در سلول های خورشیدی آمورف لایه نازک با ساختار p-i-n یک لایه ذاتی ضخیم می تواند نور بیشتری برای تولید الکترون و حفره جذب کند. با این حال یک لایه ضخیم ذاتی میدان الکتریکی رانشی را برای انتقال حامل ها تضعیف می کند. از سوی دیگر یک لایه نازک نمی تواند نور کافی جذب کند. ضخامت لایه ذاتی یک پارامتر کلیدی است که می تواند عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک را محدود کند. تزریق اتم های ge به شبکه si در سلول های خورشیدی بیس سیلیکنی یک رویکرد موثر در بهبود پارامترهای آن است. بویژه چگالی جریان سلول بدون کاهش ولتاژ مدار باز آن، بدلیل مدولاسیون گاف انرژی مواد و تشکیل ساختار فراپیوندی افزایش می یابد. این تحقیق روشی جدید برای ارزیابی عددی و بهینه سازی یک سلول خورشیدی لایه نازک با ساختار دو پیوندی سیلیکن آمورف ( a-sige:h/a-si:h ) را ارائه می کند و تمرکز آن بر روی بهینه سازی سلول خورشیدی تک پیوندی a-sige:h بر اساس بهینه سازی میزان ge موجود در لایه ذاتی، ضخامت لایه ذاتی و لایه p و میزان ناخالصی p در سلول خورشیدی لایه نازک تک پیوندی ( p-a-si:h/i-a-sige:h/n-a-si:h ) خواهد بود. شبیه سازی نشان می دهد برای میزان مناسب ژرمانیوم، راندمان سلول خورشیدی در حدود 6.5? نسبت به سلول های خورشیدی معمول بهبود می یابد. در این کار اثر لایه ذاتی و لایهn ، مانند ضخامت و میزان چگالی ناخالصی بر روی مشخصه های الکتریکی و نوری سلول های خورشیدی فراساختار لایه نازک a-si:h/a-sige:h مانند نرخ تولید، بازترکیب و میدان الکتریکی درون سلول مورد بررسی قرار گرفته است. بر اساس نتایج، ساختار بهینه شده برای سلول های خورشیدی تک پیوندی و دو پیوندی بدست آمد. بعد از بهینه سازی لایه های i و p یک سلول خورشیدی دو پیوندی با jsc=265a/m2 ، voc=1.13v، ff=0.795 و راندمان 23.5? در دمای 300 درجه کلوین بدست آمد.

: مبدل های آنالوگ به دیجیتال با سرعت بالا و تعداد بیت بالا جزء بلوک های ساختاری مهم در بیشتر کاربردهای الکترونیکی هستند. مبدل های آنالوگ به دیجیتال یک پل ارتباطی بین دنیای آنالوگ و دیجیتال می باشند. انواع متفاوتی از مبدل ها همچون فلش، دو طبقه، چندبخشی و پایپ لاین از نوع سرعت بالا و تعداد بیت نسبتا بالا می باشند. از این دسته، معماری مبدل آنالوگ به دیجیتال پایپ لاین برای کاربردهایی همچون سیستم های ارتباطی دیجیتال، سیستم های صوتی و غیره کارآمدتر است. معماری های متفاوتی برای طراحی مبدل آنالوگ به دیجیتال پایپ لاین وجود دارد که هر کدام با توجه به تعداد بیت درون هر طبقه و سرعت کلی مبدل ویژگی های متفاوتی دارند. یکی از مهم ترین چالش ها در طراحی مبدل آنالوگ به دیجیتال پایپ لاین ، اثرات غیر خطی ناشی از المان های موجود در مدارات آنالوگ است که باعث تضعیف مشخصه های مبدل خصوصا snr و sfdr می گردد و متناسب با این اثرات، بخشی از کدهای دیجیتال خروجی گم شوند. در این پایان نامه ابتدا مشخصه های مهم یک مبدل ارائه شده است و سپس معماری جدیدی از مبدل آنالوگ به دیجیتال پایپ لاین با نام radix-4 بر اساس خطاهای بخش آنالوگ مدل سازی شده است. رابطه ورودی و خروجی هر طبقه از مبدل نیز بر اساس خطای المان های مداری تخمین زده شده است. در روشی جدید مشخصه های دینامیکی و استاتیکی از جمله inl و snr بر اساس خطاهای تصادفی با توزیع گوسین، میانگین صفر و انحراف استاندارد ترم خطا محاسبه شده است . خطای های وابسته به عوامل غیر ایده آل مداری در بخش آنالوگ با استفاده از فیلترهای تطبیقی و سری های ولترا با الگوریتم های متفاوتی همچون lms و nlms کالیبره شده اند. خطای موجود در مبدل آنالوگ به دیجیتال پایپ لان خطاهای آفست مقایسه گرها، آفست آپ امپ، گین محدود آپ امپ، عدم تطبیق خازن ها و خطا ی گین غیر خطی آپ امپ و غیره می باشند. در مراحل بعد با استفاده از یک روش جدید خطاهای خطی و غیر خطی تخمین زده شده اند و فیلتر دیجیتال متناسب با آن ها طراحی شده است. خطای غیر خطی با روشی جدید از بین می روند و خطاهای خطی با استفاده از فیلتر های تطبیقی طراحی شده متناسب با این نوع مبدل تصحیح می شوند . برای تخمین ضرایب مرتبه اول و مرتبه سوم فیلتر طراحی شده در کنار الگوریتم های موجود از یک الگوریتم جدید به نام -nlms استفاده شده است. نمونه تحت کالیبراسیون دارای 9 طبقه است، در طراحی فیلتر تطبیقی از مبدل کم سرعت سیگما-دلتا بیتی استفاده می شود. فرکانس نمونه برداری 100mhz و قبل از کالیبراسیون با وجود تمام خطاها در تمام طبقات پارامترهای استاتیک عبارتند از inl=23 lsb وdnl=2.4lsb و همچنین پارامترهای دینامیک برابرند با: snr=31db، sfdr=34db و5bit enob=. بعد از مراحل مختلف کالیبراسیون پارامترهای استاتیک، inl=0.26lsb و 0.17lsbdnl= می باشد. پارامترهای دینامیک مبدل بعد از کالیبراسیون برابرند با: snr=92db، sfdr=74db، enob=15bit.

مبدل ماتریسی شش فازه آرایه ای از 3×6 کلید دو طرفه است، که ارتباط مستقیمی بین سه فاز منبع تغذیه (ورودی) و موتور شش فازه (خروجی) ایجاد می کند. این ساختار فاقد عناصر حجیم و سنگین ذخیره کننده انرژی مانند خازن و سلف است. مبدل ماتریسی گزینه بسیار خوبی برای صنایع نظامی، هوا فضا و دریایی (کاربردهای نیازمند قابلیت اطمینان و کنترل پذیری بالا و نیز حجم و وزن کم) است. یکی از مسایل مهم طراحی درایو بحث مقابله با خطا و عکس العمل درایو در مقابل خطاست. یکی از خطاهای معمول در درایوها آسیب دیدن کلیدهای نیمه هادی آن است که می تواند به صورت اتصال کوتاه و یا اتصال باز شدن دو سر کلید رخ دهد. با توجه به تعداد زیاد کلیدهای به کار رفته در مبدل ماتریسی شش فازه که شامل 18 عدد کلید دوطرفه است، تشخیص رخداد خطا و شناسایی نوع و قطعه معیوب و نیز ارائه راهکار اصلاحی مقاوم در برابر خطا برای آن بسیار حائز اهمیت است. در این پژوهش خطای اتصال باز شدن کلیدهای مبدل ماتریسی مورد بررسی قرار گرفته است و ضمن ارائه یک راهکار مقاوم در برابر خطا، یک روش تشخیص خطا نیز برای آن تعمیم داده شده است. این راهکار بر اساس اصلاح دامنه و فاز جریانهای تزریقی به پنج فاز سالم موتور شش فازه استوار است، به گونه ای که گشتاور تولیدی موتور در حالت خطا مشابه با شرایط بدون خطا باشد. برای رسیدن به این هدف، باید نول موتور به نول تغذیه متصل شود، لذا باید اتصال نول موتور در دسترس باشد. این روش تنها به یک کلید اضافه نیاز دارد.

سلول خورشیدی باند میانی برای افزایش بازده تبدیل انرژی سلول خورشیدی تک پیوندی ارائه شد. سلول خورشیدی باند میانی با قرار دادن نیمه هادی باند میانی بین دو امیتر p و n ساخته می شود. نیمه هادی باند میانی دارای یک باند الکترونی در گاف انرژی است که این باند با قرار دادن خال های کوانتومی (inas) به عنوان ماده ی مهمان در ماده ی میزبان (gaas)، شکل می گیرد. این باند سبب می شود فوتون های با طول موج بالا که از سلول معمولی تک پیوندی عبور می کردند جذب شوند. گسترش طیف جذب فوتون موجب افزایش تولید چگالی حامل های نوری و در نتیجه افزایش چگالی جریان نور می-شود. در این تحقیق سلول های خورشیدی باند میانی در دو حالت بدون تزریق و با تزریق لایه ی باند میانی(بیس) و سلول خورشیدی pin تک پیوندی تجزیه، تحلیل و شبیه سازی شدند. برای شبیه سازی از مدل دریفت-دیفیوژن یک بُعدی (1-d) استفاده شده است. معادلات دریفت- دیفیوژن با روش عددی نیوتن به کمک نرم افزار matlab با در نظر گرفتن پارامترهای متفاوت با کارهای قبلی به عنوان مجهول، حل شدند. بررسی دقیق و انتخاب مناسب پارامترهای سلول نشان داد که برای هر دو حالت سلول باند میانی بدون تزریق و با تزریق بیس، بازده از سلول pin بیشتر بدست می آید. نتایج شبیه-سازی سلول باند میانی بدون تزریق و با تزریق لایه ی بیس بررسی و با یکدیگر مقایسه شدند و بهینه سازی بازده سلول به کمک تزریق لایه ی بیس مورد تایید قرار گرفته است.

بررسی عملکرد یک عنصر نیمه هادی بدون ساختن آن تنها با شبیه سازی رفتار آن میسر می-شود. هدف از این تحقیق شبیه سازی عددی سلول های خورشیدی چند پیوندی به کمک دسته معادلات دریفت- دیفیوژن به منظور بررسی مشخصه های درونی این گونه سلول ها از جمله توزیع حامل های بار الکتریکی و بار کل فضا، توزیع میدان و پتانسیل الکتریکی درونی، ساختار باند هدایت و همچنین بررسی مشخصات خروجی آن ها از قبیل منحنی ولتاژ- جریان، منحنی ولتاژ- توان، جریان اتصال کوتاه، ولتاژ مدار باز و ... است. ابتدا به معرفی ساختارهای گوناگون سلول های خورشیدی و روش های افزایش بازده تبدیل آن ها پرداخته شده است. سپس مدل دریفت- دیفیوژن معرفی شده و الگوریتم های گوناگون برای حل این مدل مورد بررسی قرار خواهد گرفت که از بین آنها الگوریتم گامل برای شبیه سازی مورد نظر انتخاب شده است. این الگوریتم برای ادوات نیمه هادی در ابعاد میکرومتر به خوبی عمل می-کند. در این الگوریتم برای حل معادلات مدل دریفت- دیفیوژن از روش جای گذاری lu استفاده شده است. در مرحله بعد الگوریتم گامل با استفاده از نرم افزار matlab پیاده سازی شده است. به منظور بررسی صحت و میزان دقت نرم افزار شبیه ساز چندین سلول خورشیدی که عملکرد آن ها قبلاً به صورت تجربی یا شبیه سازی بررسی شده اند، شبیه سازی شده؛ به این صورت که ابتدا یک پیوند p-n ساده و پس از آن دو سلول تک پیوندی si و gaas به ترتیب با ساختارهای n+-p-p+ و p-n-n+ برای کاربردهای زمینی و فضایی و سرانجام یک سلول دو پیوندی gaas/ge شبیه سازی شده اند. مقادیر حاصل از این شبیه سازی ها نشان دهنده عملکرد مطلوب این شبیه ساز است. همچنین نتایج نشان می دهد که شبیه ساز طراحی شده برای بررسی عملکرد سلول های خورشیدی با ابعاد میکرو به لحاظ دقت و صحت، بسیار مناسب است

در این پایان نامه، مدل سازی و شبیه سازی یک سلول خورشیدی چاه کوانتومی gaas/algaas با یک چاه (sqwsc)، بر پایه ی روش مونت کارلو انجام شده است. روش مونت کارلو با امکان بکارگیری هرگونه رابطه ی فیزیکی موجود بر حرکت ذرات در ماده، مشاهده ی پدیده هایی همچون انرژی ذرات در چاه کوانتومی و دیگر نقاط افزاره را ممکن ساخته است. تکیه این کار بیشتر بر استخراج مشخصه هایی از سلول می باشد که به راحتی و با روش های شبیه سازی عددی معمول مانند حل معادلات دریفت-دیفیوژن و یا هیدرودینامیک قابل مشاهده نیستند. به کمک روش مونت کارلو رصد کردن حامل ها، به عنوان کوچکترین بخش بوجود آورنده ی جریان خروجی سلول، ممکن شده است. از این رو امکان بررسی پدیده هایی مانند فرار گرمایی و یا تونل زنی حامل ها از چاه کوانتومی که باعث عبور جریان می شوند و تعیین سهم هر کدام به راحتی امکان پذیر می شود. به منظور مقایسه و بررسی کارایی روش، ابتدا مدل برای سلول p-n و p-i-n آزمایش شده است، سپس سلول به چاه کوانتومی تبدیل شده و روابط برای گاز الکترونی شبه دو بعدی (2deg) برای حل مسئله ی حرکت حامل در چاه در نظر گرفته شده اند. در بدست آوردن ترازهای انرژی موجود در چاه کوانتومی و تابع موج حامل ها در چاه روش ماتریس انتقالی (tmm) مورد استفاده قرار گرفته است. شبیه سازی ها به وسیله ی نرم افزار matlab انجام شده است.

سلول خورشیدی فیلم نازک cigs یکی از بهترین انتخاب ها برای تبدیل انرژی خورشید به الکتریسیته می باشد، به دلیل اینکه ثابت جذب لایه جاذب آن تقریبا 5^10است و همچنین گاف انرژی آن می تواند از ev 1/02 تا 68/1 تغییر کند. در این پایان نامه برای شبیه سازی از مدل نفوذ-رانش یک بعدی استفاده شده است. معادلات نفوذ-رانش به روش عددی گامل به کمک نرم افزارهای matlab و silvaco حل شده اند. در ابتدا نحوه انتقال حامل های تولید شده در این نوع سلول ها و عواملی که موجب محدودیت کارایی سلول می شوند، مورد بررسی قرار گرفته است. از آن جایی که در این دسته سلول ها به دلیل ضخامت کم لایه جاذب فاصله ی بین اتصال پشتی و ناحیه تخلیه ناچیز است، نور بیشتری به اتصال پشتی می رسد و بازترکیب در این ناحیه مکانیسم تلفات اصلی در سلول می باشد. از این رو راه کارهایی جهت دور کردن حامل ها از اتصال پشتی سلول همچون تدریجی کردن گاف انرژی مورد ارزیابی قرار گرفته است. همچنین در این تحقیق روشی جدید برای بهینه سازی عملکرد سلول ارائه شده است. اساس این روش افزایش ناخالصی بخشی از لایه جاذب است که اثر آن در ضخامت های مختلف جاذب مورد بررسی قرار گرفته است. در شبیه سازی سلول cigs در دمای k 300 با گاف انرژی بهینه، voc=0/639 v jsc=34/68 ,ff=78/92و راندمان 51/17%، و در شبیه سازی سلول بهبود یافته، voc=0/827 v jsc=30/35,ff=82/71 و راندمان 62/20% بدست آمده است که نسبت به سلول پایه 11/3% بهبود یافته است.

مطالعات ارائه شده طی دهه 80 توسط محققان نشان می دهد ساخت بزرگراه با بسط جاده های دوطرفه و انجام اقدامات ایمنی اثر مهمی در کاهش تصادفات جاده ای داشته است. مسیر اهواز، حمیدیه در دهه گذشته تغییراتی را گذرانده و با پیشرفت های اقتصادی و شهری از جمله زمینه های کشاورزی، گسترش توسعه شهری، کاوشهای نفتی و سایت های صنعتی، از یک جاده کم اهمیت با دسترسی محلی به مسیر مهم ارتباطی مرکز استان با مرزهای بین المللی کشور همسایه تبدیل شده است که باعث تغییر الگوی ترافیک و حجم مسافر و حمل و نقل کالا شده است. هدف از این پایان نامه، تجزیه و تحلیل درجه اثرسنجی ساخت بزرگراه و ایمن سازی در کاهش تصادفات جاده ای است. اطلاعات ترافیکی از مرکز پلیس راه استان، برای دوره هفت ساله از سال 1390 - 1384 (دوره های پیش توسعه و توسعه) جمع آوری شده و داده ها مبتنی برهر دو دوره به عنوان اطلاعات اصلی مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرند و نتایج راه حل های جامعی را شناسایی می کنند که می توانند برای برنامه های توسعه در جاده های مشابه استفاده شوند. با مقایسه دوره های توسعه و پیش توسعه نتیجه گیری می شود فراوانی تصادفات به طور میانگین حدود 50 درصد، تعداد افراد متوفی 30 درصد و مجروحین 66 درصد کاهش داشته است. هزینه تصادفات این محور در کل دوره مطالعات (90-84) بر مبنای سال 91، مبلغ 2604 میلیارد ریال بوده که 12 برابر هزینه ایمن سازی (210 میلیارد ریال) و 6 برابر هزینه ایمن سازی و هزینه تعمیر و نگهداری جاده طی 20 سال (451 میلیارد ریال) می باشد. در دوره دوم علاوه بر کاهش تصادفات و افزایش راحتی رانندگی، سالانه حدود 220 میلیارد ریال صرفه جویی اقتصادی به همراه دارد. با تحلیل انجام شده، جهت کاهش بیشتر تصادفات می توان اقداماتی از قبیل نصب تجهیزات ایمنی مناسب به صورت استاندارد، تامین سیستم روشنایی، اصلاح هندسی جاده و ایمن سازی تقاطع ها، دوربرگردان ها و راههای دسترسی انجام داد.

دریک سلول خورشیدی pn که ازجنس سیلیکون ساخته شده، حدود30 درصد از نور خورشیدی که به آن تابیده شده است، به آسمان منعکس می شود. میزان بازتاب نور از سطح سلول به طول موج فوتون تابیده شده بستگی دارد. تاکنون در معادله ی نرخ تولید الکترون و حفره ناشی از تابش فوتون به سطح سلول خورشیدی و سپس محاسبه ی چگالی جریان ناشی از تولید این حامل ها، از بازتاب نور از سطح سلول خورشیدی صرف نظر، یا اینکه بازتاب سطحی نور عددی ثابت فرض و چگالی جریان اتصال کوتاه و دیگر پارامترهای سلول خورشیدی مستقل از بازتاب نور از سطح سلول خورشیدی محاسبه شده است. در این تحقیق ابتدا یک سلول خوشیدی pn، همانند مطالعات گذشته با صرف نظر از ترم بازتاب در معادله ی نرخ تولید حامل ها ی نوری، تحلیل و شبیه سازی گردید، سپس ترم بازتاب، در معادله ی نرخ تولید حامل های نوری وارد شد و بار دیگر سلول خورشیدی شبیه سازی و با حالت قبل مقایسه گردید. به عبارت دیگر اثر بازتاب سطحی نور مستقیماً وارد معادله ی نرخ تولید الکترون و حفره شد. این موضوع سبب کاهش چگالی نرخ تولید الکترون- حفره و در نتیجه کاهش چگالی جریان تقریباً به نصف حالت قبل گردید، که با توجه به رابطه ی نرخ تولید الکترون- حفره منطقی بود. برای شبیه سازی از مدل دریفت- دیفیوژن یک بعدی (1-d) استفاده شد و هر دو بازترکیب نوری و غیرنوری در نظر گرفته شده و معادلات دریفت- دیفیوژن با روش عددی گامل حل شدند. سپس یک پوشش ضد بازتاب به منظور جلوگیری از بازتاب فوتون ها از سطح سلول خورشیدی و ایجاد تله گذاری نور برای ساختار قبل تحلیل، طراحی وشبیه سازی گردید. در این حالت نیز در معادله ی نرخ تولید حامل های نوری، ترم بازتاب در نظر گرفته شد. این شبیه سازی نیز نشان داد که پوشش ضد بازتاب باعث شده است که کاهش نرخ تولید الکترون- حفره و در نتیجه کاهش چگالی جریان ناشی از اعمال ترم بازتاب در معادلات، تا حد زیادی جبران سازی شود. در شبیه سازی پوشش ضد بازتاب از دی اکسید سیلیکون، دی اکسید تیتانیوم ونیترید سیلیکون استفاده شد. سپس بهینه سازی پوشش ضد بازتاب انجام شد. نتایج شبیه سازی ها نشان داد که اعمال ترم بازتاب در معادله ی نرخ تولید، باعث کاهش چگالی جریان سلول می شود و افزودن پوشش ضد بازتاب و بهینه سازی آن برای جبران سازی کاهش چگالی جریان ناشی از اعمال بازتاب نور در معادله ی نرخ تولید، روشی موثر می باشد. لازم به ذکر است که کلیه ی شبیه سازی ها در محیط نرم افزار متلب انجام شدند.

سلول های خورشیدی کادمیوم تلوراید، جزء نسل دوم سلول های خورشیدی فیلم نازک محسوب می شوند که دارای بازده ی تئوری 30-28% می باشند. در این تحقیق ابتدا، رفتار سلول با در نظر گرفتن سه لایه ی اصلی جاذب نور، پنجره و لایه ی اکسید رسانای شفاف مورد بررسی قرار گرفته است. در ابتدا ضخامت لایه پنجره مورد بررسی قرار گرفته است. که به ازای ضخامت ?m 0.5 لایه ی اکسید رسانای شفاف، ?m 0.1 ضخامت لایه ی جاذب نور و ?m 0.02 لایه ی پنجره به بازده ی 18.29% دست یافته ایم. یکی دیگر از روش های بهبود بازده، مدرج کردن لایه ی جاذب نور می باشد که در سلول مورد بررسی به جای داشتن شکاف باند ثابت کادمیوم تلوراید ( ev1.5) شکاف متغیر خواهیم داشت. در این بررسی مقدار قابلیت تحرک الکترون و حفره ها ثابت در نظر گرفته شده است. نتیجه ی بدست آمده مشخص می کند اگر انتهای لایه ی جاذب نور شکاف باندی برابر با ev 1.9 داشته باشد به بیشترین مقدار بازده 20.11% می رسیم. سپس مقدار متغیر قابلیت تحرک الکترون-حفره ها نیز در نظر گرفته شده است. در این حالت جریان نسبت به قبل افزایش می یابد که باعث بهبود بازده به حدود 21.85% می شود.

در این پایان نامه، در ابتدا معادلات حاکم بر ساختار فراپیوند یک سلول خورشیدی فیلم نازک ‏cds/cdte‏ به کمک مدل دریفت- دیفیوژن و روش گسسته سازی تفاضل محدود در نرم افزار ‏matlab‏ مدل سازی شده اند. ساختار این قطعه ابتدا در حالت تاریک و سپس تحت تابش طیف ‏am1.5‎‏ شبیه سازی شده است. به منظور کسب اطمینان از مدل ارائه شده، این قطعه بار دیگر توسط ‏نرم افزار ‏silvaco tcad 2010‎‏ مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. با توجه به اهمیت جنبه ی ‏اقتصادی در تکنولوژی ساخت سلول های خورشیدی و لزوم دست یابی به سلول های کم هزینه، امکان ‏کاهش ضخامت لایه ی ‏cdte‏ مورد بررسی قرار گرفته است. در بخش بعدی این شبیه سازی از اضافه ‏کردن لایه ی ‏bsf‏ به ساختار پایه ی سلول به عنوان راهکاری برای غلبه بر اثر بازترکیب سطحی ‏استفاده شده است. به منظور افزایش ولتاژ مدار باز سلول ‏cdte‏ دو راهکار اصلی شامل افزایش طول ‏عمر الکترون های اقلیت و افزایش ناخالصی نوع ‏p‏ حامل ها در این نیمه رسانا ابتدا به صورت تکی و ‏سپس به طور تلفیقی دنبال شده اند. بر اساس نتایج، دست یابی به ولتاژ مدار بازی حدود ‏v‏ 1.07 با ‏افزایش هم زمان دو فاکتور چگالی حامل ها و طول عمر الکترون های اقلیت امکان پذیر خواهد بود. ‏استفاده ی هم زمان از فاکتورهای بررسی شده، یعنی افزودن لایه ی ‏bsf، افزایش چگالی ناخالصی و ‏طول عمر حامل ها در نیمه رسانای ‏cdte‏ نتایج بسیار خوبی را از نقطه نظر جریان اتصال کوتاه، ولتاژ ‏مدار باز سلول و... به دنبال خواهند داشت. این تحقیق الگوریتمی جدید برای ارزیابی عددی این ‏فاکتورها و بهینه سازی پارامترهای یک سلول خورشیدی ‏cds/cdte‏ ارائه می کند. ‏

در سال های اخیر با عرضه نمایشگرهای نوین نظیر تلویزیون های hd برای نمایش تصاویر با تفکیک بالا ، نیاز به فراهم آوردن تصاویر با تفکیک بالا بیش از پیش احساس می شود. در این رابطه دو راهکار وجود خواهد داشت: 1- استفاده از دستگاه های تصویربرداری کیفیت بالا که نیازمند صرف هزینه ای گزاف است 2- استفاده از دستگاه های تصویربرداری تفکیک پایین و در مقابل، بهره گیری از روش فراتفکیک پذیری برای ایجاد نرم افزاری تصاویر تفکیک بالا که روشی ارزان است. در واقع فراتفکیک پذیری به تکنیکی گفته می شود که از ترکیب اطلاعات غیرتکراری در تعداد زیادی تصویر با تفکیک پذیری پایین یک تصویر با کیفیت بالا می سازد. روش های اولیه ی فراتفکیک پذیری مبتنی بر تعیین حرکت بین تصاویر استوار بودند. با توجه به پیچیدگی حرکت بین تصاویر واقعی، این تکنیک ها عملاً کارایی چندانی نداشتند. با پدید آمدن الگوریتم های جدید مستقل از تخمین صریح حرکت، فراتفکیک پذیری برای گستره وسیع تری از رشته های ویدئویی قابل استفاده شد و به همین دلیل در سال های اخیر بیش از پیش جنبه تجاری و صنعتی پیدا کرده است. الگوریتم فراتفکیک پذیری مبتنی بر میانگین های غیرمحلی تعمیم یافته از جمله این الگوریتم های جدید می باشد. این الگوریتم در ابتدا برای نویززدایی مطرح شد که طی آن شدت هر پیکسل از میانگین وزن دار یک همسایگی آن پیکسل محاسبه می شد. در الگوریتم تعمیم یافته ، برای تعیین شدت هر پیکسل از میانگین وزن دار یک همسایگی آن پیکسل در همان فریم و سایر فریم های یک رشته ویدئویی استفاده می شود. با در نظر گرفتن اثر کاهش مقیاس و مات شدگی در الگوریتم تعمیم یافته ، روش فراتفکیک پذیری مبتنی بر میانگین های غیرمحلی تعمیم یافته حاصل می شود. با توجه به آنکه در الگوریتم موجود، بخش مات زدایی به خوبی مورد بررسی قرار نگرفته است، این پایان نامه با اعمال روش مات زدایی تفکیک شده تکراری از الگوریتم تطبیق بلوک سه بعدی، کارایی آن را بهبود می بخشد. نتایج به دست آمده، برتری روش پیشنهادی نسبت به روش پیشین را نشان می دهد.

هدف از این پژوهش طراحی، شبیه سازی و سنتز فیلترهای وفقی پاسخ ضربه نامحدود(iir) دو بعدی با استفاده از زبان توصیف سخت افزاری vhdl جهت پیاده سازی روی تراشه fpga می باشد. در این طرح از قابلیت ذاتی فیلتر iir در رسیدن به پاسخی معادل فیلترهای fir با تعداد ضرایب کمتر، و درنتیجه کاهش سطح سخت افزاری ، افزایش فرکانس کاری و کاهش توان مصرفی جهت پیاده سازی و کاربردهای سخت افزاری استفاده می شود. برای این منظور روش فرمول بندی خطای معادله جهت حفظ پایداری فیلتر در طول عمل تطبیق و الگوریتم وفقی lms به منظور تطبیق ضرایب بکار گرفته می شود. ابتدا یک فیلتر وفقی iir یک بعدی طراحی ، شبیه سازی و سنتز می شود و عملکرد آن برای کاربردهای حذف نویز وفقی و شناسایی معکوس سیستم ارزیابی می شود. نتایج شبیه سازی و سنتز توانایی فیلتر وفقی iir را جهت حذف اغتشاش و شناسایی درست ضرایب سیستم ناشناس تایید می کند. در طراحی فیلترهای وفقی iir دو بعدی، معادله ی سیستمی این فیلترها به صورت مخرج قابل تفکیک، جهت دستیابی به ساختارهای یک بعدی وفقی و داشتن کنترل بیشتر بر روی قطب های سیستم تقریب زده می شود. نتایج به دست آمده صحت عملکرد فیلترهای وفقی iir دو بعدی قابل تفکیک با مرتبه 1×1 را جهت حذف نویز گوسی از تصاویر دیجیتال تایید می کند و در ادامه فیلترهای وفقی iir دو بعدی با مرتبه 2×2 و ساختار غیر قابل تفکیک با استفاده از الگوریتم دو بعدی lms برای حذف نویز گوسی طراحی، شبیه سازی و سنتز می شوند که در مقایسه با ساختارهای قابل تفکیک مقدار سیگنال به نویز بیشتری را نشان می دهند. برای بهینه سازی سخت افزاری معماری های ارائه شده و افزایش ماکزیمم فرکانس کاری از تکنیک هایی نظیر ماژول های محاسباتی خط لوله، الگوریتم dlms و کاهش مسیرهای بحرانی، استفاده می شود. همچنین برای کاهش نویز مربوط به کوانتش ضرایب و در نتیجه افزایش معیار سیگنال به نویز روش حساب ممیز شناور به کار گرفته می شود. در این پژوهش برای مدلسازی و شبیه سازی از نرم افزار های سنتز xlinx و quartus، شبیه ساز modelsim و همچنین دو نرم افزار مطلب و c# استفاده شده است.در پایان فیلترهای وفقی iir طراحی شده روی یک بورد سخت افزاری fpga از خانواده spartan3 پیاده سازی شده و صحت عملکرد آنها تایید می شود.

در این پژوهش، از یک مدل مونت کارلو دو دره ای برای شبیه سازی اتصال شاتکی استفاده شده است. در مدل ارائه شده، پراکندگی های ناخالصی و فونونی درنظر گرفته شده اند و یونیزاسیون برخوردی در ماتریس پراکندگی قرار گرفته است. باندهای انرژی غیرسهموی فرض شده اند و سازوکارهای تونل زنی و گسیل گرمایونی مولفه های جریانی هستند. با اضافه کردن یک لایه نازک غیر هم نوع با نیم رسانا نشان داده شده است که شکل گیری یک میدان الکتریکی مخالف با جهت حرکت الکترون در مرز اتصال باعث افزایش ارتفاع موثر سد شاتکی می شود. با تغییر چگالی غلظت ناخالصی این لایه نازک تغییر ارتفاع موثر سد شاتکی و در نتیجه جریان گذرنده شبیه سازی شده است. مقایسه نتایج بدست از شبیه سازی با داده-های معتبر علمی، درستی کارکرد مدل ارائه شده را تایید می کند.

هدف از این تحقیق شبیه سازی عددی آشکارساز های نوری ?"hg" ?_"1-x" ?"cd" ?_"x" "te" به کمک دسته معادلات رانش-نفوذ به منظور بررسی مشخصات درونی از جمله توزیع حامل های بار الکتریکی و بار کل فضا، توزیع میدان، ساختار تراز هدایت و تراز ظرفیت است؛ این شبیه سازی همچنین بررسی مشخصات خروجی آشکارساز نوری از قبیل منحنی ولتاژ جریان، منحنی آشکارسازی، جریان تاریک، بازده کوانتومی و غیره می پردازد. در ابتدا به معرفی مدل رانش-نفوذ پرداخته شده است و سپس برای حل مدل رانش-نفوذ از الگوریتم گامل استفاده شده است. این الگوریتم برای ادوات نیمه هادی در ابعاد میکرومتر به خوبی عمل می کند. در شبیه سازی های انجام شده اثر تونل زنی، باز ترکیب اوژه و شاکلی-رید-هال در نظر گرفته شده است؛ برای بالا بردن دقت شبیه سازی، اثر تغییرات دمایی نیز لحاظ شده است. شبیه سازی در محیط برنامه نویسی matlab انجام شده و نتایج به دست آمده از مدل با داده های معتبر علمی مقایسه شده است. این مقایسه نشان دهنده ی عملکرد مطلوب این شبیه ساز است. همچنین نتایج نشان می دهد که شبیه ساز طراحی شده برای بررسی عملکرد آشکارسازهای نوری با ابعاد میکرو متر به لحاظ دقت و صحت، بسیار مناسب است.

ترانزیستورهای اثر میدانی فراپیوندی مبتنی بر gan جایگاه ویژه ای در کاربردهای مایکروویو توان بالا دارند. در همین راستا، مدل سازی و افزایش جریان خروجی و توان خروجی در فرکانس های مایکروویو اهمیت بسیاری دارد. در اغلب موارد اثر الکترون انتقالی در مدل سازی مشخصه ی جریان- ولتاژ hfetهای مبتنی بر نیمه هادی های iii-nitride نادیده گرفته می شود. در gan بالازدگی سرعت رانش الکترون و گاف انرژی، در مقایسه با سایر نیمه هادی ها مانند gaas و inp، بیش تر است. به همین دلیل در این گونه ترانزیستورها ضرورت اعمال این اثر در شبیه سازی رفتار جریان- ولتاژ بیش تر می باشد. در این پژوهش، مدلی برای سرعت الکترون با در نظر گرفتن تحرک منفی و بالازدگی سرعت حامل ها ارائه شده است و در مدل سازی دقیق مشخصه ی جریان- ولتاژ این ترانزیستورها و اعمال اثر الکترون انتقالی از این مدل سرعت رانش الکترون ها استفاده شده است. معادله ی پواسون و پارامترهای جریان نفوذی هسته ی اصلی حل عددی مشخصه می باشد. برای سنجش مدل ارائه شده، نتایج شبیه سازی با نتایج به دست آمده با مدل ridely که توصیف ساده ای از سرعت رانش الکترون ارائه می دهد، مقایسه شده است.

در این پژوهش رفتار حامل ها به ازای تحریک نوری با کمک رابطه های بقای انرژی، اندازه حرکت و بار الکتریکی که با نام معادله هیدرودینامیک شناخته می شوند، در حالت ماندگار شبیه سازی شده است. رابطه ها برای پیوند pn از جنس سیلیسیم تشکیل شده و در آنها زمان واهلش حامل ها بر اساس تحرک پذیری میدان ضعیف، و ضریب رسانش گرمایی به صورت تابعی از رسانش الکتریکی انتخاب شده اند. برای حل معادله ها از روش تفاضل محدود، برای گسسته سازی رابطه های غیر خطی، از روش مشتق گیری آپویند و برای خطی سازی و حل رابطه ها از روش نیوتن-رافسون استفاده شده است. برای اطمینان از درستی مدل و روش حل، درآغاز ساختار تک حاملی nin که به دیود بالستیک مشهور شده، شبیه سازی شده و با نتایج معتبر مقایسه شده است. مقایسه نتایج این شبیه سازی با مدل مونت کارلو نشان می دهد که مدل ارائه شده با انتخاب ضریب رسانش مناسب می تواند رفتار افزاره را با دقت مناسبی پیش بینی کند. برای شبیه سازی پیوند pn بازترکیب های اوژه و شاکلی-رید-هال و یونیزاسیون برخوردی به مدل اضافه شده اند. آشکارساز نوری pn به ازای تحریک نوری در ولتاژهای گوناگون شبیه سازی شده و نتایج بدست آمده با نتایج شبیه سازی و عملی موجود مقایسه شده اند و تطابق خوبی دارند. روش ارائه شده سرعت همگرایی خوبی برای ساختارهای تک حاملی دارد، اما برای ساختارهای دوحاملی بخاطر شیب تند چگالی حامل ها در محل پیوند و سازوکارهای تولید و بازترکیب، همگرایی آهسته خواهد بود، بخصوص در شبیه سازی در حوزه زمان که برای هر پله زمانی یک همگرایی لازم است.

در این پژوهش با استفاده از معادله های رانش- نفوذ به شبیه سازی آشکارساز نوری فلز- نیم رسانا- فلز پرداخته شده است. دسته معادله های پواسون، پیوستگی چگالی الکترون و پیوستگی چگالی حفره در نظر گرفته شده و با بهره گیری از فن نیوتن- رافسون، به طور هم زمان حل شده اند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مدل ارائه شده می تواند پاسخ افزاره به تابش نور را به ازای دو حالت ایستا و پویا محاسبه کند. نتیجه های به دست آمده از شبیه سازی نشان می دهد که شدت میدان الکتریکی در عمق افزاره کم است و باعث می شود که حفره های تولید شده در عمق آشکارساز به کندی حرکت کنند. در نتیجه پاسخ زمانی افزاره به پالس نوری کند می شود و پهنای باند آشکارساز کاهش می یابد.

سلول خورشیدی فیلم نازک inpیکی از بهترین انتخاب¬ها برای تبدیل انرژی خورشید به الکتریسیته می¬باشد؛ به دلیل ثابت جذب بالای این نیمه‏هادی( تقریبا? )،شکاف انرژی مستقیم ، مقاومت تابشی بالا و دمای تابکاری کم از بهترین گزینه‏ها در کاربردهای فضایی محسوب می‏شود. در این پایان نامه برای شبیه¬سازی از مدل نفوذ-رانش یک بعدی استفاده شده است. معادلات نفوذ-رانش به روش عددی گامل به کمک نرم¬افزارهای matlab و silvaco حل شده¬اند. در ابتدا نحوه انتقال حامل¬های تولید شده در این نوع سلول¬ها و عواملی که موجب محدودیت کارایی سلول می¬شوند، مورد بررسی قرار گرفته است. از آن جایی که در این دسته سلول¬ها به دلیل ضخامت کم لایه جاذب فاصله¬ی بین اتصال پشتی و ناحیه تخلیه ناچیز است، نور بیشتری به اتصال پشتی می¬رسد و بازترکیب در این ناحیه مکانیسم تلفات اصلی در سلول می¬باشد. از این رو راه¬کارهایی جهت دور کردن حامل¬ها از اتصال پشتی سلول همچون افزودن لایه‏ی پنجره‏ای و bsfبه ساختار مبنا و تدریجی کردن شکاف انرژی لایه‏ی پنجره‏ای مورد ارزیابی قرار گرفته است. در شبیه¬سازی سلول inpدر دمای k 300 با شکاف انرژیev1/35، v853/0voc=، 51/33jsc=، 18/82ff= و راندمان 51/23%، و در شبیه¬سازی سلول پیشنهادی ، v019/1voc=، 43/34jsc=، 88/86ff= و راندمان 5/30% بدست آمده¬ است که نسبت به سلول پایه 99/6% بهبود یافته است.

بنادر به عنوان دروازه تجارت جهانی برای کشورها محسوب می شود. با توجه به پدیده جهانی سازی و پیشرفت روزافزون سامانه های زنجیره ی لجستیکی توزیع کالا، بنادر پیشرفته نقش مهمی در رشد اقتصادی و رقابت در کشورها و منطقه خود دارد. اما از آنجایی که زمان ترخیص کالا در اکثر بنادر کشورهای در حال توسعه به نسبت کشورهای توسعه یافته بالاتر می باشد، هوشمند سازی بنادر ایران نیز همانند بنادر تجاری و پیشرفته جهان اهمیت پیدا می کند. میزان رسوب کالا در بنادر داخلی و از جمله بندر امام خمینی(ره) در سال 1390 حدود 3.2 میلیون تن برآورد شده است. در بنادر پیشرفته از تکنولوژی های نوین «rfid» و «gis» برای هوشمند سازی فرآیند نقل و انتقال کالا استفاده می شود. برای شناسایی اولویت مزیت ها و پیاده سازی تکنولوژی های هوشمند «rfid» و «gis» در بندر امام خمینی(ره)، پرسشنامه ای طبق معیارهایی همچون ترخیص به موقع کالا، کاهش هزینه های انبارداری کالا، کاهش هزینه سوخت (گازوئیل)، بهینه سازی مدیریت موجودی کالا و بهبود ارائه اطلاعات به پرسنل و صاحبان کالا و بر اساس نظر کارشناسان و مدل فرآیند تحلیل سلسله مراتبی «ahp» صورت گرفت. طبق این پرسشنامه، اولویت پیاده سازی تکنولوژی «rfid» (با اولویت 0.53) نسبت به تکنولوژی «gis» (با اولویت 0.47) در بندر امام خمینی(ره) تعیین شد. در صورت استفاده از تکنولوژی های نوین یاد شده در بخش های مختلف بندر امام خمینی(ره) و مکانیزه شدن فرآیند نقل و انتقال کالا و کانتینر در بندر، روند جابجایی کالا و کانتینر از لحظه ورود کشتی تا تحویل به صاحبان آن مکانیزه و هوشمند خواهد شد و با افزایش بهره وری در بخش های مختلف عملیاتی بندر امام خمینی(ره)، میزان رسوب کالا در بندر نیز کاهش خواهد یافت. به طوری که مطابق آمار سال 1390، حدود 734 میلیارد ریال در هزینه های نقل و انتقال کالا در بندر صرفه جویی خواهد شد، که با احتساب رشد سالانه حدود 10 درصد، این رقم در سال 1392 به حدود 881 میلیارد ریال افزایش می یابد.

دریک سلول خورشیدی pn که ازجنس سیلیکون ساخته شده، حدود30 درصد از نور خورشیدی که به آن تابیده شده است به آسمان منعکس می شود. میزان بازتاب نور از سطح سلول به طول موج فوتون تابیده شده بستگی دارد. تاکنون در معادله ی نرخ تولید الکترون و حفره ناشی از تابش فوتون به سطح سلول خورشیدی و سپس محاسبه ی چگالی جریان ناشی از تولید این حامل ها، از بازتاب نور از سطح سلول خورشیدی صرف نظر، یا اینکه بازتاب سطحی نور عددی ثابت فرض و چگالی جریان اتصال کوتاه و دیگر پارامترهای سلول خورشیدی مستقل از بازتاب نور از سطح سلول خورشیدی محاسبه شده است. در این تحقیق ابتدا یک سلول خوشیدی pn، همانند مطالعات گذشته با صرف نظر از ترم بازتاب در معادله ی نرخ تولید حامل ها ی نوری، تحلیل و شبیه سازی گردید، سپس ترم بازتاب، در معادله ی نرخ تولید حامل های نوری وارد شد و بار دیگر سلول خورشیدی شبیه سازی و با حالت قبل مقایسه گردید. به عبارت دیگر اثر بازتاب سطحی نور مستقیماً وارد معادله ی نرخ تولید الکترون و حفره شد. این موضوع سبب کاهش چگالی نرخ تولید الکترون- حفره و در نتیجه کاهش چگالی جریان تقریباً به نصف حالت قبل گردید، که با توجه به رابطه ی نرخ تولید الکترون- حفره منطقی بود. برای شبیه سازی از مدل دریفت - دیفیوژن یک بعدی (1-d) استفاده شد و هر دو بازترکیب نوری و غیرنوری در نظر گرفته شده و معادلات دریفت - دیفیوژن با روش عددی گامل حل شدند. سپس یک پوشش ضد بازتاب به منظور جلوگیری از بازتاب فوتون ها از سطح سلول خورشیدی و ایجاد تله گذاری نور برای ساختار قبل تحلیل، طراحی وشبیه سازی گردید. در این حالت نیز در معادله ی نرخ تولید حامل های نوری، ترم بازتاب در نظر گرفته شد. این شبیه سازی نیز نشان داد که پوشش ضد بازتاب باعث شده است که کاهش نرخ تولید الکترون- حفره و در نتیجه کاهش چگالی جریان ناشی از اعمال ترم بازتاب در معادلات، تا حد زیادی جبران سازی شود. در شبیه سازی پوشش ضد بازتاب از دی اکسید سیلیکون، دی اکسید تیتانیوم ونیترید سیلیکون استفاده شد. سپس بهینه سازی پوشش ضد بازتاب انجام شد. نتایج شبیه سازی ها نشان داد که اعمال ترم بازتاب در معادله ی نرخ تولید،باعث کاهش چگالی جریان سلول می شود و افزودن پوشش ضد بازتاب و بهینه سازی آن برای جبران سازی کاهش چگالی جریان ناشی از اعمال بازتاب نور در معادله ی نرخ تولید، روشی موثر می باشد. لازم به ذکر است که کلیه ی شبیه سازی ها در محیط نرم افزار متلب انجام شدند.

با پیشرفت فناوری cmos سطح ولتاژ منبع تغذیه کاهش و سرعت سوئیچینگ افزایش یافته است. کاهش سطح ولتاژ تغذیه دستیابی به دقت بالا در مبدل های داده ای که در حوزه ی ولتاژ کار می کنند را با مشکل رو برو ساخته است.در مقابل اقزایش سرعت سوئیچینگ موجب کارکرد بهتر مبدل های داده مبتنی بر زمان شده است. در مبدل های داده مبتنی بر زمان, علاوه بر اینکه سیگنال در حوزه ی زمان کوانتیزه می شود, رزولوشن زمانی بهتری نیز حاصل می گردد.بنابراین مبدل های حوزه ی زماندر کاربرد های مختلف مورد توجه بهتری قرار گرفته اند. مبدل های با ساختار دوم مرحله ای به دلیل کارایی بالانر و بهبود برخی از بارامترهای مهم مبدل های حوزه ی زمان مانند رزولوشن زمانی, دقت و غیره از جایگاه ویژه ای برخوردار هستند. در این پایان نامه یک الگوریتم برای طبقه ی دوم مبدل دو مرحله ای, پیشنهاد و مزایای آن مورد بررسی قرار می گیرد. این ساختار پیشنهادی سبب کاهش سخت افزار و بهبود رزولوشن زمانی در مبدل های دو مرحله ای شده است. در طبقه ی اول ساختار پیشنهادی از مبدل زمان به دیجیتال خط تاخیر استفاده شده است. مدار طبقه ی دوم در مبدل پیشنهادی شامل یک سری گیت های منطقی و شمارنده می باشد. برای بررسی ایده ی پیشنهادی, مبدل ارائه شده توسط نرم افزار hspice و matlab شبیه سازی گردید و در مقایسه با نمونه های مشابه در مراجع معتبر, کاهش سخت افزار و بهبود در رزولوشن زمانی آن بررسی و تایید گردید.

به دلیل محدود بودن منبع انرژی گره ها در شبکه های حسگر بی سیم مطالعات زیادی درباره بهینه سازی مصرف انرژی آن ها انجام می شود. از جمله این کارها کلاستربندی یا خوشه بندی شبکه است. در خوشه بندی انتخاب سرخوشه از حساسیت بالایی برخوردار است و پارامترهای مختلفی برای این کار در نظر گرفته می شود. در این مطالعه پارامترهای انرژی باقیمانده هرگره، تعداد دفعات انتخاب شده پیشین به عنوان سرخوشه، فاصله گره از ایستگاه مبنا و چگالی اتصالی گره های پیرامون در نظر گرفته می شوند. مسیریابی بین سرخوشه ها نیز برای جلوگیری از تحمیل اضافه بار به گره هایی که در نزدیکی ایستگاه مبنا هستند، ضروری است. در این الگوریتم، توازن بار هم در خوشه بندی و هم در مسیریابی بین سرخوشه ها اعمال شده است. در خوشه بندی این کار با کنترل اندازه خوشه ها، هم در تعداد هاپ و هم در تعداد اعضای آن ها صورت می پذیرد (برخلاف روش dsbca که صرفاً در تعداد هاپ لحاظ شده بود). به این صورت که به گره هایی که در فواصل نزدیک تر به ایستگاه مبنا هستند، اجازه تشکیل خوشه بزرگ داده نمی شود. چراکه این گره ها، در صورت سرخوشه شدن، وظیفه هدایت داده های سرخوشه های دورتر را بر عهده دارند. توازن بار در مسیریابی سرخوشه ها به این صورت اعمال می شود که هر سرخوشه با انتشار بار خود (که تعداد اعضای خوشه در نظر گرفته می شود) سایر سرخوشه ها را از بار خود مطلع می سازد. پس از آن هر سرخوشه بار واقعی خود (که شامل بار خوشه خود و بار تحمیلی از جانب سایر سرخوشه ها است) را محاسبه و منتشر می کند. هر سرخوشه با دانستن بار، انرژی و فاصله سایر سرخوشه هایی که امکان ارسال داده به آن ها را دارد، یکی را انتخاب نموده و مسیر خود را تشکیل می دهد. برای مقایسه بهتر توازن بار از پارامتر lbf و واریانس بار سرخوشه ها استفاده شده است. lbf تقریبا 60 درصد، واریانس بار سرخوشه ها 30 درصد و واریانس بار سرخوشه های داغ 40 درصد بهبود داده شده ست. همچنین این الگوریتم طول عمر شبکه را نیز بین 10 تا 15 درصد افزایش داده است.

به منظور نظارت بر نحوه گسترش شهر و تغییرات بر محیط زیست، طبقه بندی پوشش زمین یک چالش و همچنین کار ضروری است. در این پروژه روشی ترکیبی جهت بخش بندی و طبقه بندی تصاویر sar نواحی شهری ارائه شده است.برای طبقه بندی این تصاویر، طبقه بندی کننده های knn و svm به کار گرفته شده اند.در روش پیشنهادی، دو دسته ویژگی های نوع اول و ویژگی های نوع دوم برای آموزش طبقه بندی کننده در نظر گرفته شده اند. برای محاسبه ی ویژگی های نوع دوم که تحت عنوان ویژگی های بافت بیان می شود، از ماتریس glcm استفاده شده است. این کار بر روی داده های sar شبیه سازی شده و واقعی انجام شده است. برای داده-های واقعی به دلیل عدم وجود زمین مرجع آنها، تصویر مربوط به مرحله ی آموزش در ابتدا با استفاده از خوشه-بندی fuzzy c-means خوشه بندی شده و درصدی از آنها به عنوان نمونه های آموزشی انتخاب شده اند. پس از انتخاب نمونه های آموزشی و محاسبه ویژگی های مطرح شده، طبقه بندی بر روی تصاویر ارزیابی، انجام شده است.

تقویت کننده های توان ذاتاً غیرخطی هستند و رابطه ی معکوسی بین بازدهی و خطی بودن این تقویت کننده ها وجود دارد. برای دستیابی به بازدهی بالا، تقویت کننده توان در شرایط غیرخطی حتی نزدیک به اشباع کار می کند، این امر سبب بسیاری از اشکالات غیرخطی بودن می شود، درنتیجه به طورجدی کیفیت سیستم های ارتباطی را تحت تأثیر قرار می دهند. یک روش مناسب برای حل این مشکلات آن است که تقویت کننده ای با بازدهی بالا طراحی کرده و سپس یک خطی ساز به آن اعمال نمود.

امروزه با افزایش بار و گسترش شبکه های قدرت سطح جریان اتصال کوتاه در باس بارها افزایش پیدا کرده است. افزایش ظرفیت خطوط انتقال و به هم پیوستگی زیاد شبکه ها باعث شده است که در لحظه اتصال کوتاه جریان بسیار زیادی از مسیرهای مختلف به محل اتصال کوتاه ریخته شود. این در حالی است که بریکرهای قدرت باید توانایی قطع این جریان بالا را داشته باشند. در این پایان نامه روشی برای کاهش و رله دیستانس در محل نوترال تراسفورماتور شبک ههای قدرتی که ترانس آنها (tcr) این جریان توسط نام zc-tcr و به اختصار tcr مستقیماً زمین شده معرفی شده است. ما این روش را کنترل ناحی های تقسم شده است fix-zc-tcr و ras-zc-tcr گذاری نموده ایم. در این روش که خود به دو صورت م یتوان جریان اتصال کوتاه و همچنین مقدار اضافه ولتاژها در فازهای سالم را با توجه به محل خطا کنترل کرد بطوری که کلیدهای قدرت قادر به قطع این جریان باشند و اضافه ولتاژها ایجاد شده برای عایق ترانسفورماتور قابل تحمل باشند.