محمد علی زندی خواجه هومان شکراللهی
در این پژوهش به بررسی اثر پارامترهای مختلفی که در ساخت لایه های فریت کبالت وجود دارند، شامل پارامترهای ساخت به روش سل-ژل و نوع زیرلایه پرداخته و اثر عنصر آلاینده ی eu برخواص مغناطیسی لایه های تولید شده نیز بررسی شده است. جهت دست یافتن به مقادیر بهینه از پارامترهای روش سل-ژل، از طراحی آزمایش های تاگوچی و سیستم عصبی-فازی (anfis) استفاده شد تا بهینه ترین اندازه بلورک و خواص مغناطیسی برای پودرهای تولید شده حاصل شود. این پارامترها شامل مقدار ph، نسبت مولی اتیلن دی آمین تترااستیک اسید (edta) به یون های فلزی، نسبت مولی اتیلن گلیکول (eg) به یون های فلزی و دمای عملیات حرارتی هستند. برای هر یک از پارامترها سه سطح در نظر گرفته شد که بر اساس آرایه های متعامد l9 درمجموع، 9 آزمایش یکتا طراحی شد. خواص ساختاری و مغناطیسی پودرهای فریت کبالت توسط دستگاه پراش پرتو ایکس (xrd) و دستگاه مغناطیس سنج نمونه ی ارتعاشی (vsm) اندازه گیری گردید.
رضا مردانی احمد امیرآبادیزاده
بنابراین بررسی و مطالعه رفتار زاویه ای قرارگیری این مواد به شکل سیم یا انواع دیگر، در میدان مغناطیسی اهمیت ویژ ه ای داشته که موضوع اصلی این رساله است. بستگی پاسخ امپدانس و رفتار مغناطیسی مواد به جهت قرار گیری در میدان خارجی را به روش های مختلفی می توان بررسی نمود، که در این تحقیق در ابتدا تاثیر زاویه تابش میدان بر اشباع مغناطیسی و امپدانسی سیم آلیاژی پایه کبالت با استفاده از دستگاه مغناطیس سنج نمونه ارتعاشی (vsm) و چیدمان پاسخ امپدانس مغناطیسی مورد مطالعه قرار گرفته است. پس از آن برای بهینه-سازی پاسخ امپدانس و خواص مغناطیسی نمونه ها، عملیات های ثانویه مانند بازپخت جریانی dc و ac در زوایای مختلف قرارگیری در میدان مغناطیسی خارجی با دامنه های مختلف انجام شده است. نتایج این رساله نشان می دهد که میدان لازم برای به اشباع بردن امپدانسی و مغناطیسی نمونه ها در حالتی که زاویه قرارگیری در میدان نسبت به محور نمونه، به زاویه 90 نزدیک می شود، افزایش یافته که به نوعی حد بالای میدان مغناطیسی را نشان می دهد. از این موضوع در افزایش حد بالای اندازه گیری میدان می توان بهره برد. از طرفی فرآیند بازپخت های dc و ac در میدان های مختلف اهمیت میدان مغناطیسی زمین را در این فرآیند ها نشان می دهد. همچنین زاویه قرارگیری در میدان های ضعیف خارجی در بازپخت ها اهمیت داشته که برای کنترل ناهمسانگردی در جهت بهینه سازی اثر مناسب است. از نتایج این رساله می توان در دستیابی به حسگرهای مغناطیسی با قابلیت اندازه گیری اندازه و زاویه میدان مغناطیسی بر مبنای امپدانس مغناطیسی استفاده نمود.
آرش فیروزنیا محمدمهدی طهرانچی
چکیده ندارد.
فاطمه مطرودی مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.
مهتاب اصل دهقان مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.
مجید قناعت شعار فرشاد ابراهیمی
چکیده ندارد.
نجمه نبی پور مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.
محمدهادی خاکساران محمدمهدی طهرانچی
چکیده ندارد.
پارسیس توحیدی مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.
مرضیه ضمیری مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.
محمدامین رسول اف مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.
حسین علیصفایی مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.
مهرداد مرادی کاونانی مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.
زهرا خدابنده مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.
سعید واشهری مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.
فرشاد نژادستاری مجید قناعت شعار
چکیده ندارد.