رضا بهادرینژاد
دانشگاه صنعتی اصفهان - پژوهشکده اویونیک
[ 1 ] - نحوه طراحی و ساخت یک تقویتکننده متوازن کمنویز مبتنی بر ترانزیستور HJFET در باند فرکانسی GHz 11-9
تقویتکنندههای متوازن که طبقات آن با دو تزویجکننده متعامد به هم متصل شدهاند معمولاً در مدارات مجتمع مایکروویو برای اجزاء توان بالا و پهنباند استفاده میشود. از کاربردهای مهم تقویتکننده متوازن در فرستنده/گیرنده رادارهای آرایه-فازی با تعداد زیاد است که موردنیاز سامانههای راداری هوافضا است و تقویتکننده متوازن مطلوبترین گزینه برای بهدست آوردن اهداف پیشبینیشده است. در تحقیق حاضر، چندین ترک...
[ 2 ] - Design and Fabrication of a 911 GHz Balanced Low Noise Amplifier Using HJFET
This paper describes the design of an X-band balanced low noise amplifier (LNA) using an available HJFET device. The balanced LNA consists of a pair of electrically similar transistors whose input and output signals are divided or combined by 3 dB two-stage Wilkinson power dividers. The proposed balanced LNA is fabricated and measured. The measured results show that the noise figure is 1.30 dB ...
نویسندگان همکار