در این تحقیق، لایه¬های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش¬پذیر بر روی زیرلایه¬های شیشه¬ای لایه¬نشانی شده¬اند. لایه¬های نمونه با ضخامت¬های اسمی 100، 150 و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابتnm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیر لایه¬ها در خلال لایه¬نشانی در دمای اتاق نگه داشته شد. با استفاده از روش بیضی¬سنجی ثابت¬های اپتیکی، ضریب شکست(n)، ضریب خاموشی (k) در گستره طول موج 370 تا 1050 نانومتر اندازه¬گیری شدند. درصد عبور و بازتاب بر حسب طول موج با استفاده از طیف¬سنج مرئی فرابنفش (uv-vis) انداز¬¬ه-گیری شدند. با استفاده از روش کرامرز-کرونیگ ثابت¬های اپتیکی اندازه¬گیری شد و با نتایج حاصل از بیضی¬سنجی مقایسه شدند.