رشد نانوپوسه های MoS2 ایستاده بر سطح به روش رسوب‌دهی بخار شیمیایی

رشد نانولوله‌های کربنی هم راستا به روش نشست بخار شیمیایی کاتالیستی و روش رشد فاز بخار

در این تحقیق، نانولوله‌های کربنی هم‌راستا با روش نشست بخار شیمیایی کاتالیستی و با استفاده از لایه‌نشانی نانوذرات کاتالیستی آهن- مولیبدن بر روی زیر‌لایه‌‌ای از جنس سیلیکون تولید شدند. از گاز استیلن (C2H2) به عنوان منبع کربنی، گاز آرگون(Ar) به عنوان گاز حامل، گاز هیدروژن(H2) برای احیای نانوذرات واز نانوذرات آهن- مولیبدن به عنوان منبع کاتالیستی در دمای℃750 جهترشدنانولوله‌های کربنی استفاده شده است....

رشد و بررسی ترمودینامیکی تک بلورهای Se0.5ZnS0.5 به روش انتقال شیمیایی بخار

In this research, a thermodynamic model used to describe the growth of  single crystals by chemical vapor transport technique with iodine as the transporting agent. The optimum growth condition in the  system has been predicted theoretically based on partial of different components. Some experiments were carried out for growing  crystals by the chemical vapor transport method using iodine as a ...

رشد نانولوله‌های کربنی به روش پوشش‌دهی شیمیایی- حرارتی در فاز بخار (TCVD) در فشار اتمسفر

نانولوله‌های کربنی با استفاده از اثر کاتالیست نیکل بر سیلیسیوم، به روش پوشش‌دهی با بخار شیمیایی- حرارتی با استفاده از گاز متان در فشار اتمسفر سنتز شده‌اند. لایه نیکل به روش کندوپاش یونی بر روی نمونه سیلیسیومی نشانده شده است. در این کار پژوهشی اثر سطح اکسید سیلیسیوم بر توده‌سازی و شکل‌گیری ذرات مجرّد نیکل با استفاده از میکروسکوپ الکترونی و طیف‌سنجی رامان مطالعه شده است. نقش لایه اکسید سیلیسیوم بر...

بررسی تاثیر ضخامت لایه ی کاتالیست و آهنگ ورود جریان بخار اتانول به محفظه واکنش، در رشد نانولوله های کربنی موازی به روش رسوب شیمیایی بخار

نانو لوله های کربنی موازی با روش رسوب شیمیایی بخار و با استفاده از لایه نشانی کاتالیست کبالت بر روی لایه ی محافظ اکسید آلومینیوم، سنتز گردیدند. از ترکیب مشخص گاز حامل آرگون و بخار اتانول برای رشد استفاده شد. تاثیر  آهنگ ورود جریان گاز هیدروکربن (اتانول)، بر روی طول و چگالی نانولوله های کربنی مورد بررسی قرار گرفت. با فشار ثابت  mmHg10 راکتور در آزمایش ما با...

مشخصه­ های ساختاری سطح پوشش­ های TiSiCN و TiSiN به روش رسوب فیزیکی بخار قوس کاتدی

رشد تک‌بلورهای Cd0.96Zn0.04Te به روش ترابری فاز بخار

  Cd0.96Zn0.04Te crystals were grown using vapor phase gas transport method (VPGT). The results show that dendritic crystals with grain size up to 3.5 mm can be grown with this technique. X-ray diffraction and Laue back-reflection patterns show that dendritic crystals are single-phase, whose single crystal grains are randomly oriented with respect to the gas-transport axis. Electrical measureme...