در این تحقیق ما براساس نطریه ی btk ، رسانندگی ناشی از تونل زنی را در پیوندهای گرافن تحت کشش تک محوری مورد بررسی قرار می دهیم. با استفاده از مدل تنگ بست با تحت کشش قرار دادن صفحه گرافن حامل های بار در آن به صورت فرمیون های دیراک بدون جرم و نامتقارن ظاهر می شوند. درنتیجه سرعت حامل های بار به جهت حرکت آنها بستگی پیدا می کند. از طریق نشست ابررسانا بر روی گرافن تحت کشش تک محوری، گرافن با جفت های کوپر بدست آمده از الکترون های نامتقارن ویل- دیراک یعنی فرمیون های بدون جرم، به گرافن ابررسانا تبدیل می شود. سرعت نامتقارن بالا، ممکن است به وسیله ی کشش در جهت زیگزاگ نزدیک نقطه ی گذار بین گرافن گاف دار و گرافن بدون گاف ایجاد شود. در سرعت نامتقارن بالا، بازتاب آندریف تا حد زیادی به جهت وابسته است و جریان عمود بر جهت کشش می تواند به راحتی و به صورتی که انگار هیچ مانعی ( صفحه عایق) وجود ندارد از میان پیوند شارش یابد. نیز جریان موازی با جهت کشش به صورت ناهنجار به عنوان تابعی از ولتاژ مدخل و با فرکانس بالا نوسان می کند.

در این پایانامه تاثیر دماهای پخت مختلف بر روی خواص ابررسانایی ابررسانای پایه بسموت فاز 2229 مورد با استفاده از روش اندرکنش استاندارد bi1.6pb.4sr2ca2cu3o بررسی قرار گرفته است. نمونه های 9.8 حالت جامد در دماهای مختلف پخته شده است. با استفاده از روش چهار میله ای، دمای گذار و مقاومت حالت نشان می دهد که نمونه ساخته شده در دمای 848 دارای r-t نرمال اندازه گیری شده است. بررسی منحنی بررسی sem و x بالاترین دمای بحرانی می باشد. ریزساختار و ریخت شتاسی نمونه ها توسط پراش اشعه درصد فازهای دمای بالا ) 2229 ( و دمای پایین ) 2212 ( برای هر یک از ، xrd گردید. از داده های الگوی پراش نمونه ها محاسبه شده است. در ابتدا با افزایش دما از میزان درصد فازی دمای پایین کاسته شده و به درصد فازی دمای بالا افزوده می شود و این روند تا دمای 848 ادامه دارد و از این دما به بالا قضیه برعکس می شود.

به علت کاربرد مطالعات تغییرات گاف انرژی و ضرایب اپتیکی نیمه رساناها در حسگرها، هنوز هم بعد از سال ها بررسی اثر آلایش رساناها مورد توجه محققان قرار می گیرد. در این پایان نامه با استفاده از دستگاه بیضی نگاری خواص اپتیکی لایه های zno خالص و zno آلایش شده با co مورد مطالعه قرار گرفته است تا نحوه ی تغییرات ضرایب اپتیکی در اثر این آلایش و همینطور در اثر تغییرات ضخامت لایه ها بدست آید. دلیل انجام اینکار این است که هنوز اجماع کاملی در مورد تاثیر co بر روی ضرایب اپتیکی zno وجود ندارد. علیرغم اینکه برخی افزایش گاف را گزارش کرده اند، کارهای دیگری کاهش گاف انرژی را نشان می دهند که البته میزان درصد co نیز در این نتایج موثر می باشد. در فصل اول به بررسی اساس کار بیضی نگاری و نحوه ی آنالیز داده های حاصل از اندازه گیری های بیضی نگاری پرداخته شده است. در فصل دوم روش های مختلف لایه نشانی نظیر pvd،cvd ،cbd ، کندو پاش و سل ژل را معرفی کرده ایم. در فصل سوم خواص اپتیکی جامدات بحث شده است. نهایتاً در فصل چهار نتایج بدست آمده از بیضی نگاری را تجزیه و تحلیل کرده ایم. این نتایج نشان می دهند که ضرایب اپتیکی نمونه ها تغییر می کنند و به عنوان مثال در نتیجه آلایش، گاف انرژی افزایش می یابد. امروزه از این ویژگی ها در تغییر حساسیت حسگرهای گازی استفاده می شود.

دهه های متمادی است که تحقیق و بررسی در خواص و کاربرد های ساختار های اکسید روی zno انجام می شود و تحقیق بر روی عوامل موثر بر تغییر خواص آنها برای کاربرد های آن در حسگر ها هنوز هم ادامه دارد. با پیشرفت علم نانو تکنولوژی، رشد نانو ساختار های zno با روش های مختلف و بررسی خواص آنها نیز در دستور کار محققان قرار گرفته است. در این پایان نامه، نانو لایه های zno جانشانی شده با fe و ni با استفاده از روش سل – ژل در ضخامت های مختلف تولید شده و خواص اپتیکی آنها توسط دستگاه بیضی نگاری مورد مطالعه قرار گرفته است تا نحوه تغییرات ضرایب اپتیکی، در اثر جانشانی و تغییر ضخامت لایه ها بدست آید. دلیل انجام این کار این است که هنوز هم اطلاعات کافی در مورد تاثیر آلایش fe و ni بر روی ضرایب اپتیکی zno فراوری شده با روش سل- ژل و تاثیر ضخامت لایه ها بر روی این ضرایب، انتشار نیافته است. در فصل اول به بررسی اساس کار بیضی نگاری و نحوه تجزیه و تحلیل داده های حاصل از اندازه گیری بیضی نگاری مرور شده است. در فصل دوم به بررسی ساختار، خواص zno و کاربرد های آن در حسگر ها پرداخته شده است. نهایتاً در فصل سوم نتایج بدست آمده از بیضی نگاری را تجزیه و تحلیل کرده ایم. این نتایج نشانگر این است که ضـرایب اپتیکی نمونه ها بشدت وابسته به نوع مواد جانشان شونده بر روی zno و ضخامت لایه ها می باشد. امروزه از تغییر این ضرایب در اثر جانشانی برای تغییر ویژگی ها و حساسیت حسگر های گازی استفاده می شود.

امروزه مطالعات بسیاری در زمینه نیمه¬هادی¬ها و اثر جانشانی آن¬ها در خواص اپتیکی و الکتریکی آن¬ها مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. ما در این پایان¬نامه خواص اپتیکی نیمه¬هادی zno و zno جانشانی شده با sn، تهیه شده به صورت لایه نازک، را هدف کار خود قرار داده و خواص اپتیکی لایه¬ها به وسیله دستگاه طیف سنج بیضی¬نگاری به دست آورده شده است. در قسمت تجربی این پایان¬نامه با استفاده از روش سل ژل، نانو¬لایه¬های اکسید روی zno با جانشانیsn بر روی زیر¬لایه¬های شیشه لایه¬نشانی شده و اثر تغییر ضخامت بر خواص اپتیکی آن¬ها مورد بررسی قرار گرفته است. خواص اپتیکی zno و zno:sno2 در محدوده اپتیکی مادون قرمز، مرئی و ماوراء¬بنفش با استفاده از بیضی نگاری و ftir مطالعه شد.

مواد مبتنی بر گرافن مانند نانو لوله های کربنی (cnts)، نانو رشته های کربنی و نانو طومارها به عنوان ساختمان نانوفناوری مورد توجه قرار گرفته اند. cnt ها با تنوع گسترده ای از کاربردها به خصوص با تمرکز بر نانوحسگرها در نظر ما هستند. در این پایان نامه، تخلیه قوس الکتریکی در جریان متناوب (ac) برای ساخت نانورشته های کربنی به عنوان یک حسگر پلت فرم بررسی شده است. علاوه بر این راکتورهای مختلف برای رشد cnt طراحی شده است. اثر فاصله الکترود و شکل هندسی آن بر عملکرد رسوب در راکتورها مورد بررسی قرار گرفته است. گاز پروپان و بوتان به عنوان منبع کربن در فشار اتمسفر به کار گرفته شده است. فاصله الکترود متغیر از ?m 5000 تا ?m1000، و از سویی دیگر شکل هندسی الکترودهای مختلف بررسی شده است. در نهایت بر اساس گزارش ها، بهترین ساختارهای کربن ساخته شده به عنوان یک شکل زمینه ساز سنسور آمده است. در این پایان نامه همچنین به مدل سازی نانولوله های کربنی که در روش تخلیه قوس الکتریکی ac پرداخته شده است. برای مدل سازی ابتدا رابطه ای برای میدان الکتریکی متغیر بین دو الکترود ارائه شده است. سپس از روی این رابطه توانستیم به روابط بین زمان و فاصله الکترودها و نتیجه گیری از آن ها برسیم. همچنین روابطی برای به دست آوردن سرعت رشد نانوذرات ارائه شده است.

امروزه نانولوله های کربنی از لحاظ علمی به عنوان سنگ بنای نانوالکترونیک علاقه بسیاری از دانشمندان را در سراسر جهان به خود جلب کرده اند. از سوی دیگر درمقایسه با سایر مواد نانو ابعاد کوچک و خواص فیزیکی قابل توجه آنها، این ساختارهارا تبدیل به مواد منحصر به فرد با طیف وسیعی ازکاربردها کرده است. در این تحقیق تولید نانولوله ی کربنی را به روش تخلیه قوس الکتریکی با جریان متناوب وبا استفاده از یک ژنراتور ولتاژ بالا بررسی می کنیم. برای این منظورراکتور از دو الکترود که سربه سرهم قرار گرفته اند،تشکیل یافته است. و گاز متان تجاری به عنوان منبع کربن ومدل های مختلف از الکترودها جهت تولید رشته های پایدارکربن به کاررفته است. که می تواند در قالب یک سنسور مورد بررسی قرار بگیرد. از سوی دیگرفاصله بین دو الکترود از 1تا5 میلی متر در حال تغییر میباشد علاوه بر این برای طراحی قوس فاصله 1میلی متر بعنوان فاصله بهینه در پلت فرم سنسورگزارش شده است. همچنین کیفیت نانولوله های کربنی تولید شده به روش تخلیه قوس الکتریکی باجریان متناوب به عنوان تابعی از شکل هندسی الکترودها وتاثیر گاز متان روی خواص ساختاری نانولوله ها مورد بررسی قرار گرفته است

مهندسی حالتهای کوانتومی به معنی کنترل همدوس دینامیک سیستم برای ایجاد یک بر هم نهی اختیاری از حالت¬های نهایی است که کاربرد فراوانی در نظریه اطلاعات کوانتومی دارد. در این پایان نامه، ابتدا مفاهیم پایه معرفی شده و سپس روشهای مختلف انتقال جمعیت شامل گذار بی دررو تحریکی رامان، روش تنظیم مساحت پالس و همچنین روش زنجیره پالسهای همپوشان مطالعه می¬شود. همچنین توصیف مختصری از روش تبدیلات موریس- شور که یک روش بسیار موثر و متداول برای ساده کردن هامیلتونی سیستمهای پیچیده کوانتومی به شمار می¬رود، ارائه می¬گردد. در ادامه، روش گذار بی دررو تحریکی رامان در سیستم اتم- کاواک معرفی شده و اثر گسیل خود به خودی و اتلاف کاواک در این سیستم بررسی می¬شود. با حل عددی معادله لیوویل، نشان می¬دهیم که این سیستم نسبت به اثر اتلاف کاواک بسیار حساستر از اثر گسیل خود به خودی می¬باشد. به منظور به کارگیری روش گذار بی دررو تحریکی رامان در مهندسی حالتهای کوانتومی، روش گذار بی دررو تحریکی رامان در سیستمهای - پایه وقتی که پالس لیزری که به حالت اولیه جفت نشده¬اند، دارای شکل یکسانی باشند، بررسی می¬شود. نشان داده می¬شود که با انتخاب پالسهای زمانی مناسب، جمعیت از یک حالت منفرد اولیه به یک برهم نهی همدوس اختیاری از چند حالت زمینه منتقل خواهد شد. در این وضعیت، سیستم -پایه همانند سیستم سه-پایه دارای یک فاز هندسی خواهد بود. در فصل بعد، دو طرحواره نسبتا زورمند برای ایجاد حالت برای سه یون یا در حالت کلی یون پیشنهاد می¬شود. در طراحواره اول برای ایجاد حالت از روش گذار بی دررو کسری و در طرحواره دوم از روش تنظیم مساحت پالس ( - پالس) استفاده خواهد شد. همچنین با حل عددی معادله لیوویل به بررسی اثر کانالهای ناهمدوسی که در اثر نوسان پالس لیزری و همچنین اتلاف مد فونون به وجود می¬آیند، خواهیم پرداخت. به منظور به کارگیری روش پالسهای همپوشان زنجیره¬ای در مهندسی حالتهای کوانتومی یک روش حل دقیق برای ایجاد برهم نهی حالتهای زمینه در سیستمهای چند لامبدایی ارائه شده و نشان داده می¬شود که یک سیستم چند لامبدایی که از تراز زمینه، تراز تحریکی و یک حالت منفرد اولیه تشکیل شده است، با استفاده از تبدیلات موریس- شور به یک سیستم سه ترازی تقلیل پیدا می¬کند و با استفاده از زنجیره¬ای از پالسهای همپوشان، یک برهم نهی از حالتهای زمینه را می¬توان ایجاد کرد. همچنین این روش را در سیستمهای - پایه استفاده خواهیم کرد و نشان خواهیم داد که این سیستم با استفاده از یک تبدیل موریس- شور مناسب می¬تواند به یک سیستم سه ترازی شامل یک برهم نهی از حالت اولیه، تراز تحریکی و برهم نهی از حالت باقیمانده، تقلیل پیدا کند و سیستم تقلیل یافته می¬تواند برای ایجاد برهم نهی حالتهای زمینه در سیستمهای -پایه با استفاده از زنجیره پالسهای همپوشان به کار گرفته ¬شود. در نهایت روش زنجیره پالسهای همپوشان برای ایجاد درگاه¬های کوانتومی مرتبه در سیستمهای -پایه استفاده می¬شود. در این فرآیند، از عملگرهای انعکاس کوانتومی برای ایجاد درگاه¬های کوانتومی استفاده می¬شود طوریکه هر عملگر انعکاس کوانتومی با استفاده از زنجیره از پالسهای همپوشان ایجاد می¬شود.

در این پایانامه دینامیک غیر خطی سیستم های لیزر نیمه رسانا به صورت تئوری و به کمک روشهای حل عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. بر اساس این پایانامه نتایج بدست آمده زیر را می توان دسته بندی کرد: (i دینامیک لیزر نیمه رسانا● رفتاردینامیکی شدت خروجی لیزر های نیمه هادی در حضور یک کاواک خارجی کوتاه، با تغییر پارامترهای فاز و شدت پس خوراند کاواک خارجی: دینامیک غیرخطی شدت خروجی لیزر به تغییرات جزیی پارامترهای فاز و شدت پس خوراند وابسته است ودر یک شدت پس خوراند مناسب، با تغییر فاز پس خوراند میتوان دینامیک مطلوب را از بین مجموعه رفتارهای دینامیکی شدت خروجی لیزر انتخاب کرد. ● تاثیر مقدار دمش بر دینامیک یک لیزر نیمه رسانا، با کاواک خارجی کوتاه، توسط نمودارهای دو شاخه شدگی بر حسب فاز پس خوراند بعنوان پارامتر کنترل: بسته به این که نرخ پس خوراند بالا باشد یا پایین، به ازای مقادیر مختلف دمش، رفتار دینامیکی خروجی لیزر می تواند کاملا متفاوت باشد. به طوری که در شدت پس خوراند پایین، با افزایش مقدار دمش ، دینامیکهای پریودیک جدید ظاهر شده و دینامیکهای پریودیک قبلی حذف میشوند، ضمن اینکه در مقادیر دمش بالا بر بازه محدوده ی آشوبناک افزوده میشود. ولی در شدت پس خوراند بالا، با افزایش دمش، تنها محدوده ی مناطق پالسی رشد میکند. به طوری که در مقادیر دمش بالارفتار دینامیکی لیزر فقط بصورت پالسی بوده و دینامیک های پریود اول و شبه پریودیک، که در دمشهای پایین وجود داشتند، حذف شدند. ● تغییرات زمانی شدت خروجی مد اصلی و مدهای جانبی یک لیزر نیمه رسانا تحت تزریق اپتیکی: تغییرات زمانی شدت خروجی مدهای اصلی و جانبی لیزر به تغییرات جزیی پارامترهای ثابت میرایی و نرخ گذار خودبه خودی برای هر مد وابسته است. همچنین نشان داده شده است که وجود پرتوی تزریقی لیزری می تواند میزان تغییرات شدت خروجی در هر مد را افزایش داده و در مواردی شرایط جدیدی برای کارکرد مدهای جانبی فراهم آورد. ●تاثیر نوفه بر عملکرد فیلتر نوری در یک لیزر نیمه رسانا با کاواک عمودی: پارامترهای فیلتر نوری از جمله پهنای طیفی فیلتر و نامیزانی بین فرکانس های لیزر و فیلتر، نحوه عملکرد فیلتر را تحت تاثیر قرار می دهند. علاوه بر این نسبت بین پارامترهای فیلتر نوری، با فرکانس لیزر منفرد و فرکانس پرتو بازتاب یافته از فیلتر به صورت دقیقی بدست آمد. همچنین نشان داده شد که نوفه می تواند عملکرد فیلتر را مختل نماید، به طوری که پهنای فرکانسی فیلتر در حضور نوفه می تواند به طور قابل توجهی افزایش یابد. ● تغییرات زمانی تعداد فوتونهای خروجی مدهای یک لیزر نیمه رسانا دو مدی با کاواک عمودی: تغییرات زمانی تعداد فوتونهای خروجی لیزر به تغییرات جزیی جریان پمپ شده و نسبت بین ضرایب خود اشباع و اشباع متقابل برای هر مد وابسته است. همچنین نشان داده شده است که اگر ضریب خود اشباع و اشباع متقابل با هم برابر باشند لیزر ناپایا است. علاوه بر آن تغییر در مقدارجریان پمپ شده منجر به تغییر در نوع دینامیک خروجی لیزر می گردد. ●محاسبه معادله فازی لیزر: این معادله تغییرات فاز میدان لیزر بر حسب تغییرات زمان را مشخص می کند. در محاسبه این معادله، فاز و شدت میدان الکتریکی متغیر دینامیکی اصلی در نظر گرفته شده است و نشان داده شده است که دینامیک شدت خروجی بطور دقیقتری توسط معادله فازی در مقایسه با معادلات نرخ لیزری تعیین می شود. (ii همزمانسازی در لیزرهای نیمه رسانا● پایداری و رفتارپذیری شدت خروجی یک لیزر نیمه رسانای گیرنده تحت تاثیر مقدار شدت نور تزریقی از یک لیزر نیمه رسانای فرستنده، با کاواکهای خارجی کوتاه:از آنجائیکه ضرایب پس خوراند آیینه های کاواک خارجی در این دو لیزر متفاوت انتخاب شده اند، وقتی آنها به صورت منفرد (غیر جفت شده) عمل می کنند دارای دینامیک مدهای نوسانی متفاوتی هستند. نتایج بعد از جفت کردن این لیزرها، از طریق تزریق غیر همسو خروجی لیزر فرستنده به لیزر گیرنده، نشان میدهند که لیزرگیرنده رفتارهای غیر خطی متفاوتی از خود نشان می دهد. بطوریکه با افزایش شدت پرتو تزریقی، پایداری و همزمانی لیزر گیرنده افزایش می یابد و در یک حالت حالت خاص تزریق، لیزر گیرنده به صورت مطلوبی از دینامیک نوسانی لیزر فرستنده پیروی می کند.● هم زمان سازی مد های نوسانی دو لیزر نیمه رسانا با کاواکهای خارجی کوتاه، بوسیله تغییرات اختلاف راه نوری در کاواکهای خارجی:با انتخاب مناسب مقادیر شدت و فاز پس خوراند و زمان تاخیری بین آینه ها، نشان داده شده که پایداری و هم زمان سازی خروجی لیزرها به شدت به فاصله بین لیزرها و موقعیت آینه های کاواک لیزر گیرنده بستگی دارد. همچنین شرط خاصی پیدا شد که فقط تحت آن یک هم زمان سازی پایدار بین مدهای نوسانی لیزر های فرستنده و گیرنده می تواند برقرار باشد.●تاثیر آینه خارجی بر پایداری لیزرنیمه رسانا: آینه خارجی میتواند ناپایداری را در لیزر تزریقی در فرکانسهای پایین از بین ببرد. شدت پسخوراند لیزر تزریقی می تواند کیفیت رفتارپذیری و ایجاد همزمانی را مابین لیزر فرستنده و لیزر فرستنده را تعیین نماید. ●تاثیر طول کاواک خارجی بر عملکرد لیزر نیمه رسانا: با در نظر گرفتن نسبت بین فرکانس نوسانات میرایی لیزر (بدون آینه خارجی) و فرکانس لیزر در کاواک خارجی پاسخ بهره دامنه، فاز و تعداد حاملها برای کاواکهای کوتاه و بلند بدست آمد. در کاواک کوتاه شاهد دینامیک های متنوع تری به نسبت کاواک بلند مشاهده شد. همچنین مقدار بزرگتر پاسخ بهره برای کاواک کوتاه باعث می شود تا لیزر با کاواک کوتاه کارکرد بهتری را در بازه فرکانسهای کوچکتر از فرکانس میرائی داشته باشد.(iii کنترل ناپایداری ●کنترل ناپایداری در لیزر نیمه رسانا با استفاده از تابع مولد جریان پمپاژ دارای پارامتر دینامیکی: بدین منظور مدار الکتریکی دینامیک خروجی لیزر معرفی شد. این مدار آشوب وناپایداری را با تغییر در جریان پمپ شده به لیزر، کنترل می کند. الگوی تغییر در مقادیر پمپاژ شده به وسیله نگاشتی غیر خطی تامین می شود. قسمت مهم این نگاشت پارامتر دینامیکی آن می باشد. نشان داده شد که در بازه هایی از فاز و شدت پسخوراند که در آن لیزر ناپایدار است، به وسیله متد کنترل لیزر می تواند به طور کامل به دینامیک های شبه پریودیک و پریود اول تغییر یابد. ●کنترل ناپایداری در لیزر نیمه رسانا با استفاده از تغییر در شدت پسخوراند اپتیکی در کاواک خارجی: با قرار دادن مدوله کننده الکترو اپتیکی و ایجاد تغییر در دامنه میدان لیزری، تغییرات دینامیکی لیزر مورد مطالعه قرار گرفت. بر اساس این مدولاسیون، متد جدیدی برای کنترل ناپایداری در لیزر ارائه شد. نتایج عددی بدست آمده نشان دادند که با اعمال این متد کنترلی، دینامیک خروجی لیزر می تواند از دینامیک ناپایدار به دینامیک پایدار و پریودیک پریود اول تغییر یابد.

پس از کشف نانولوله¬های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی¬های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر ‏علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده¬اند جایگزین ‏مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد.‏ در این تحقیق ازروش تخلیه قوس الکتریکی با جریان متناوب وبا استفاده از یک ژنراتور ولتاژ بالا، برای تولید ‏نانولوله های کربنی استفاده شد. رآکتور طراحی شده برای این منظور ،شامل دو الکترود از جنس مس که سربه سرهم ‏ودرون استوانه شیشه ای قرار گرفته اند،می شود. از سوی دیگرفاصله بین دو الکترود 7/0 میلی متر میباشد.از مخلوط ‏گازپروپان وبوتان به عنوان منبع کربن برای تولید رشته های پایدارکربن استفاده شده است. میتوان از مجموعه ی دو الکترود ‏‏( به عنوان چشمه وچاه) ونانولوله کربنی تولید شده (به عنوان کانال جریان)، در قالب یک سنسور گازی بر پایه ‏ترانزیستورهای شاتکی نانولوله های کربنی(‏cntfet‏) استفاده ومورد بررسی قرار داد.در این تحقیق تاثیر دما بر عملکرد و ‏حساسیت سنسور گازی تولید شده با روش مزبور مورد مطالعه قرار گرفت. همچنین دماهایی که در آن سنسور مورد نظر از ‏خود رفتار اهمی نشان میدهد را مورد تحقیق وکاوش قرار دادیم. ‏

امروزه مطالعات فراوانی در خصوص مواد نیمه هادی و اثر جا نشانی این مواد با مواد دیگر صورت گرفته است. ما در این پایان نامه خواص اپتیکی لایه های نازک zno و zno آلاییده شده با mn، تهیه شده به روش سل-ژل را مطالعه کرده ایم و ناهمواریهای سطحی لایه های نازک تهیه شده را توسط میکروسکوپ هم کانونی اندازه گرفته ایم. نتایج این تحقیق نشان می دهد که خواص اپتیکی لایه های zno خالص و آلاییده شده با mn با تغییر ناهمواری سطح تغییر میکند.

یکی از مهمترین ویژگی های مواد، خاصیت مغناطیسی آن هاست که از زمان های نسبتا دور مورد توجه بوده و هم اکنون نیز در طیف وسیعی از کاربردهای صنعتی قرار گرفته است. هدف از انجام این پایان نامه تحقیق در زمینه آهنرباهای دائمی با پایه آهن و نئودیمیم و ناخالصی منگنز می باشد، که در حال حاضر از اهمیت فراوانی در انواع کاربردهای تجاری و صنعتی دارد. عنصر نئودمیم به عنوان آهنربای دائمی کاربرد در موتور جت، ژنراتوربادی ، سانتریفیوژ غنی سازی و ... دارد. به همین دلیل این پژوهش در نظر دارد تا با استفاده از فناوری های موجود روز دنیا توضیح جامعی درباره روشهای ساخت این آلیاژها در شرایط گوناگون و کاربرد آنها در صنعت ارائه نماید

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در فصل اول مختصری از ضرورت و اهمیت مطالعه سلولهای خورشیدی و اساس کار سلولها و انواع مختلف سلولها نوشته شده است . در فصل دوم ویژگیهای کلی نیمه رسانا، ذاتی یا غیرذاتی بودن نیمه رسانا، گاف نواری سیلیسیوم و تغییرات آن با دما، ساختار بلوری و نوارهای انرژی سیلیسیوم، آلایش ساختار بلوری و ناخالصی ها، ترابر حاملها و معادلات حاکم بر جریان ناشی از حاملهای باری مورد مطالعه قرار گرفته است . در فصل سوم، اندرکنش نور با نیمه رسانا، مطالعه ضریب جذب در ارتباط با نیمه رساناهای از نوع گاف نواری مستقیم و غیرمستقیم، بررسی فرایند ترکیب مجدد و انواع آن و ارتباط آن با چگالی ناخالصی مورد توجه واقع شده است . در فصل چهارم، پیوند p-n ، پیوندp-n تحت تاریکی و روشنایی، اساس کار سلولهای خورشیدی، پارامترهای خروجی سلول، جریان اتصال کوتاه، فاکتور پرکنندگی و نهایتا" محاسبات مربوط به پارامترهای مختلف سلولهای خورشیدی اتصال p-n مورد بررسی قرار گرفته است . در فصل پنجم، اساس کار، را بر مطالعه تئوری بازده سلولهای خورشیدی نسبت بر اساس پارامترهای مختلف سلولی از قبیل ضخامت سلول، چگالی ناخالصی، گاف نوری، دما، بازتابندگی سطح و سرعت ترکیب مجدد قرار داده شده است . در فصل آخر، با توجه به محاسبات مربوط به پارامترهای مختلف سلولی از فصل چهارم و سایر موارد لازم از فصول قبلی، برنامه کامپیوتری لازم جهت محاسبه و رسم منحنی های مربوط به پارامترهای مختلف سلولی اتصال p-n سیلیسیوم، طراحی گردید.

در این پایان نامه روش ساخت ابررسانای ‏‎yba2cu3o7‎‏ بصورتی که نمونه هایی با بیشترین درجه خلوص از ترکیب ‏‎y123‎‏تهیه شود بیان گردیده است. همچنین ساختار کریستالی این ماده ابررسانا مورد توجه قرار گرفته و با توجه به تغییرات دمای گذار نمونه نسبت به مقدار اکسیژن و اهمیت میزان اکسیژن جذب شده در برخی از خواص این ابررسانا با بررسی چگونگی تغییر این عنصر در ساختار بلورین این ماده سعی در توجیه برخی از این پدیده ها گردیده است . با توجه به اهمیت مقدار اکسیژن نمونه روشی نیز برای محاسبه مقدار اکسیژن نمونه های ساخته شده بکار رفته که برخلاف روشهای معمول که روشهای شیمیایی می باشند ، یک روش کاملا فیزیکی است . در این روش از یک تابع شناخته شده بلورشناسی بنام تابع نلسون ریلی استفاده شده و با توجه به روابطی که ولف و کورن بیان کرده اند مقدار اکسیژن نمونه ها محاسبه گردیده است . در ادامه اندازه گیری های مختلفی برای بررسی چگونگی تغییرات دمای گذار دو نمونه که در آزمایشگاه تهیه شده اند انجام شده و با بدست آوردن منحنی تحت شرایط مختلف و در نواحی مختلف زیردمای گذار و بالاتر از دمای گذار به حالت ابررسانایی تاثیرات میزان اکسیژن جذب شده، فرکانس و جریان های متفاوت بر نحوه گذار ترکیب به حالت ابررسانایی تاثیرات میزان اکسیژن جذب شده ، فرکانس و جریان های متفاوت بر نحوه گذار ترکیب به حالت ابررسانایی بررسی گردیده است . در نهایت سعی شده تا جای ممکن به بررسی علل این تاثیرات پرداخته شود.

به منظور بررسی مغناطیس شدگی ابررساناهای دمای بالا، در فصل اول با بررسی فوق بین ابررساناهای نوع اول ‏‎(i)‎‏ و نوع دوم ‏‎(ii)‎‏ به عواملی مانند نیروهای وارد برگردابی، خزش شار، حرکت شار و مقاومت ناشی از حرکت گردابی در درون ابررساناهای نوع دوم پرداخته ایم.در فصل دوم با در نظر گرفتن حالتهای بحرانی در درون و بیرون دانه های ابررسانا، معادلات حالت بحرانی را بدست آورده سپس رفتار مغناطیسی ابررساناهای دمای بالا شامل پذیرفتاری مغناطیسی و خط برگشت ناپذیری بررسی شده است. در فصل سوم به چگونگی بستگی خط برگشت ناپذیری و مغناطش به عواملی مانند عیب شبکه، چگونگی اعمال میدان، آهنگ تغییرات دما، فرکانس و دامنه میدان که در محاسبه مغناطیس شدگی موثر هستند توجه نموده ایم. هرچند این عوامل ممکن است مختص روش محاسبه مورد نظر ما نباشند.در فصل چهارم به محاسبه مغناطیس شدگی برای میخکوب شدگی های مختلف در حالت های ‏‎rm, fcw, fcc, zfc‎‏ پرداخته و منحنی های مورد نظر را برای مقادیر مختلف شدت میخکوب شدگی رسم نموده ایم. در فصل پنجم نتایج حال از منحنی های مورد نظر بررسی و نتیجه گیری شده است.

دراین کار تحقیقی تجربی نمونه هایی از ابررسانای گرم به روش استاندارد واکنش حالت جامد، سنتز گردید. بر روی نمونه های سنتز شده ، آزمایشات پراش پرتو ‏‎x‎‏ ، آنالیز شیمیایی تیتراسیون یدومتری و اندازه گیریهای مقاومت ویژه الکتریکی بر حسب دما به روش ‏‎‎‏4 میله ای و ‏‎sem‎‏ صورت پذیرفت.مشاهده گردید که با افزایش ‏‎x‎‏(غلظت کلسیم) ، دمای گذار نمونه ها‏‎tc‎‏ ، میزان اکسیژن نمونه ها و پارامتر شبکه ای ‏‎c‎‏ و نسبت راستگوشه بودن، کاهش و پارامتر شبکه ای ‏‎a‎‏ افزایش می یابد. مشاهده گردید که نمونه ها در حالت هنجار ، رفتار فلز گونه دارند و مقاومت حالت هنجار نمونه ها با افزایش ‏‎x‎‏ کاهش می یابد.