در این تحقیق، هدف بهبود شیب زیرآستانه به مقادیر کمتر از mv/decade60و نسبت جریان روشن به جریان خاموش با مرتبه بالاتر از 5^10 می باشد. بدین منظور ابتدا روشهای مختلف بهبود عملکرد این افزاره را بررسی کرده و در نهایت روش مهندسی در گاف انرژی با مواد با باندگاپ قابل تنظیم به عنوان روش برتر معرفی می شود. پارامترهای طراحی ترانزیستور اثر میدان تونلی را با استفاده از شبکه عصبی بدست آمده است و ترانزیستورها...

مدل نیمه تجربی جامعی برای قابلیت حرکت الکترون ها در لایه وارون ترانزیستورهای mos کانال n شرح داده می شود. این مدل بر پایه های فیزیکی استوار است و شامل اثرات کوانتمی حرکت الکترونها در لایه وارون می باشد. در این مدل همچنین اثرات پراکندگی کولمبی ناشی از ناخالصی بستر برای بسترهای دارای چگالی ناخالصی زیاد را در نظر گرفته ایم. در اینجا علاوه بر تاثیرات پراکندگی سطحی ناشی از بارهای ناحیه فصل مشترک اکس...

در این پایان نامه از ساختارهای متناوب سیال (بستر)- جامد (درون گیره) به عنوان بلورهای فونونی برای طراحی دی مالتی پلکسر آکوستیکی دو کاناله بهره گیری شده است. بلور فونونی به کار رفته در این طراحی از میله های استوانه ای (استیل) در بستر آب با شبکه مربعی تشکیل شده است. دراین طراحی فرض شده است شعاع استوانه های استیل برابر mm 1.25 و ثابت شبکه برابر با mm 3 می باشد. برای طراحی دی مالتی پلکسرمورد نظر...

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

در این پژوهش، با استفاده از آهنگ حامل های الکتریکی در ناحیه تکثیر به شبیه سازی جریان نوری و بهره آشکارساز نوری بهمنی پرداخته شده است. با در نظر گرفتن سازوکارهای مهمی مانند جذب نور، بازترکیب، یونیزاسیون برخوردی و رانش الکتریکی برای هر سلول مکانی یک ماتریس 2×2 تعریف می شود که حاصل ضرب این ماتریس ها، تکثیر پی در پی حامل ها را مدل می کند. مدل ارائه شده تا حدودی ساده است و به سادگی همگرا می شود. مقا...

در این پژوهش، با بکارگیری دو ساختار پایه مربعی و شش‏ضلعی برای ساختار پایه بلورهای فوتونی، فیلترهایی برای سامانه های ارتباطی تمام نوری پیشنهاد شد که به ترتیب در مد tm و te قابل استفاده است. این افزاره ها در پنجره مخابراتی 1550 نانومتر قابل تنظیم هستند. نتایج شبیه سازی نشان داد که با استفاده از ساختار پایه می توان بازده گذر 93% و پهنای باند 9/0 نانومتر را بدست آورد. همچنین با بهره گیری از ساختار ...

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

استفاده از نقطه کوانتومی در ناحیه فعال تقویت کننده موجب می شود که کارایی تقویت کننده بهبود یابد. در این پایان نامه، رفتار دینامیک و استاتیک qd-vcsoa به روش عددی حل معادلات نرخ با الگوریتم رانگ -کوتا مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته است. ناحیه فعال این تقویت کننده شامل ?? لایه از نقاط کوانتومی خود سامان یافته ناهمگون با در نظر گرفتن ترازهای پایه و برانگیخته و لایه وتینگ است. مدل کامل qd vcsoa شامل ...

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...

در این پایان نامه، مدل سازی و شبیه سازی یک سلول خورشیدی چاه کوانتومی gaas/algaas با یک چاه (sqwsc)، بر پایه ی روش مونت کارلو انجام شده است. روش مونت کارلو با امکان بکارگیری هرگونه رابطه ی فیزیکی موجود بر حرکت ذرات در ماده، مشاهده ی پدیده هایی همچون انرژی ذرات در چاه کوانتومی و دیگر نقاط افزاره را ممکن ساخته است. تکیه این کار بیشتر بر استخراج مشخصه هایی از سلول می باشد که به راحتی و با روش های ش...