بنابراین بررسی و مطالعه رفتار زاویه ای قرارگیری این مواد به شکل سیم یا انواع دیگر، در میدان مغناطیسی اهمیت ویژ ه ای داشته که موضوع اصلی این رساله است. بستگی پاسخ امپدانس و رفتار مغناطیسی مواد به جهت قرار گیری در میدان خارجی را به روش های مختلفی می توان بررسی نمود، که در این تحقیق در ابتدا تاثیر زاویه تابش میدان بر اشباع مغناطیسی و امپدانسی سیم آلیاژی پایه کبالت با استفاده از دستگاه مغناطیس سنج نمونه ارتعاشی (vsm) و چیدمان پاسخ امپدانس مغناطیسی مورد مطالعه قرار گرفته است. پس از آن برای بهینه-سازی پاسخ امپدانس و خواص مغناطیسی نمونه ها، عملیات های ثانویه مانند بازپخت جریانی dc و ac در زوایای مختلف قرارگیری در میدان مغناطیسی خارجی با دامنه های مختلف انجام شده است. نتایج این رساله نشان می دهد که میدان لازم برای به اشباع بردن امپدانسی و مغناطیسی نمونه ها در حالتی که زاویه قرارگیری در میدان نسبت به محور نمونه، به زاویه 90 نزدیک می شود، افزایش یافته که به نوعی حد بالای میدان مغناطیسی را نشان می دهد. از این موضوع در افزایش حد بالای اندازه گیری میدان می توان بهره برد. از طرفی فرآیند بازپخت های dc و ac در میدان های مختلف اهمیت میدان مغناطیسی زمین را در این فرآیند ها نشان می دهد. همچنین زاویه قرارگیری در میدان های ضعیف خارجی در بازپخت ها اهمیت داشته که برای کنترل ناهمسانگردی در جهت بهینه سازی اثر مناسب است. از نتایج این رساله می توان در دستیابی به حسگرهای مغناطیسی با قابلیت اندازه گیری اندازه و زاویه میدان مغناطیسی بر مبنای امپدانس مغناطیسی استفاده نمود.