در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که دارای یک گیت و دو گیت فلزی باشد بررسی می کنیم. با اعمال ولتاژ به این گیت ها درون گرافین سد پتانسیل ایجاد می شود. الکترون ها نیز با زوایای مختلف به سد فرود می آیند. نتایج نشان می دهند که می توانیم عبور ذرات از سد یگانه و دوگانه گرافینی را به کمک بایاس خارجی کنترل کنیم. زمانیکه الکترون ها با زاویه صفر به سد گرافینی برخورد می کنند بیشترین عبور حاصل می-شود و این مسئله هماهنگ با پارادوکس کلاین است. در زوایای دیگر به طور کلی احتمال عبور کمتر از یک به دست می آید و بر حسب اختلاف پتانسیلی که بین دو سد اعمال شده است از یک ماکزیمم تا یک مینیمم تغییرات شبه نوسانی نشان می دهد که این نوسانات ریشه در مکانیک کوانتومی داشته و به کمک آن می توان عبور ذرات از این ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را تحت کنترل درآورد. هم چنین رسانش کانال این ترانزیستور را بر حسب تغییرات ارتفاع سد و طول موج فرودی الکترون ها به دست می آوریم که نتایج نشان می دهند رسانش کانال بر حسب تغییرات ارتفاع سد دارای نوسان است پس می توانیم با کنترل پتانسیل اعمالی به گیت رسانش را هم تحت کنترل درآوریم. در واقع می توانیم رسانش کانال این نوع ترانزیستور را به شرط آنکه پارادوکس کلاین برقرار باشد با تغییر شرایط ساختاری این ترانزیستور از جمله ارتفاع سد پتانسیل (ولتاژ اعمال شده به گیت فلزی) ، عرض چاه پتانسیل (فاصله بین دو گیت فلزی) ، طول موج فرودی الکترون ها و... ، تحت کنترل درآوریم.

در این پروژه طراحی نیمه صنعتی و شبیه سازی یک دستگاه لایه نشانی بخار شیمیائی در خلأ (lpcvd) به منظور لایه نشانی پلی سیلیکون انجام شده است. در این راستا اتصال فلنج استیل به لوله کوارتز طراحی شده و برای ساخت آماده شده است. اتصالات کپسول سایلین که از لحاظ امنیتی از اهمیت بسیاری برخوردار است، شناسائی و طراحی شده است (به علت عدم امکان ساخت این اتصالات در وضعیت کنونی خریداری آنها پیشنهاد شده است)؛ کنترلر شار گاز (mass flow controller) بررسی گردیده و طراحی آن انجام شده است (به علت سطح و پیچیدگی کار، ساخت این قطعه توسط گروهی از دانشجویان دنبال می گردد). با بدست آوردن ابعاد کوره، بررسی جهت تهیه و یا طراحی سیستم گرم کننده و کنترل دمائی انجام شده است. دستگاه lpcvd مورد نظر برای لایه نشانی روی ویفر 2 اینچ و برای تعداد حداکثر 10 ویفر در نظر گرفته شده و شبیه سازی جهت بدست آوردن نحوه بهینه ی تزریق گاز و پمپ خلأ مناسب انجام شده است تا بتوان لایه هایی یکنواخت را بر روی ویفرها به وجود آورد. در این راستا فاصله ی بین ویفرها و فاصله ی آنها از کناره ها و از انتها و ابتدای لوله ی کوارتز بدست آمده است. همچنین شبیه سازی با تغییر محل ورود گاز و تغییر اندازه لوله کوارتز تکرار شده است تا ساختار مناسب برای محفظه بدست آید. شرایط و نحوه و یا بقولی الگوریتم لایه نشانی ارائه شده است و نحوه ی تله انداختن سایلین اضافی بررسی و وسائل جانبی آن بدین منظور طراحی شده اند. تمامی اجزا یک به یک تهیه یا طراحی شده و آماده ی ساخت دستگاه نهائی می باشند و صرفا کنترلر شار گاز باقی مانده است که توسط گروه دیگری از دانشجویان در حال پیگیری می باشد.

سیستم های میکروالکترومکانیکی به سیستم ها و یا قطعاتی ، با اجزای مکانیکی و الکترونیکی در ابعاد میکرومتری اطلاق می گردد. به دلیل کوچکی اندازه، هزینه ساخت پایین، مصرف توان کم و بازدهی بالا این فناوری توانسته در زمینه های مختلف فناوری کاربردهای وسیعی پیدا بکند. ژیروسکوپ با فناوری میکروماشین کاری حجم ساخته شده و از نوع ارتعاشی تک محوره با تحریک خازنی طولی و آشکارسازی خازنی تفاضلی می باشد. تحریک روی محور x و آشکار سازی بر روی محور y قرار دارد. هرگونه چرخش حول محور z باعث انتقال ارتعاشات محور تحریک به محور آشکارسازی و تغییر ظرفیت خازنی میگردد و این پدیده به دلیل وجود نیروی کریولیس می باشد. کمینه ابعاد مشخصه این قطعه 3 میکرومتر و کل ساختار دارای مساحتی برابر 1 میلی متر مربع می باشد. عمق ساختار 12 میکرومتر است. حساسیت خازنی قطعه در حدود35.4ff/°/sبا پهنای باند 2100hz است.

در این پروژه منبع تغذیه شتاب دهنده دستگاه تفنگ الکترونی با مشخصه ی خروجی 6kv، 0.5a و ضربان کمتر از یک درصد و همچنین بخش مکانیکی دستگاه طراحی و ساخته شده است. منبع تغذیه ساخته شده از نوع سوئیچینگ می باشد و نسبت به منابع تغذیه خطی با مشخصات مشابه، بازده بالاتری (حدود نود درصد) دارد. همچنین این منبع تغذیه دارای وزن و حجم بسیار کمتری نسبت به نمونه های مشابه می باشد. منبع تغذیه مذکور دارای قابلیت مدیریت جرقه می باشد و می تواند وقوع جرقه را به سرعت تشخیص دهد. در صورت وقوع جرقه توان خروجی دستگاه را پایین آورده و پس از برطرف شدن جرقه دوباره توان را به مقدار قبل می رساند. بخش مکانیکی تفنگ الکترونی از نوع مینیاتوری و متناسب با توان سه کیلو وات منبع تغذیه شتاب دهنده طراحی و ساخته شده است.

کار بر روی پروژه "شبیه سازی، طراحی و تهیه ی اجزای مورد نیاز برای ساخت سامانه ی لایه نشانی pecvd"، با هدف لایه نشانی اکسیدسیلیکون به عنوان لایه ی محافظ در قطعات الکترونیک آغاز شد. در مراحل ابتداییِ تحقیق مشخص شد که اغلب لایه های دی الکتریک موجود در تکنولوژی مدارات مجتمع، از جمله دی الکتریک بین لایه ها، اکسید میدان، لایه های محافظ و حتی در مواردی اکسید گیت، با روش های لایه نشانی بخار شیمیایی در محیط پلاسما شکل می گیرند. سیستم های دارای چگالی پلاسمای بالا، متداول ترین این سیستم ها هستند. بنابراین با توجه به اطلاعات به دست آمده و امکانات موجود، تصمیم نهایی برای ساخت یک سیستم pecvd خازنی که چگالی پلاسمای معمولی دارد، گرفته شد. سه پارامتر مهم در فرآیندهای pecvd، که در کیفیت و یکنواختی لایه نشانی تأثیر بسزایی دارند، عبارتند از: •پخش یکنواخت گازهای واکنش در محفظه ی لایه نشانی •گرم شدن یکنواخت تمام سطح زیرلایه (قطر زیرلایه مورد استفاده 2 اینچ است.) •پمپ یکنواخت گازهای واکنش از محفظه با توجه به موارد بالا، طراحی دوش و الکترود rf به نحوی صورت گرفت که پخش گاز کاملاً متقارن و در سطح زیرلایه یکنواخت باشد. هم چنین پیش بینی های لازم برای کاهش غلظت پلاسما در نقاطی غیر از محدوده ی دو الکترود انجام شد. در قسمت گرم کننده ی زیرلایه، از یک نوع گرم کننده ی مقاومتی با المنت نیکل-کروم و با ساختاری متقارن استفاده شد تا گرم شدن زیرلایه نیز به طور یکنواخت انجام شود. پمپ محفظه نیز از قسمت کف محفظه و به صورت متقارن انجام می شود. بعد از به دست آمدن طرح کلی سیستم، اجزای مختلف با نرم افزار solidworks طراحی، اشکالات موجود برطرف و قطعات برای ساخت ارسال شد. سپس از هر قطعه ی ساخته شده، آزمایش های کنترل کیفیت به عمل آمد و در نهایت با اتصال قطعات و اجزا به هم و نصب آن ها یر روی میز، سیستم کلی ساخته و آزمایش های فنی اولیه انجام شد. بعد از ساخت سیستم اصلی، نوبت به انجام یک مرحله لایه نشانی می رسد تا از صحت عملکرد سیستم اطمینان کامل به عمل آید. بعد از بررسی فرآیند لایه نشانی چند ماده ی مختلف، با توجه به هدف اولیه ی پروژه، یعنی لایه نشانی اکسیدسیلیکون و هم چنین محدودیت های موجود زمانی، مکانی، تجربی و مسائل ایمنی آزمایشگاه، فرآیند لایه نشانی اکسید سیلیکون با روش مبتنی بر استفاده از مایع teos، در مرکز توجه قرار گرفت. تحقیقات لازم در مورد این فرآیند تا حدود زیادی انجام شده و مراحل ساخت تجهیزاتی که باید به سیستم اصلی اضافه شوند پیش روست. یکی دیگر از عناوین مطرح شده در پیشنهاد عنوان پایان نامه، شبیه سازی سیستم با نرم افزارcomsol و بعد از طراحی اولیه ی آن بود. به دلیل اینکه کار با این نرم افزار نیاز به داشتن اطلاعات کاملی از فیزیک پلاسما و معادلات آن دارد، شبیه سازی سیستم طراحی شده، دارای پیچیدگی های بسیار و زمان بر بود. بنابراین شبیه سازی برای یک نمونه ی ساده شده از سیستم طراحی شده انجام شد. نتایج این شبیه سازی در متن پایان نامه ارائه می شود.

با توجه به پیشرفت روز افزون علم و تکنولوژی در باند فرکانسی تراهرتز و با توجه به نیازها و کاربردهای خاص و منحصر به فرد این بازه در صنایع مختلف دفاعی و نظامی و پزشکی ، مطالعه ، طراحی و ساخت آشکارساز فرکانس تراهرتز به عنوان موضوعی برای پایان نامه در نظرگرفته شد. بدین منظور با توجه به مشخصات کاری مورد نظرمان برای آشکارسازی ،از بین آشکارسازهای متداول تراهرتز دو نمونه مطالعه و بررسی شد و با توجه به امکانات آزمایشگاهی موجود، ساخت آشکارساز تراهرتز بر پایه گرافین مورد تایید قرار گرفت.از این رو مراحل ساخت آشکارساز آغاز شد.در مرحله اول به تولید گرافین پرداختیم .پس از اطمینان از تولید آن (با آزمایشات و تصویربرداری های مختلف و حتی اندازه گیری میزان جذب تابش و مقایسه با مستندات موجود)، در مرحله ی بعدی به طراحی ماسک ها و طراحی افزاره ی مورد نظر (دیود شاتکی سیلیکون-گرافین) پرداخته شد.در مرحله ی آخر آشکارساز دیود شاتکی سیلیکون-گرافین ساخته و تحت دو منبع تابشی ir و لیزر 670nm تست شد. نتایج حاصل بسیار رضایت بخش و نوید بخش برای ادامه ی کار برای دستیابی به افزاره های پیشرفته تر تراهرتز است.

در این پروژه مداری برای تولید جریان بایاس و قرائت خروجی دیود سالیتانی (jfd) ارائه شده است.دیود مذکور یک آشکارساز امواج گیگا هرتزی با حساسیت بسیار بالا است. این قطعه الکترونیکی در دمای فوق سرد کار می کند و باید مانند سایر قطعات الکترونیکی، در نقطه کارِ مناسب بایاس شود. امواج گیگا هرتزی مقدار جریان شکست دیود (ibr) را تغییر می دهد؛ بنابراین با اندازه گیری مقدار این جریان می توان تشعشعات گیگا هرتزی را تشخیص داد. مدار طراحی شده برای راه اندازی دیود سالیتانی، یک شیب جریانِ افزایشی با دامنه معین به قطعه اعمال می کند تا زمانی که قطعه وارد شکست (break-down) شود. مدت زمان سپری شده از اعمال جریان بایاس تا زمان شکست دیود، تابعی از جریان شکست دیود است. برای تشخیص شکست دیود لازم است، خروجیِ این دیود که ولتاژی در حدود 100 میکرو ولت دارد، قرائت شود؛ مدارِ قرائتگر طراحی شده، این عمل را انجام می دهد. مدارِ راه انداز طراحی شده، پس از پیاده سازی، آشکار سازی )قرائت جریان شکست معکوس( را با نرخ 10ksps انجام داد. علاوه بر پیاده سازیِ مدارِ راه انداز، به دلیل حساسیت شرایط محیطی قطعه، از لحاظ خلاء و سرمای عمیق، نیاز به واسطی برای اتصال الکتریکی این مدار، به قطعه ای که در وضعیت مذکور قرار گرفته وجود دارد؛ این واسط نیز با ارائه یک ایده جدید، طراحی و ساخته شد. واسط مذکور یک برد مدار چاپی نازک و قابل انعطاف است که شرایط خلاء و سرمای محیط را پس از اتصال به قطعه دچار اشکال نمی کند.

ابتداء مدلی تحلیلی از یک twt ارائه و بررسی می شود؛ مدلی خطی که برمبنای مدل نمودن ساختار موج کند توسط ثابت دی الکتریک موثر، توزیع یکنواخت عرضی توده الکترونی و تغییرات اندک مشخصه های حجمی توده الکترونی نزدیک مقادیر متوسط بدست می آید و مدل غیر خطی که بر اساس فرض تغییرات عرضی اندک میدان در حجم توده الکترونی و ثابت بودن نسبت توان به میدان موثر (امپدانس بر هم کنش ) و انرژی به میدان موثر (ثابت دی الکتریک برهم کنش ) چه در حالت پسیو چه در حالت فعال بدست می آید. نهایتاً با استفاده از این مدل طرحی برای یک اسیلاتور در فرکانس 200 ghz بدست می آید که توسط cst particle studio ارزیابی می گردد.

انجام فرآیندهای تکرارپذیر توسط دستگاه های تحت پلاسمای rf یکی از مهم ترین نیازهای سازندگان تجهیزات میکروالکترونیک می باشد. بر مبنای این نیاز، دستگاهی طراحی و ساخته شد که با سرعت، دقت و انعطاف پذیری بالا عملیات تطبیق امپدانس مولد rf به محفظه ی پلاسما را انجام می دهد. برای این منظور مداری طراحی شد که امپدانس محفظه ی پلاسما را به دست می آورَد و در نتیجه به کمک آن می توان از «الگوریتم های تطبیق بر مبنای امپدا نس» به منظور تطبیق استفاده کرد. لازم است اشاره شود که با روش vswr امکان استفاده از الگوریتم های بهتر، محدود شده بود ولی با الگوریتم های تطبیق بر مبنای امپدانس محفظه، سرعت و انعطاف پذیری بیشتری به دست آمد. گرچه با داشتن امپدانس محفظه می توان از روش vswr نیز همچنان بهره برد. مدارهایی که در گذشته طراحی شده بودند، توانایی تطبیق تا توان 300 وات را داشتند و این کار هم، تنها با انجام تنظیمات دستی و تغییر در الگوریتم تطبیق مطابق با ویژگی های هر محفظه به طور مجزا قابل انجام بود. روش تطبیق هر سیستم می بایست توسط انجام یک سری آزمایش ها به دست می آمد و در الگوریتم تطبیق آن دستگاه اعمال می شد و حتی محدودیت ها و فرآیند هایی هم به کاربر اعلام می شد که می بایست کاربر برای انجام عمل تطبیق گام به گام آن روش را انجام می داد. با طراحی و پیاده سازی این مدار انعطاف پذیری تطبیق بسیار بهتر از قبل شد. عملیات تطبیق تا توان 600 وات در فرآیندهای مختلف پلاسمای rf و تحت شرایط مختلف فشار، به صورت خودکار صورت می پذیرد و امکاناتی به دستگاه اضافه گردید که کاربر به آسانی بتواند عملیات تطبیق را انجام دهد.

در این پروژه پس از معرفی قطعات تک-الکترون متعارف و مورد استفاده و مشکلات آنها، به بررسی ساختارهای سوزنی شکل در ابعاد و اندازه های متفاوت می پردازیم. این ساختارها به بافت سیلیکون متخلخل بسیار شبیه هستند. با اسبفاده از قابلیت های برنامه ی fastcap، پس از شبیه سازی ساختارهای تعریف شده، خازن آنها محاسبه و نشان داده می شود که مقدار این خازن در همان حدی است که جزیره های بکار برده شده در ادوات تک-الکترون متعارف با ابعاد نانو متری دارا بودند، با این تفاوت که ابعاد آنها چندین برابر بزرگتر شده است. در حقیقت با فزونی میدان های الکتریکی حاشیه ای بدلیل ساختار ذاتی بافت سوزنی شکل که با میدانهای الکتریکی اطراف جزیره های نانومتری قابل مقایسه می باشد، از خازن این قطعه کاسته شده و لذااین ساختارها توانسته اند پدیده های ممنوعیت کولمب و اثرهای تک-الکترون را نشان دهند و نیز دمای کارکرد آنها بمراتب بالاتر از دمای ادوات تک-الکترون معمولی خواهد بود. بررسی نتایج چند آزمایش، این اثرها را در منحنی های جریان-ولتاژ آنها نشان می دهد. بنابر این با استفاده از این ساختارها و بدلیل تکنیک ساخت ساده تر ازن قطعه نسبت به ادوات متعارف تک-الکترون، مطالعه و تحقیق بر روی چگونگی رفتار آنها و درک تیوری پدیده های موجود شتاب بخشیده می شوند.

هدف از این گزارش بررسی روش های شبیه سازی ابررسانا به منظور بررسی خواص آنهاست. وجود یک شبیه ساز مطمئن برای اطمینان از طرح های ارائه شده در ضمینه طراحی قطعات و استفاده های مهندسی لازم و ضروری است. پدیده ابررسانایی انتظارهای زیادی را در مهندسی برای اخترعات نو به وجود می آورد که باید با در اختیار داشتن ابزار مناسب راه را برای رسیدن به این مهم هموار کرد. این گزارش ابتدا به معرفی ابر رسانایی و خواصی که در واقعیت از آنها می بینیم پرداخته است تا با داشتن درکی مناسب به شبیه سازی و تحلیل نتیجه های آن بپردازیم. در فصل دوم با چند نرم افزار که برای شبیه سازی میتوان از آنها بهره گرفت و معرفی قابلیت های آنها می پردازیم و در نهایت با معرفی بسته نرم افزاری comsol فصل را به پایان می بریم. در فصل سوم به طور مختصر به بررسی روش اجزاء محدود و مفهوم کلی میپردازیم. در این فصل سعی شده تا از روابط پیچیده ریاضی دوری کنیم چون هم مبحث مفصلی است و بیان آن حجم زیادی میگیرد وهم بحث اصلی این گزارش شبیه سازی ابر رسانایی است نه روش های حل عددی معادلات مشتقات جزئی. منبع مناسب جهت مطالعه خواننده برای اطلاعات بیشتر قرار داده شده است. در فصل چهار به بررسی روش فرمول بندی hمیپردازیم و نحوه به دست آمدن معادلات آنرا توضیح میدهیم و بعد آنرا در نرم افزار comsol پیاده سازی میکنیم و یک شبیه سازی نمونه ارائه میکنیم. نتایج شبیه سازی با واقعیت مقایسه و تحلیل ها ارائه شده است. در آخر فصل هم به بررسی کارهای برخی از نویسندگان در این موضوع پرداخته ایم. در فصل پنجم ابتدا به صورت ساده معادله گینزبرگ-لاندو را معرفی و پیاده سازی کردیم و همان روند فصل چهارم را برای این فصل نیز پیش گرفتیم. در نهایت نیز نتیجه گیری و مراجع در اختیار خواننده قرار گرفته است.

اقتصاد را علم مطالعه ی تولید، توزیع، تجارت و مصرف در یک منطقه ی جغرافیایی تعریف می کنند. از حیث نوع نگاه، اقتصاد به دو بخش کلی خرد و کلان تقسیم بندی می شود. در نگاه خرد، روابط مالی بین افراد و بنگاه های اقتصادی مورد بحث قرار می گیرد. در مقابل، در نگاه کلان، فارغ از نگاه خرد متغیرهایی مانند بیکاری، تورم، تولید ناخالص داخلی و ... بررسی می شود. در این پایان نامه، ابتدا با نگاه سیستمی و با استفاده از اصول برگرفته شده از قرآن و عترت، روابط مالی میان دو نفر به صورت دینامیکی استخراج و نمایش بلوکی آن ارائه شده است. برای مدل سازی اقتصاد کلان از دو رویکرد استفاده شده است. در رویکرد اول، متغیرهای اقتصاد کلان بر مبنای متغیرهای موجود در اقتصاد خرد تعریف و مدلسازی می شوند. در رویکرد دوم، هر جامعه به دو بنگاه اقتصادی تقسیم می شود و متغیرهای تعریف شده در روابط میان این دو بنگاه، متغیرهای کلان اقتصادی را مدل سازی می کند. با استفاده از شبیه سازی این مدل در رویکرد اول برای یک جامعه ی فرضی، نتایج حاصل از افزایش تقاضا ی کل در جهت رشد تولید ناخالص داخلی و نوسانات بوجود آمده در متغیرهای اقتصادی مشاهده شده است. در آخر نیز با ارائه ی پیشنهاد هایی سعی شده است تا تمهیدات لازم جهت مدل سازی اقتصاد کلان ایران پیش بینی شود.

دیود سالیتانی، یک قطعه ی الکترونیک ابررسانایی است که در حال حاضر 9 پایانه دارد. در این پروژه ساختارهایی برای جای گزینی دیود سالیتانی معمولی ارائه شده است که ضمن حفظ ویژگی های اصلی آن، پایانه های کمتر و طراحی بهینه تری داشته باشد. با توجه به میدان هایی که بایاس می تواند بسازد، پنج ساختار پیشنهاد شد. برای یافتن تغییرات فاز پیوند بلند جوزفسون، به عنوان ساختمان اصلی دیود سالیتانی، بررسی معادله ی ساین-گوردن در این پروژه انجام گرفته است. از آنجا که حل تحلیلی کاملی برای این معادله وجود ندارد، شبیه سازی آن به کمک حل عددی انجام شده است. بررسی تغییرات فاز، میدان مغناطیسی و رسم منحنی مشخصه ی i-v در ناحیه ی کاری مستقیم و معکوس برای ساختارهای پیشنهادی، با این شبیه ساز انجام و با نمونه ی معمولی دیود مقایسه شده است. پس از تحلیل ها و شبیه سازی های مختلف، مشخص شد، ساختار پیشنهادی که فقط دو پایانه ی جریان بایاس دارد، به عنوان دیود سالیتانی تنها می تواند در یک ناحیه ی کاری عمل کند. اما سه ساختار دیگر که علاوه بر داشتن پایانه های بایاس، جریان کنترل نیز به آن اعمال می شود، در هر دو ناحیه ی کاری قابل استفاده است. از میان ساختارهای ارائه شده، چهارمین ساختار که کنترل آن به کناره های یک الکترود و نیز به محل پایانه ی بایاس همان الکترود اعمال می شود و قابلیت تغییر ناحیه ی گذار دارد، به لحاظ شباهت رفتاری با دیود معمولی و داشتن درجه ی آزادی مناسب در زمینه ی ابعاد، برای ساخت با تکنولوژی نایوبیوم-سرب انتخاب شد.

در این پژوهش یک مقایسه¬گر جریان مبتنی بر دیود سالیتانی(یک قطعه الکترونیکی ابررسانایی) پیشنهادشده است. مشخصه غیرخطی دیود سالیتانی و وجود یک آستانه¬ی جریان شکست در بایاس معکوس آن، دست¬مایه عمل مقایسه قرار گرفته است. برآورد سرعت بالای مقایسه¬¬کنندگی با شبیه سازی عددیانجام شد؛ در این شبیه سازی طرحی با طولپیوند µm200، عرضپیوند µm 10، چگالی جریان بحرانی جوزفسونی ka/cm2 20 و بتای استوارت مک¬کامبر 50،تاخیری کمتر از 5 پیکوثانیه و زمان صعودی کمتر از یک پیکوثانیه را از خود نشان می¬دهد. پس از تهیه بسترهای تکنولوژیکی لازم برای ساخت قطعات جوزفسونی در کشور، ماسک¬های دیود سالیتانی طراحی و نمونه¬هایی از این قطعه با عرض خطوط 30 میکرومتر ساخته شده اند. لایه نشانی اجزای این دیودها با ضخامت نوعی 300 نانومتر در خلاء پایه 11- 10 اتمسفر صورت گرفته است. لایه عایق 1 تا 4 نانومتری آنها نیز پس از پاکسازی پلاسمایی، با روش اکسایش پلاسمایی ایجاد شده است. به نظر می¬رسد مقایسه گر مذکور چه در نقش مقایسه گر سیگنال جریان و چه در نقش مقایسه گر جریانهای القا شده از امواج الکترمغناطیس، به تنهایی بتواند جایگزین مدارات مفصل مقایسه کننده و مدارات مفصل آشکارسازی امواج گیگاهرتزی بشود.

ادم حاد ریه یکی از اورژانسهای قلب است. از آنجا که تشخیص و درمان با تاخیر و نادرست این بیماری باعث افزایش مرگ و میر این بیماری میشود لذا در این مطالعه ما بر آن شدیم که به بررسی اپیدمیولوژی ادم حاد ریوی در بیمارستان شهید بهشتی کرمانشاه در سالهای 77-1376 بپردازیم.