در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از جنس کبالت در اکسید مدفون جاسازی شده که انتهای آن به سورس اتصال دارد.این فلز با جذب خطوط میدان به داخل اکسید و ایجاد پیک جدید در میدان الکتریکی ولتاژ شکست را به میزان 67% بهبود می بخشد.همچنین با وجود کاهش جزئی جریان اشباع درین،میزان حداکثر چگالی توان خروجی 33% بهبود دارد. با کاهش خازن گیت-درین به میزان 87%،فرکانس قطع و ماکزیمم فرکانس نوسان به ترتیب به میزان 44%و 162%افزایش یافتند. در ساختار دوم از تکنولوژی سیلسیم روی هیچ استفاده شد و ستون های هوا داخل اکسید گیت تعبیه گردیده است.به دلیل این که ثابت دی الکتریک هوا کم تر از اکسید است،میدان داخل آن افزایش یافته و افزاره می تواند میدان های بالاتر را تحمل کند.در نتیجه ولتاژ شکست به میزان 96% بهبود دارد.قرار دادن هوا به جای بخشی از اکسیدگیت باعث کاهش ثابت دی الکتریک خازن های گیت-سورس و گیت-درین شده و در نتیجه این خازن ها کاهش می یابند.در این ساختار مشخصه های فرکانسی نیز بهبود خوبی را نشان دادند. کلید واژه ها: ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی، تکنولوژی سیلسیم روی عایق، فرکانس قطع، ماکزیمم فرکانس نوسان، تکنولوژی سیلسیم روی هیچ