پیشرفت تکنولوژی در زمینه های مختلف و نیاز روزافزون صنایع به انرژی، انسان را بر آن داشته است تا به روشهای گوناگون انرژی مورد نیاز خود را تامین کند. یکی از این روشها استفاده از انرژی خورشید و تبدیل آن به انرژی الکتریکی به وسیله ی سلولهای خورشیدی است؛ اما بازده پایین و هزینه تولید اولیه ی بالا، استفاده از این قطعات الکترونیکی را محدود می کند. یکی از عوامل پایین بودن بازده در سلولهای معمولی استفاده از یک پهنای محدود از طیف نور خورشید است. با استفاده از سلولهای خورشیدی نقطه کوانتومی می توان بازده تبدیل را تا حد زیادی افزایش داد. سلولهای خورشیدی با باند میانی مبتنی بر نقاط کوانتومی با جذب فوتونهایی که انرژی کمتری از شکاف باند سلول دارند و در سلولهای معمولی امکان جذب آنها وجود ندارد بازده سلول را افزایش می دهند. بازده این سلولها خود تحت تاثیر عوامل گوناگون قرار دارد که یکی از آنها ویژگیهای نقاط کوانتومی به کار رفته در آن است. در این پایان نامه ابتدا نقاط کوانتومی از جنس inas بررسی و شبیه سازی شده است و بعد با به کارگیری این نقاط در ساختار سلول با باند میانی تاثیر آن بر بازده سلول بررسی و حالت بهینه مشخص شده است. نتایج نشان می دهد که بازده سلول به میزان زیادی وابسته به اندازه نقاط کوانتومی و مکانی است که این نقاط در سلول قرار می گیرند. در پایان بررسی اثر دما بر بازده سلول نشان می دهد که با افزایش دما بازده سلول کاهش می یابد.