خواص فازی یک شبه بلور دو دوره‌ای متشکل از مواد تک منفی

نویسندگان

  • روشن انتظار, صمد 1. دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز
چکیده مقاله:

In this paper, the phase properties of waves reflected from one-dimensional double-periodic quasi-crystals consisting of single-negative materials are investigated using transfer matrix method. It is observed that, by increasing the double-periodic generation number, a large omnidirectional band gap is created in the single-nagative frequency range. We limit our studies to the frequency range of this wide band phase compensator gap.The results show that  the value of phase difference between TE-polarized and TM-polarized waves reflected from this band gap, is independent from generation number in a wide band frequency range. Also, the reflection phase difference increases by increasing the incident angle, and in the central parts of the gap remains almost constant. Fourthermore, at two points near the edges of the gap, the value of the phase difference keeps almost zero in spite of the change of incident angle. Based on these properties, this structure can be used as a wide band phase compensator, an omnidirectional synchronous reflector, and a polarizer

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

خواص فازی یک شبه بلور دو دوره ای متشکل از مواد تک منفی

در این مقاله، خواص فازی امواج بازتابی از شبه بلورهای دو دوره ای یک بعدی متشکل از مواد تک منفی، با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. مشاهده می شود که با افزایش شمارنده مولد دو دوره ای، گاف باند همه سویه بزرگی در محدوده بسامدی تک منفی، تشکیل می شود. ما مطالعاتمان را به محدوده بسامدی این گاف باند پهن، محدود می کنیم. نتایج نشان می دهند که مقدار اختلاف فاز بین دو موج قطبیده الکتریکی عرضی و...

متن کامل

خواص مغناطو - اپتیکی تک بلور gap

وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...

متن کامل

تونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی متا مواد تک منفی

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...

متن کامل

رشد تک بلور پیزوالکتریک KDP

The piezoelectric crystals conven mechanical energy inlo clcclrical energy and vice versa. This propeny has many applications in science and technology. In this paper we reporl the growth of KDP single crystal OUI of a super-saturated KDP liquid by controling the temperature and the pH. We studied the effect of the variation of the pH and temperature on the KDP single crystal. We found th...

متن کامل

خواص اپتیکی بلور فوتونیکی دی الکتریک تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک ( خانم سمیه داودی۱، خانم مریم قشلاقی۲)

در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

متن کامل

بررسی خواص کشسانی (1) تک بلور فرو مغناطیسی در میدان مغناطیسی

در این کار پژوهشی ، خواص کشسانی تک بلور NI در میدانهای مغناطیسی متفاوت ، تا 12 کیلو گاوس ، بررسی شده است . مقایسه نتایج بدست آمده در حضور میدان مغناطیسی و در غیاب آن نشان می دهد که در منحنی نمایش میزان تغییرات طولی در ناحیه خطی ، با شدت میدان مغناطیسی باید اثری وجود داشته باشد .

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


عنوان ژورنال

دوره 16  شماره 4

صفحات  383- 388

تاریخ انتشار 2017-02

با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.

کلمات کلیدی

کلمات کلیدی برای این مقاله ارائه نشده است

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023