قاسم انصاری پور
دانشکده علوم . دانشگاه بوعلی سینا
[ 2 ] - استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک
در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs وZnO پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...
[ 3 ] - اثر ناخالصی باردار بر رسانش الکتریکی در گرافیت دو بعدی
چکیده در این کار پژوهشی با لحاظ ناخالصی‌های باردار به عنوان مراکز پراکندگی، اثر آن‌ها را روی رسانش متناظر در یک لایه گرافیت دوبعدی مطالعه می‌کنیم. ابتدا با توجه به اهمیت اثر استتار روی ناخالصی‌ها و تابع پلاریزاسیون استاتیک، با استفاده از تقریب جرم مؤثر و معادلهٔ k.p، رسانش را بر حسب چگالی حامل‌های صفحه‌ای در دماهای مختلف محاسبه و رسم می‌کنیم. نشان داده‌ایم که رسانش در دماهای پایین رفتاری ...
[ 4 ] - مطالعۀ رسانش گرمایی نانوسیم های کوانتومی Si و GaAs
در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...
نویسندگان همکار