نانوتیوپهای کربنی سیستمهای با خواص الکتروـ مکانیکی جالبی هستند که بعلت داشتن مدول یانگ بالا می توانند بعنوان مواد عملگر و حسگر استرین جایگزین مواد پیزوالکتریک شوند. بر اثر تونل زنی یک الکترون به داخل نانوتیوپ و پتانسیل الکتروستاتیکی ناشی از اندرکنش آن با بارهای قطبیده نیرویی کششی موازی با محور نانوتیوپ ایجاد می شود. همچنین براثر نیروی الکتروستاتیک عمود بر نانوتیوپ، کمی خمیدگی در آن ایجاد می شود و براثر این خمیدگی کشش نیز ایجاد می شود. در این رساله با پیدا کردن چگالی الکترون تونل زده در نانوتیوپی که در یک سیستم set قرار گرفته، نیروهای کششی پدید آمده در نانوتیوپ کربنی را محاسبه کرده و با فرض اینکه نانوتیوپ کربنی یک محیط پیوسته الاستیک باشد نانوتیوپ به این نیروهای کششی را تحقیق می نماییم.

در این تحقیق، ویژگی مدهای نقص ظاهر شده در طیف تراگسیل ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی با یک لایه ی نقص و همچنین موقعیت ناحیه گاف نوار فوتونی در ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی ایده ال مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار بلورهای فوتونیک برای دو حالت متقارن و پاد متقارن بررسی می شود.سیستمی که در این تحقیق در نظر گرفته می شود، سیستمی دو لایه ای از سیلیکون / هوا است، ضریب شکست سیلیکون به عنوان تابعی از طول موج و دما به طور هم زمان در نظر گرفته می شود، در حالی که ضریب شکست هوا مستقل از طول موج و دما است.طول موج مرکزی مد نقص به پهنای لایه ی نقص وابسته است، بنابراین می توان طول موج مرکزی مد نقص را با تغییر در پهنای لایه ی نقص تغییر داد، از این خاصیت می توان برای جدا سازی و ایجاد طول موج های معین از خروجی یک دستگاه اپتیکی متشکل از بلورهای فوتونیک استفاده نمود.‏