تقویت‌کننده الکترونیکی مقاومت انتقالی برای شبکه‌های مخابرات نوری با ساختار جدید مبتنی بر پسخور فعال ولتاژ جریان
نویسندگان
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت‌کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد میشود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل میشود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولتاژ مطلوب در گیت ایجاد میشود. سپس مداری بر اساس ساختار ارائه‌شده، پیشنهاد میشود. مدار پیشنهادی با تکنولوژی 0.18 میکرومتر CMOS شبیه‌سازی شد و نتایج بهره برابر با dBΩ 59 با ریپل بهره کمتر از dBΩ 1 در پهنای باند GHz 8.6 به دست آمد. توان مصرفی مدار mW 18 با منبع V 1.8 و چگالی طیفی جریان نویز در ورودی 23 محاسبه شد. مقادیر بالا در حضور خازن پارازیتی 300fF فوتودیود در ورودی است. در ساختار جدید مصالحه‌های جدیدی ممکن میشود. این مصالحه‌ها درجات آزادی بیشتری را که در ساختارهای قبلی در دسترس نبود، فراهم می‌سازد.
منابع مشابه
طراحی واتافتگرهای مبتنی بر بلورهای فوتونی با قابلیت تواناسازی مناسب برای سامانه‌های مخابرات نوری
در این مقاله روشی برای فعال کردن یک واتافتگر مبتنی بر بلور فوتونی دوبعدی پیشنهاد شده است. ساختار استفاده‌شده در این مقاله از میله‌های استوانه‌ای ماده عایق الکتریک در بستری از هوا با شبکه مربعی تشکیل شده است. برای این منظور ابتدا یک واتافتگر با ساز و کار طول‌موج‌گزینی متشکل از یک نقص تشدید ارائه شده و سپس ساختار تواناساز پیشنهادی روی آن پیاده شده است. برای رسیدن به این هدف از ترکیب مخرب دو پرتو ...
متن کاملطراحی واتافتگرهای مبتنی بر بلورهای فوتونی با قابلیت تواناسازی مناسب برای سامانه های مخابرات نوری
در این مقاله روشی برای فعال کردن یک واتافتگر مبتنی بر بلور فوتونی دوبعدی پیشنهاد شده است. ساختار استفاده شده در این مقاله از میله های استوانه ای ماده عایق الکتریک در بستری از هوا با شبکه مربعی تشکیل شده است. برای این منظور ابتدا یک واتافتگر با ساز و کار طول موج گزینی متشکل از یک نقص تشدید ارائه شده و سپس ساختار تواناساز پیشنهادی روی آن پیاده شده است. برای رسیدن به این هدف از ترکیب مخرب دو پرتو ...
متن کاملطراحی پیش تقویت‌کننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60
در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه میشود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...
متن کاملتجزیه و تحلیل تلفات در فیلتر فعال یک‌پارچه موازی مبتنی بر مبدل منبع ولتاژ-مبدل منبع جریان (طرح VCSC)
شاخص‌های عملکرد فنی- اقتصادی یک فیلتر فعال تحت تأثیر تلفات مبدل‌هایی است که در ساختار آن به‌کار گرفته می‌شوند. در این مقاله روابط موردنیاز برای محاسبه انواع تلفات در دو نوع فیلتر سنتی VSC و دیگری CSC و یک فیلتر ترکیبی مبتنی بر به‌کارگیری هم‌زمان هردو مبدل VCSC که اخیراً در مراجع معتبر پیشنهاد شده، استخراج گردیده‌است. با وجود مزایای مهم در فیلتر VCSC، همواره یک تردید و نگرانی از نظر میزان تلفات ب...
متن کاملمعرفی روش تطبیقی اصلاح شده برای اندازه‌گیری دقیق ولتاژ در مبدل ولتاژ نوری
مبدل‌های ولتاژ نوری که برای اندازه‌گیری ولتاژهای بالا مورد استفاده قرار می‌گیرند، مزایای زیادی نسبت به ترانسفورماتورهای ولتاژ خازنی و سلفی دارند. این مبدل‌ها با توجه به دقت بالا، پهنای باند وسیع، وزن کم، هزینه ساخت پایین، نصب و نگهداری پایین، مصونیت در برابر تداخل امواج الکترومغناطیسی و غیره جایگزین مناسبی برای ترانسفورماتورهای ولتاژ سلفی و خازنی هستند. علی رغم مزایای مزبور فاصله زیاد بین دو ال...
متن کاملمعرفی روش تطبیقی اصلاح شده برای اندازه‌گیری دقیق ولتاژ در مبدل ولتاژ نوری
There are fewer problems encountered with optical voltage transducers in comparison with their inductive and capacitive counterparts. Although capacitive and inductive transformers are used vastly for the purpose of measurement and protection in the networks, they cause problems such as core saturation and improper transient responses which decrease the accuracy of measurement and eficiency of ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 48 شماره 2
صفحات 737- 744
تاریخ انتشار 2018-08-23
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023