نتایج جستجو برای: آشکارسازهای نیمرسانای ژرمانیوم

تعداد نتایج: 572  

در این مقاله یک سیستم تصویرگیری دوربین کامپتون متشکل از چندین لایه آشکارساز پرا­کننده از جنس سیلیم و یک لایه­ی آشکارساز جاذب از نوع لوتسیم- ایتریم اکسی اورتوسیلیکات (LYSO)، طراحی و توسط کُد جیانت شبیه‏سازی شد. ابتدا با استفاده از یک چشمه­ی نقطه‏ای گاما با انرژی‏های مختلف، کارایی و دقت سیستم برحسب تعداد آشکارسازهای پراکننده محاسبه و بهینه شد. پس از انتخاب بهترین چینش که شامل تعداد ده لایه آشکارسا...

در پژوهش حاضر، پوشش‌های ژرمانیوم-کربن (Ge1-x-Cx) به وسیله فرایند رسوب‌دهی شیمیایی بخار به کمک پلاسما (PECVD) با استفاده از پیش‌ماده‌های گازی GeH4 و CH4 روی زیرلایه‌های سیلیسیومی و شیشه‌ای رسوب داده شدند. به منظور بررسی پایداری محیطی پوشش‌ها، از آزمون مه نمکی استفاده شد. به منظور مشخصه‌یابی ریزساختاری و پیوندی پوشش‌ها به ترتیب از میکروسکپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) مجهز به طیف‌سنج تفکیک ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1391

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه-هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. یکی از قدر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1389

چشمه های آب گرم زیرزمینی برای بسیاری از مردم چه از نظر خواص درمانی چه از دیدگاه جاذبه های توریستی اهمیت زیادی دارند. با توجه به فضای بسته اطراف حوضچه ها، برای مردمی که مدت زیادی در حوضچه های آب گرم معدنی با اکتیویته زیاد سپری می کنند باید تمهیدات مناسب در برابر خطرات ناشی از تابش های رادیونوکلید موجود در آب اندیشیده شود. سنجش رادیونوکلیدهای موجود در آب و تعیین میزان اکتیویته آنها توسط بسیاری از...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - پژوهشکده فنی و مهندسی 1389

اصطلاح مدل قطعه در استخراج اتوماتیک پارامترهای مدار معادل سیگنال کوچک، برای طراحان ic های مدرن بسیار حائز اهمیت است. ihp در سپتامبر سال 2009 با انجام یک سری شبیه سازی در فرکانس بالا بر روی ترانزیستورها، به مشخصاتی برای sige:c bicmos ها دست یافتند که فرکانس قطع و فرکانس ماکزیمم بالا( >ghz 120) از آن دسته مشخصات اند. hbt های sige:c امروزه به عنوان مهمترین ترانزیستورها در تکنولوژی bicmos استفاد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

عملکرد یک سیستم راداری همواره به دلیل تغییر شرایط در محیط فعالیت رادار، دچار تغییرات نامطلوب می شود. از این رو برای مقابله با این تغییرات عملکردی به جای استفاده از رادارهایی با ساختار پردازشی ثابت، باید از آشکارسازهای قابل انعطاف که قابلیت تطبیق با چنین شرایط و تغییراتی را داشته باشند، استفاده نمود. بر این مبنا، مباحث مربوط به تئوری آشکارسازی و تخمین در طراحی آشکارسازهای وفقی از اهمیت ویژه ای ب...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

کنترل هشدار غلط، یک امر حیاتی برای سیستم های آشکارسازی اتوماتیک می باشد. اغلب، شرایط محیط به گونه ای است که توان نویز زمینه (کلاتر) و یا حتی توزیع آن با زمان تغییر می کند. در چنین شرایطی، برای دستیابی به کارایی مفید در سیستم، ملزم به استفاده از آستانه وفقی هستیم و وفقی کردن آستانه می بایست به گونه ای باشد که سیستم خاصیت cfar (constant false alarm rate) داشته باشد. کارهای متنوعی روی آشکارسازهای ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان 1390

ترکیبات pbse و pbs نیمرساناهایی با گاف نواری باریک می باشند و به صورت تجاری مورد استفاده قرار می گیرند. نقاط کوانتومی نیمرسانای iv-vi مثل pbse به علت شعاع بوهر بزرگ شان، محبوس شدگی کوانتومی قوی و خواص نوری منحصربه فردی دارند. به همین دلیل، این ماده برای کاربرد در حوزه های مختلف نوری و الکتریکی، از جمله ساخت ادوات فوتونیکی مثل آشکارسازهای نوری، مناسب است. با توجه به اینکه خواص نوری این نانوبلوره...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود 1390

اکسید روی (zno) با ترکیب عناصر گروه ii-vi در زمره نیمرساناهای با گاف نواری مستقیم و پهن (ev37/3) بشمار می آید. این ویژگی اهمیت زیادی نه تنها در قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی در قطعات اپتوالکترونیکی، نظیر دیودهای نورگسیل و دیود لیزرهای آبی و بنفش، همچنین آشکارسازهای نوری نیز دارد. به کارگیری این ماده در این قطعات مستلزم تهیه آن به صورت تک بلوری می باشد. این موضوع همچنان مسئله ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسی 1392

هدف از این تحقیق شبیه سازی عددی آشکارساز های نوری ?"hg" ?_"1-x" ?"cd" ?_"x" "te" به کمک دسته معادلات رانش-نفوذ به منظور بررسی مشخصات درونی از جمله توزیع حامل های بار الکتریکی و بار کل فضا، توزیع میدان، ساختار تراز هدایت و تراز ظرفیت است؛ این شبیه سازی همچنین بررسی مشخصات خروجی آشکارساز نوری از قبیل منحنی ولتاژ جریان، منحنی آشکارسازی، جریان تاریک، بازده کوانتومی و غیره می پردازد. در ابتدا به معر...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید