در غیاب آن نشان می دهد که در منحنی نمایش میزان تغییرات طولی در ناحیه خطی ، با شدت میدان مغناطیسی باید اثری وجود داشته باشد .