اثر برهمکنش اسپین مدار یکنواخت و میدان مغناطیسی یکنواخت بر خواص توپولوژیکی یک نانو سیم یک بعدی کوانتومی
نویسندگان
چکیده مقاله:
We theoretically demonstrate the interplay of uniform spin-orbit coupling and uniform Zeeman magnetic field on the topological properties of one-dimensional double well nano wire which is known as Su-Schrieffer-Heeger (SSH) model. The system in the absence of Zeeman magnetic field and presence of uniform spin-orbit coupling exhibits topologically trivial/non–trivial insulator depending on the hopping amplitudes and spin-orbit coupling strength. Topological phases of this system can be determined by integers which are related to the Zak phase of occupied Bloch bands. In the phase diagram, there are three different regions with topologically distinct phases. The system is non-trivial insulator in two of them whereas one of the regions is related to the topologically trivial insulator. We find that the topologically trivial phase in the presence of both uniform spin-orbit coupling and uniform Zeeman magnetic field changes to a topologically non-trivial phase. The number of symmetry protected zero-energy edge states under open boundary conditions are also calculated, which suggest that the topological number reduces to the when applying Zeeman field. Furthermore, the symmetries of the Hamiltonian are investigated, implying that the system has time-reversal, particle-hole, chiral and inversion symmetries and belongs to the BDI class either in the presence or absence of uniform Zeeman magnetic field.
منابع مشابه
بررسی اثر پتانسیل تحدید کوانتومی و برهمکنش اسپین-مدار بر خواص اپتیکی یک نانوسیم چند لایه
در این مقاله به بررسی تأثیر پتانسیل تحدید کوانتومی روی خواص اپتیک خطی و غیرخطی یک سیم کوانتومی چند لایه در حضور برهمکنش اسپین مدار راشبا که همزمان تحت تأثیر میدانهای الکتریکی و مغناطیسی خارجی قرار دارد، خواهیم پرداخت. بدین منظور ابتدا با حل معادلهی شرودینگر، ویژهتوابع و ویژهمقادیر انرژی سیستم در حضور برهمکنش اسپین- مدار و میدانهای خارجی را محاسبه کرده و با روشهای عددی ویژهمقادیر و ویژه...
متن کاملاثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
In this paper, we calculate the spin-dependent conductance of ferromagnetic quantum wire in the presence of one or two defects by using Green's function method at the tight-binding approach. We study the effect of rotation of defect magnetic moment on the system conductance. The results show that in the magnetic wire, independent of existence or absence of defect, the allowed energy region shi...
متن کاملتاثیر جفت شدگی اسپین مدار بر خواص الکترونی حلقههای کوانتومی دو بعدی
در این مقاله، یک حلقهی کوانتومی را در نظر گرفته و سپس ترازهای انرژی آن تحت تأثیر میدانهای الکتریکی و مغناطیسی خارجی و در حضور برهمکنش اسپین مدار راشبا و درسل هاوس مورد بررسی قرار میگیرد. بدین منظور، ابتدا هامیلتونی سیستم را در حضور جفت شدگی اسپین مدار و در حضور میدانهای الکتریکی و مغناطیسی خارجی نوشته و سپس با استفاده از روش قطریسازی، ویژه مقدارهای انرژی سیستم را محاسبه کرده و تاثیر میدا...
متن کاملاثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...
متن کاملحل عددی اثر میدان مغناطیسی یکنواخت بر انتقال حرارت جابجایی آزاد از روی صفحه ای عمودی
در این مقاله به بررسی اثر میدان مغناطیسی یکنواخت بر توزیع سرعت و دما درون لایه ی مرزی پرداخته و در نهایت نرخ انتقال حرارت از صفحات عمودی را در اثر جریان جابجایی آزاد مورد بررسی قرار داده شده است. معادلات مومنتوم و انرژی با در نظر گرفتن میدان مغناطیسی استخراج شده اند. به کمک پارامتر تشابهی مناسب و استفاده از تابع جریان و بازنویسی معادلات مومنتوم و انرژی بر حسب تابع جریان، معادلات دیفرانسیل مشتق ...
متن کاملمطالعه تغییرات غلظت گونههای اصلی احتراق متان در اثر فشار و میدان مغناطیسی یکنواخت
تاثیر میدانهای مغناطیسی بر احتراق جهت کنترل و بهینهسازی و حتی تغییر شکل و درخشندگی شعله موضوع شناخته شدهای است. نیروی حجمی مغناطیسی وارد بر گونههای مواد پارامغناطیس باعث تغییر رفتار طبیعی آنها شده و بر سینتیک و رفتار تعادلی واکنشهای شیمیایی احتراق نیز موثر است. در تحقیق حاضر بررسی عددی تاثیر میدان مغناطیسی یکنواخت بر واکنش یک مرحلهای احتراق متان انجام شده است. با توجه به اینکه در بین گونه...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 17 شماره 5
صفحات 717- 727
تاریخ انتشار 2018-02
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
کلمات کلیدی برای این مقاله ارائه نشده است
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023