مژگان محسنی
کارشناس ارشد/دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
[ 1 ] - یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالیCMOS کم مصرف برای کاربردهای مخابرات نوری2.5Gb/s
در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و ...
[ 2 ] - یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالیCMOS کم مصرف برای کاربردهای مخابرات نوری2.5Gb/s
در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و ...
نویسندگان همکار