در کار حاضر از فرمول بندی برخورد سه جسمی در کانال تهییج در برخورد پوزیترون با اتم هیدروژن استفاده شده است. در محاسبات پتانسیل های برهم کنش جایگزین ماتریس گذار گردیده اند. سطح مقطع جزئی و کل با در نظر گرفتن جملات مرتبه اول و دوم سری فادیف-لاولیس- واتسون در گذار اتم هیدروژن از حالت پایه به اولین حالت برانگیخته محاسبه شده است. محدوده انرژی برخورد تا و زاویه پراکندگی پوزیترون درجه انتخاب گردیده است...

در این پایان نامه معادله ی مستقل از زمان گراس-پیتافسکی را برای یک میکروتله ی مغناطیسی دایمی u-شکل، که ازآهنرباهای دایمی ساخته شده است، حل کرده و تابع موج و چگالی آن را برای اتم های 87rb به دست می آوریم و همچنین چگالی ذرات و تابع موج را برای معادله ی توماس-فرمی که حالت تعمیم یافته ی معادله ی گراس-پیتافسکی است را محاسبه و نمودارهای آن ها را رسم کرده و با نمودارهای حاصل از معادله ی گراس-پیتافسکی م...

برهمکنش ذرات باردار منفی مانند میون، پایون، کائون و آنتی پروتون با ایزوتوپ های هیدروژن سبب تشکیل اتمهای اگزوتیک در یک سیستم مقید qed می گردد. این اتم تحت فرآیندهای واانگیختگی برخوردی و فرآیند گذار تابشی به حالت های کوچکتر گذار می کنند. بررسی اتمهای اگزوتیک از جنبه های مختلف حائز اهمیت می باشد؛ که از آن جمله می توان به امکان بررسی اندرکنش های قوی این ذرات و بررسی برخی ازجنبه های qcd اشاره نمود. ...

ما در این پایان نامه ابتدا توزیع آماری فوتون ها را از دیدگاه اپتیک کوانتومی بررسی کردیم و به دو طبقه بندی متفاوت پی بردیم که عبارت است از توزیع پواسونی، زیرپواسونی و ابرپواسونی و طبقه بندی دیگر عبارتست از توزیع خوشه ای، پادخوشه ای و همدوس. دیدیم که برای توزیع پواسونی واریانس و مقدار متوسط شمارش فوتون با هم برابر است و برای توزیع ابرپواسونی واریانس بزرگتر از مقدار متوسط است و برای توزیع زیرپواسو...

در این تحقیق کامپوزیت� Ti-48Al/Ti2AlC و Ti-48Al(8Nb)/Ti2AlC به روش آلیاژسازی مکانیکی و پرس گرم سنتز شد. ابتدا مخلوط پودری عناصر به مدت 75 ساعت تحت عملیات آلیاژسازی مکانیکی قرار گرفتند و سپس به منظور تولید قطعات بالک، عملیات پرس گرم در دمای ℃ 1000 به مدت 1 ساعت بر روی پودرها انجام پذیرفت. آزمون اکسیداسیون در دمای ℃ 1000 در هوا به منظور مقایسه رفتار اکسیداسیون نمونه�ها انجام گرفت. نمونه�های سنتز ...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

دراین مقاله خصوصیات الکترونی ترکیب ازجمله ساختار الکترونی، ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکم�پذیری خطی و بهینه سازی حجم سرامیک در فاز بررسی شده است. همچنین بار مؤثر اتم?های تشکیل دهنده آن و اثر فشار بر این ساختار مطالعه شده است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدة خطی با پتانسیل کامل ،در چارچوب نظریة تابعی چگالی و با استفاده از نرم افزار صورت گرفته است. نتایج به دست آمده با نتایج دیگران ساز...