در این پژوهش لایه های نازک اکسید وانادیوم روی بستر شیشه با استفاده از روش اسپری پایرولیزیز با انتخاب پارامترهای متفاوت دمای بستر (300، 350، 375، 400، 450، °c 500)، غلظت¬ محلول اولیه (0/05، 0/1، 0/15، mol/lit 0/2) و آهنگ¬ لایه نشانی (3، 5، 7، ml/min 10) رشد یافتند. مطالعه و بررسی اثر پارامترهای لایه نشانی روی خواص ساختاری لایه¬های نازک اکسید وانادیوم نشان داد که برای تشکیل فاز بتا-پنتاکسید وانادیوم با ساختار چارگوشی، بهترین دمای بستر دمای oc450، بهترین غلظت محلول اولیه mol/lit 0/1و بهترین آهنگ لایه نشانی ml/min 5 است. مطالعه و بررسی کامل¬تر پارامترهای لایه¬نشانی بهینه نشان می¬دهد فاز آلفا-پنتاکسید وانادیوم در دمای بستر oc450، غلظت¬های بالاتر از mol/lit 0/2 و آهنگ اسپری ml/min 5 تشکیل می¬شود. مطالعه خواص اپتیکی نمونه¬ها نشان داد، گاف اپتیکی نمونه¬ها تغییر ناچیزی دارد و بیشترین عبور اپتیکی مربوط به نمونه تهیه شده در دمای °c450 و غلظت محلول اولیه mol/lit 0/1 و آهنگ ml/min 5 است. لایه تهیه شده با دمای °c300 و غلظت محلول اولیه mol/lit 0/2 و آهنگ اسپری ml/min 5 دارای الکتروکرومیسم یک مرحله¬ای و کمترین سطح چرخه ولتامتری است. در حالی¬که نمونه با دمای بستر °c450 و غلظت mol/lit 0/1 و آهنگ اسپری ml/min 5 دارای بیشترین سطح چرخه ولتامتری با الکتروکرومیسم دو مرحله¬ای است. مطالعه وابستگی دمایی مقاومت لایه¬ها نشان می¬دهدکه نمونه تهیه شده در دمای بستر 450 و غلظت mol/lit 0/1 و آهنگ اسپری ml/min 5 دارای کمترین دمای گذار از حالت نیمرسانا به رسانا (حدود °c 278) است. اثر آلاینده¬های گوگرد و فلوئور نیز بر روی خواص فیزیکی پنتاکسید وانادیوم بررسی ¬شد. برای این منظور نمونه های اکسید وانادیوم آلاییده با عناصر گوگرد و فلوئور روی بستر شیشه با استفاده از روش اسپری پایرولیزیز در دمای بستر °c400، غلظت¬ محلول اولیه mol/lit 0/1 و آهنگ¬ لایه نشانی ml/min 5 با درصدهای متفاوت تهیه شدند. حضور ناخالصی گوگرد در پنتاکسید وانادیوم سبب می-شود که این لایه¬ها به سمت آمورف شدن میل کنند و هم¬چنین باعث کوچک شدن اندازه نانوتسمه¬ها می¬شود. با افزایش ناخالصی s گاف اپتیکی، میزان عبور اپتیکی و مقاومت ویژه نمونه¬ها افزایش می¬یابد. این ناخالصی دمای¬گذار نیمرسانا / فلز را در پنتاکسید وانادیوم کاهش می¬دهد و هم¬چنین سبب قوی¬تر شدن و نزدیکتر شدن دو قله اکسایش و کاهش می¬شود. ناخالصی فلوئور باعث کاهش بلورینگی در پنتاکسید وانادیوم می¬شود. هم¬چنین نمونه¬های آلاییده دارای اندازه بلورک¬ و نانوتسمه¬ی کوچکتری بوده که با افزایش در صد ناخالصی فلوئور اندازه آنها بزرگتر می¬شود. افزایش این ناخالصی سبب کاهش میزان عبور، گاف اپتیکی و مقاومت ویژه می¬شود. حضور فلوئور در پنتاکسید وانادیوم سبب افزایش دمای گذار نیمرسانا / رسانا می¬شود. تنها دمای گذار نمونه پنتاکسید وانادیوم با 60% فلوئور (°c 262) کمتر از نمونه پنتاکسیدوانادیوم خالص( °c 278) است. این ناخالصی در 5o2v باعث قوی¬تر شدن قله¬های اکسایش و کاهش، برگشت¬پذیری چرخه ولتامتری و تسهیل ورود و خروج یون لیتیم بین لایه الکتروکرومیک و الکترولیت می¬شود.