هدف پژوهش سنجش نیازهای آموزشی دبیران شهرستان شیراز از دیدگاه دبیران و مدیران است. جامعه آماری تحقیق کلیه دبیران و مدیران نواحی چهارگانه شهرستان شیراز می باشد. نمونه آماری شامل 100 نفر دبیر،100 نفر مدیر، که با استفاده از روش نمونه گیری خوشه ای تصادفی انتخاب شدند، مِی باشد. نتایج تجزیه و تحلیل داده ها با استفاده از آزمون مربع کای نشان داد که از دیدگاه دبیران و مدیران تفاوت معنا داری بین نسبت پاسخ ها وجود دارد. آزمونt مستقل به منظور مقایسه بین دیدگاه دبیران و مدیران درباره نیازهای آموزشی استفاده شد، نتایج بیانگر وجود تفاوت معنی دار بین دیدگاه دبیران و مدیران در سه مقوله مهارت های تدریس، روابط انسانی و مسائل روانشناسی می باشد. از تحلیل واریانس یکسویه، به منظور تعیین اینکه آیا متغیرهای سن، سابقه خدمت و مدرک تحصیلی بر میزان نیازهای آموزشی تأثیر دارد، استفاده شد. نتایج نشان داد بین متغیرهای سن، سابقه خدمت و مدرک تحصیلی با میزان نیازهای آموزشی دبیران تأثیر معنادارِی وجود ندارد. همچنین برای تعیین تأثیر متغیر جنسیت بر مقوله های نیازهای آموزشی چهارگانه از آزمون t مستقل استفاده شد، نتایج بیانگر عدم تأثیر این متغیر بوده است. به منظور مقایسه میانگین مقوله-های چهارگانه نیاز های آموزشی دبیران از دیدگاه دبیران و مدیران از آزمون اندازه گیری های مکرر وt گروه-های وابسته استفاده شدکه نتایج نشان داد، دبیران و مدیران اولین اولویت را برای مهارت های تدریس و چهارمین اولویت را برای روابط انسانی قائل شدند.

گاز طبیعی استحصالی از مخازن حاوی مقادیر زیادی بخار آب می باشد. به دلیل مشکلات عملیاتی که در اثر وجود بخار آب در انتقال گاز ایجاد می شود، دفع بخار آب موجود در گاز تا رسیدن به مقداری که جریان گاز بدون ایجاد هیچگونه مشکلی قابل انتقال و مصرف باشد امری ضروری خواهد بود. بسترهای سیالی به دلیل اختلاط شدیدی که بین فاز سیال و ذرات جامد ایجاد می کنند باعث افزایش سطوح تماس و ضرایب انتقال جرم و حرارت در مقایسه با بسترهای ثابت شده و در نتیجه شدت انتقال جرم و حرارت بطور چشمگیری افزایش می یابد. علیرغم این مزایا به دلیل اینکه شناخت کاملی از هیدرودینامیک و پدیده های حاکم در این بسترها وجود ندارد در بسیاری از صنایع و فرآیند ها از این تکنیک استفاده به عمل نمی آید. با توجه به مزایایی که سیالسازی فاز جاذب در تماس با فاز گاز دارد در تحقیق حاضر با بکارگیری این تکنیک و جایگزینی بستر سیالی نیمه پیوسته به جای یک بستر ثابت، به بررسی فرآیند جذب سطحی بخار آب از گاز پرداخته شده است. به همین منظور یک سیستم آزمایشگاهی بستر سیال طراحی و اثر پارامترهای مختلف بر میزان جذب بخار آب بررسی شد. همچنین با بکارگیری تئوری دو فازی سیالیت به مدلسازی ریاضی روابط انتقال جرم و حرارت حاکم بر این سیستم پرداخته شد. مقایسه نتایج حاصل از مدل و نتایج تجربی نشان می دهد که مدل ارائه شده به خوبی توانایی پیشگویی مقادیر خروجی دما و محتوای رطوبت فاز گاز و ذرات خروجی را دارد. مضاف بر اینکه این نتایج نشان دهنده عملکرد خوب بستر سیالی در کاهش رطوبت گاز می باشد و بکارگیری این روش در صنعت، قطعاً صرفه جویی های اقتصادی زیادی را به بار خواهد آورد.

امروزه فناوری اطلاعات و ارتباطات کانون توجه کشورهای جهان است. ict ابزاری ضروی برای رسیدن به اهداف بزرگ توسعه ملی و اقتصاد جهانی می باشد. به گونه ای که ict عامل اساسی در توسعه و رشد اقتصادی و رسیدن به جامعه های دانش محور است. کشورهای توسعه یافته از ict برای بسیاری از فعالیت ها از جمله تجارت آموزش، تولید و صنعت استفاده می کنند. ict توانایی ها و قابلیت های بسیاری را برای جامعه بشری عرضه کرده است و در رفع نیازهای جوامع مختلف موثر بوده است و استفاده از آن تحول عظیمی در مفهوم اقتصاد جهان ایجاد کرده است. در عصر مجازی فناوری اطلاعات و ارتباطات ict محرک و عامل اصلی اقتصاد جهان است. تغییرات بزرگ این فناوری مدتی است در عرصه های مختلف جهانی آغاز شده است و دستیابی بهتر و استفاده بهینه از اطلاعات را برای توسعه اقتصادی و پایدار در جهان فراهم ساخته است. به همین دلیل ما در این پژوهش به مطالعه اثر سرمایه گذاری در ict بر توسعه اقتصادی در دو گروه کشورهای d8(که ایران نیز عضو این گروه می باشد.) و g7 با استفاده از روش داده های تابلویی (panel data) و طی دوره زمانی 2000 تا 2009 پرداخته ایم. عوامل موثر بر توسعه اقتصادی در الگوی برآورد شده عبارتند از: سرمایه گذاری در ict ، بهره وری کل عوامل ، حکمرانی خوب. نتایج به دست آمده نشان می دهد که افزایش سرمایه گذاری در ict در هر دو گروه d8 و g7 منجر به ارتقاء سطوح توسعه یافتگی کشورها می گردد. وهمچنین بهره وری کل عوامل تولید و حکمرانی خوب نیز در هر دو گروه اثر مثبت و معنی داری بر توسعه اقتصادی دارد.

در این پایان نامه نقش شدت نور بر روی رابطه پراکندگی فراماده هذلولی بررسی می شود. با استفاده از اثر غیرخطی کر در طلا و گرافن سه نوع سوئیچ تمام نوری طراحی خواهد شد. در ضمن با استفاده از قابلیت تنظیم پذیری پتانسیل شیمیایی گرافن از طریق اعمال بایاس خارجی یک سوئیچ الکترو-نوری نیز طراحی می شود. عمل کرد این افزاره ها برخلاف افزاره هایی ای که تاکنون ارائه شده است به زاویه تابش وابستگی ندارد. در ضمن ساخت آن ها نیز نسبتا ساده و عملی خواهد بود. نتایج شبیه سازی نشان میدهد، بیشینه و کمینه اندازه ضریب عبور توان برای سوییچ های ارائه شده در حالت روشن به ترتیب برابر با 50% و 98% است. در حالی که، در حالت خاموش اندازه این ضریب همواره از 3% کمتر است. بنابراین، از این افزاره ها می توان در طراحی مدارهای نوری دیجیتال بهره گرفت. در پایان، با بهره گیری از یک مقسم پرتو حساس به قطبش مبتنی بر فراماده هذلولی، دو گیت منطقی xor و and نیز طراحی می شود. کم ترین اندازه ضریب عبور توان محاسبه شده برای گیت منطقی xor برابر با 59% و برای گیت منطقی and برابر با 83% نشان داده خواهد شد.

درابتدا مروری گذرا بر کارهای انجام شده در زمینه تولید امواج پلاسمونی سطحی با گرافن و همچنین مدولاتورهای تراهرتز ارائه و شرایط لازم برای ایجاد امواج پلاسمونی در سطح فلز بررسی می شود. سپس، با بهره گیری از رابطه پاشندگی گرافن و رابطه کوبو، خواص پلاسمونی گرافن مرور خواهد شد. آنگاه، پس از توضیح درباره روش مدل کردن مواد مورد استفاده، برای درستی آزمایی نتایج شبیه سازی، دو مقاله تازه منتشر شده در حوزه پلاسمونی بازتولید می شود. پس از اطمینان یافتن از درستی روش محاسبه، به کمک ویژگی کوکپذیری گرافن و شرایط بهینه برای طول انتشار امواج پلاسمون سطحی در فرکانس کاری 6 تراهرتز، با روش عناصر متناهی در سه بعد شبیه سازی و تحلیل افزاره ها انجام خواهد شد. نخستین افزاره طراحی شده، یک سوییچ پلاسمونی برپایه گرافن با طول 5 مرتبه کوتاه تر از طول موج ورودی است. ضریب عبور توان این سوییچ در شرایط بهینه برای حالت روشن و نسبت آن به ضریب حالت خاموش، به ترتیب برابر با 26/94% و 61on/off = است. در همین شرایط عمق مدولاسیون این افزاره برابر 37/98%، که نسبت به بزرگ ترین عمق مدولاسیون گزارش شده 23% عمیق تراست. براساس ابعاد و شرایط بهینه به دست آمده برای یک موجبر پلاسمونی مستقیم، یک سوئیچ پلاسمونی y شکل (دو شاخه) با طول کوتاه تر از 50% طول موج ورودی طراحی خواهد شد. نتایج حاصل از شبیه سازی سه بعدی نشان میدهد. ضریب عبور توان هنگامی که هردو بازو به طور همزمان روشن و نسبت آن به حالتی که هردو خاموش اند، به ترتیب برابر 2/87% و 8720 on/off = است. در ضمن عمق مدولاسیون این سوییچ برابر 98/99% است. نهایتا یک گیت منطقی and با ساختاری مشابه ساختار اولین سوییچ، و یک گیت منطقی or متشکل از دو ساختار y شکل رو در رو، طراحی خواهد شد. این افزاره ها در مدارهای نوری دیجیتال کاربرد فراوانی دارند. ضریب عبور توان برای حالت منطقی "1 1" و نسبت آن به حالت "0 0" برای گیت and، به ترتیب، برابر با 44/92% و 20095on/off? و برای گیت or برابر با 03/73% با نسبت 16983on/off? است.

در این پایان نامه به بررسی یادگیری در مدل ساده ی dhan می پردازیم. این مدل بیانگر یک سیستم دینامیکی عصبی پیچیده است که خواص کلی یک سیستم شناختی ساده را داراست. این مدل بر اساس مجموعه ای از معادلات دیفرانسیل غیر خطی ای که بر روی یک شبکه ی پیچیده سوار شده، سازمان دهی شده است. این مدل که یک سیستم دینامیکی پیچیده را نشان می دهد دارای خواص کلی یک سیستم شناختی ساده است که دینامیک حالت های گذرا از جمله فرآیند تفکر مستقل را نشان می دهد و به خوبی حافظه را در میان خصوصیات مهم دیگر جای می دهد. در این مدل تناظر یک به یک بین رفتار سیستم و رفتار دینامیکی شبکه های عصبی در آن مد نظر نبوده است. بررسی یادگیری در این مدل، که می توان آن را به عنوان یک سیستم شناختی عصبی ساده در نظر گرفت، درک صحیح تری از رفتارهای جمعی یاخته های عصبی به ما می دهد و باعث می شود تا خصوصیات کلیدی ساختار عصبی که نقش بسزایی در این فرآیند دارند را بهتر بشناسیم و سعی خواهیم کرد تا در چهار چوب مدل dhanوخصوصیات آن، این نحوه ی رفتار یادگیری را توجیه کنیم.

در این پروژه جاذب نوری مبتنی بر فرامواد گرافنی در گستره فرکانسی تراهرتز طراحی و شبیه سازی شده است. ساختار به صورت آرایش فابری پرو، شامل دولایه گرافن الگودهی شده ی تورماهیگیری و میکرونوارها می باشد که توسط یک دی الکتریک نازک از یکدیگر جداشده اند. این ساختار سه لایه ای بر یک بستر پلیمری ضخیم قرار گرفته اند و در انتها یک لایه طلا می باشد. این ساختار قابلیت تنظیم پذیری و سوئیچ پذیری و همچنین دارای جذبی بالاتر از 90% در فرکانس های مورد نظر دارد که این ویژگی ها امکان استفاده از آن در کاربردهایی همچون مدولاتور و سوئیچ می دهد. فرکانس کاری جاذب با تغییر ولتاژ گیت اعمالی به لایه های گرافنی تنظیم خواهد شد و با افزایش پتانسیل شیمیایی گرافن، ما شاهد شیفت آبی پیک های جذب خواهیم بود. همچنین جذب ساختار مستقل از زاویه قطبش نور و چندباندی است.

چکیده ندارد.

این پایان نامه به بررسی امکانپذیری اتصال dc یا ac و پایداری اتصالات ممکن خط طبس ـ یزد می پردازد.با استفاده از داده های شبکه ایران در سال 1390 شبکه با اتصال فوق با خط dc و ac و نیز بدون اتصال در فضای digsilent مورد شبیه سازی قرار گرفته، اتصال کوتاه در یک خط بخصوص و عملکرد آن بر پایداری یک ژنراتور خاص و همچنین کل شبکه مورد بررسی قرار میگیرد. با استفاده از شاخص زمان و حفظ پایداری نسبت به انتخاب اتصال خوب تصمیم گیری شد. نتیجه آن شد که خط dc پایداری نسبی بهتری را تامین میکند حال آنکه خط ac علیرغم عملکرد نه چندان رضایتبخش نسبت بهdc کماکان پایداری را حفظ نموده ، شاخص های مورد نیاز از جمله زمان کم رسیدن به پایداری را نیز تامین می نماید.

ترموسیفون نوعی لوله حرارتی با ساختمان و عملکرد بسیار ساده است . این وسیله شامل یک لوله توخالی است که پس از گاززدایی از سیال مورد نظر به میزان لازم پر می شود. بر روی این لوله به منظور جذبل بیشترین مقدار تابش خورشیدی پره ای با سطح برگزیده تعبیه یم شود. کل این سیستم برای حذف انتقال حرارت جابجائی و هدایتی در یک حباب شیشه ای تحت خلاء نسبی مناسبی قرار داده می شود. افزایش کارآیی، بهبود طراحی و شرایط عملیاتی و روشهای متنوع ساخت و تولید لوله های حرارتی مستلزم آگاهی از چگونگی تغییرات پارامترهای عملیاتی داخل لوله حرارتی می باشد. این پایان نامه مطالعه ای در جهت تحلیل و بررسی پارامترهای عملیاتی موثر در عملکرد لوله حرارتی خورشیدی از نوع ترموسیفون در حالت یکنواخت و دائم می باشد. این پارامترها شامل محاسبه دمای اشباع سیال داخل لوله حرارتی، تغییرات ضخامت فیلم مایع روی جداره داخلی لوله، تغییرات شدت جریان فازهای بخار و مایع و افت فشار فازهای بخار و مایع در طول لوله حرارتی می باشد. ابتدا جهت حصول مقادیر اویله پارامترهای مذکور، بیلان انرژی برای حجم کنترل سیستم نوشته می شود. در این موازنه بر حسب اینکه بخش کندانسور در مجاورت چه نوع سیالی قرار گیرد و نیز انتقال حرارت از این قسمت به چه طریقی باشد (اجباری یا آزاد) و با توجه به معادلات تجربی موجود ابتدا عدد ناسلت و سپس با توجه به آن ضریب کبی انتقال حرارت محاسبه می گردد و در نهایت منجر به محاسبه مقادیر اولیه پارامترهای مورد نظر می شود. بدین ترتیب مقادیر اولیه برخی از این پارامترها به شرح زیر حاصل شد: شدت جریان جرمی مایع و بخار به ترتیب 0/322 و 0/0001126 کیلوگرم بر ثانیه و ضخامت فیلم مایع کمتر از 0/2 میلیمتر. سپس برای محاسبه تغییرات پارامترهای مذکور در طول لوله، بیلان انرژی، جرم و اندازه حرکت برای حجم کنترل فیلم مایع، فاز لبخار و کل سیستم نوشته می شود. در نهایت نتایج اندازه گیری شده از نمونه آزمایشگاهی ساخته شده با نتایج مندرج در مراجع و منابع مقایسه می شود. مقایسه نشان می دهد، خطای موجود نتایج مذکور بین 0 تا +-15 درصد می باشد. حال برای طراحی و مدلسازی چگونگی تغییرات پارامترهای ترمودینامیکی داخل لوله و مقایسه بعضی از همین مقادیر که در نمونه ساخته شده قابل اندازه گیری می باشند. فصول زیر ارائه می شوند: فصل دوم: در این فصل در ابتدا تاریخچه ای از انواع لوله های حرارتی و کاربرد آنها ارائه می شود. سپس تعرذیف جامعی از این وسیله، همراه انوع و خواص فیزیکی و چگونگی عملکرد آن ارائه می شود. در همین فصل به تشریح محدودیت های کاری این وسیله پرداخته می شود. همچنین مورد دو پارامتر مهم عملیاتی این وسیله، انتقال حرارت وافت فشار، به تفضیل بحث می شود و معادلات کاربردی در محاسبات مورد نظر همراه با ذکر دلیل مطرح می شوند. همچنین در خصوص به میزان سیال تزریقی، نوع آن و جنس و نوع ظرف حاوی آن مطالبی ارائه می گردد. در همین راستا نوع سیال مصرفی در نمونه مورد نظر و میزان آن همراه با ذکر دلیل و محاسبات مربوط مطرح می شود. در فصل سوم مبنای طراحی و مدلسازی همراه با معادلات و الگوریتمهای مربوط ارائه می شود. همچنین در انتها منحنی های منتج از هر یک از برنامه ها و مدلهای کامپیوتری همراه با نقاط تجربی و بحث و نتیجه گیری در مورد آنها ارائه می شود. فصل چهارم در مورد روش و شیوه ساخت نمونه مورد نظر بحث می کند. فصل پنجم به یک نتیجه گیری کلی و بحث در مورد کل ساختار پروژه و ارائه پیشنهاداتی در این مورد اختصاص دارد.