در این تحقیق، لایه های نازک al2o3 بررروی زیر لایه شیشه bk7 به روش تبخیر باریکه الکترونی انباشت شده و سپس در دماهای 250، 350 و500 درجه سانتی گراد بازپخت حرارتی شده اند. تاثیر دمای بازپخت بر روی خواص ساختاری و مورفولوژیکی لایه های فوق با استفاده از آنالیزهای xrd و afm بررسی شده است. نتایج بیانگر آن است که با افزایش دمای بازپخت ساختار لایه ها تغییر نکرده ولی زبری سطح لایه ها افزایش یافته است.

حسگرهای کپه ای و لایه نازک ساخته شده به روش اسپری پایرولیز از ماده اکسید روی و اکسید روی آلاییده با نانولوله های کربنی مورد مطالعه قرار گرفت. نانولوله های کربنی چند دیواره به روش اسیدی با استفاده از محلول 6 مولار عاملدار شدند. طیف ir نانولوله ها، تشکیل پیوند های کربوکسیل و هیدروکسیل را تایید می کند. نانولوله ها تا زمان یک ماه تعلیق خوبی در حلال قطبی آب نشان دادند. میکروگراف fesem، نانولوله های ...

توان اکتیو و راکتیو تولیدات پراکنده معمولا در شرایط متصل به شبکه توسط استراتژی جریان dq کنترل می شود. اما پس از جزیره ای شدن استراتژی کنترل جریان dq نمی تواند وظیف کنترل را به درستی انجام دهد؛ در نتیجه این کنترل کننده غیر فعال شده و یک کنترل کننده پیش فاز-پس فاز تنظیم شده بوسیله الگوریتم بازپخت شبیه سازی شده برای تولید پراکنده در حالت جزیره ای پیشنهاد می گردد. معیار مجموع حاصلضرب زمان در سیگنال...

لایه نازک اکسید ایندیوم (in2o3) دو ویژگی تراگسیل نوری و رسانندگی الکتریکی را به طور همزمان دارا می باشد. با اضافه کردن ناخالصی قلع، لایه نازک اکسید ایندیوم آلاییده به قلع (ito) به دست می آید که خواص فیزیکی آن بسته به روش ساخت بهینه می شود. امروزه برای دستیابی به خواص مطلوب، افزایش درصد کمی ناخالصی فلزی به لایه های نازک ito مورد توجه قرار گرفته است. در این پروژه افزایش لایه میانی نقره با ضخامت ت...

در این تحقیق خواص فیزیکی لایه های نازک نانو ساختاری سولفید نقره و نیمرساناهای ترکیبی سه تایی (ag8sns6)(sts) تهیه شده به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیر لایه شیشیه، همچنین تاثیر بازپخت بر روی این ترکیبات سه تایی مورد مطالعه قرار گرفته اند. در این مطالعه از دستگاه های مختلف شامل: میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنج uv-vis ، آزمای...

به منظور کاربرد نانوذرات مغناطیسی در محیط های ذخیره سازی اطلاعات، نیاز به نانوذراتی در ابعاد nm 20-2 است تا هر نانوذره به عنوان یک بیت به کار رود. این ذرات می باید از نظر مغناطیسی، فرومغناطیس و دارای ناهمسانگردی مغناطوبلوری بالا (ku= 107 erg/cm3) و همچنین میدان وادارندگی از مرتبه تسلا باشند. دستیابی به این خواص از طریق گذار به فاز منظم l10 حین گرمادهی نانوذرات تا دمای c?600 امکان پذیر است. دمای...