نام پژوهشگر: محمود رضایی رکن‌آبادی

سنتز و مشخصه یابی نانوذرات sb1.5bi.5te3 به روش سالوترمال و ساخت لایه نازک آن به روش تبخیر حرارتی در خلا و بررسی خواص ساختاری و ترموالکتریکی آن
thesis وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم پایه 1392
  زهرا غفاریان قوی نژاد   محمود رضایی رکن آبادی

موادی که انرژی گرمایی را به انرژی الکتریکی تبدیل می کنند به عنوان مواد ترموالکتریک شناخته می شوند که در ساخت قطعات ترموالکتریک از قبیل ژنراتورها و خنک کننده ها استفاده می شوند که دارای مزایایی از قبیل نداشتن هیچ بخش متحرک و سازگار بودن با محیط زیست هستند. عملکرد ترموالکتریکی مواد و قطعات ترموالکتریکی با کمیتی به نام ضریب ارزشی (zt) مشخص می شود که zt = (α2ϭ/k)t که در آن، ضریب سیبک (α) و رسانندگی الکتریکی (σ) و رسانندگی گرمایی (ҡ) نشان داده می شود. bi2te3و sb2te3به عنوان مواد ترموالکتریک خوب در در دمای اتاق شناخته می شوند که دارای گاف نواری باریک، مقاومت کم، رسانندگی گرمایی پایین و ضریب سیبک بالاتری نسبت به نیمرساناهای دیگرهستند. ترکیب sb1.5bi0.5te3دارای گاف نواری نازک تر ورسانندگی گرمایی پایین تری نسبت به sb2te3و bi2te3 می باشد. روش سالوترمال روش مناسبی برای کنترل مورفولوژی سطح است. در این پژوهش ساخت نانو پودر sb1.5bi.5te3 به روش سالوترمال و ساخت لایه نازک آن به روش تبخیر حرارتی در خلأ انجام شد.طرح پراش پرتو ایکس مشخص کننده تشکیل فاز ماده مورد نظر با ساختار هگزاگونال می باشد و تصاویر sem از پودر یکریختی سطح و لایه یکنواختی سطح آن را مشخص می کند. اندازه نانو بلورک ها از فرمول دبای- شرر در ابعاد نانومتر تعیین شده است. اندازه گیری های الکتریکی و ترموالکتریکی بر روی نمونه لایه نازک انجام شد. مقاومت ویژه الکتریکی برای نمونه در دمای محیط m ϻω 16/1، ضریب سیبک نمونه k/vϻ 199 ، رسانندگی گرمایی m.k/w 1/3 است. عامل توان مقدار w/ k2 m ۳- 10 ×2/44 را دارا می باشد و ضریب ارزشی ترموالکتریک نمونه 0/52 در دمای محیط بدست آمد. نمونه مورد نظر دارای چگالی حامل های بارcm3/ 1 1018 ˟ 2/1 و نمونه مورد نظر نیمرسانای نوع p مشخص شده است.

سنتز نانوذرات اکسیدآلومینیم به روش سل-ژل و بررسی ساختار و خواص اپتیکی آن
thesis وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388
  زبیده مومنی لاریمی   محمدرضا علی نژاد

در این پروژه، نانوذرات اکسیدآلومینیم به روش سل- ژل کمپلکس- پلیمری تهیه شد و ساختار و خواص اپتیکی آنها مورد مطالعه قرار گرفت. اثر دمای تفجوشی مختلف (oc350، oc550، oc750 ، oc1000، oc1200) بر روی ساختار و اپتیکی نانوذرات مورد بررسی قرار گرفته است. طرح پراش پرتو x، فاز آمورف را برای نمونه تفجوشی شده در دمای oc350 و oc550؛ فاز مکعبی γ- اکسیدآلومینیم را برای نمونه تفجوشی شده oc750 و oc1000 و فاز ششگوشی α- اکسیدآلومینیم را برای نمونه تفجوشی شده در دمای oc1200 نشان می دهد. تصاویر tem نشان می دهد که شکل نانوذرات شبه کروی و اندازه آنها در دماهای تفجوشی oc750 و oc1000 در گستره 5-15 نانومتر و در دمای تفجوشی oc1200، در گستره 150-100 نانومترند. با افزایش دمای تفجوشی، اندازه دانه ها بزرگتر و گاف اپتیکی بدلیل محدودیت های کوانتومی کاهش می یابد. ثابت دی الکتریک، با افزایش دمای تفجوشی بدلیل افزایش چگالی افزایش می یابد.

امکان سنجی بهبود کیفیت آب با استفاده از میدان های مغناطیسی و کاربرد آن جهت بزهای شیرده نژاد سانن
thesis وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده کشاورزی 1387
  محمدمهدی سرگلزهی   عباسعلی ناصریان

مطالعه حاضر به بررسی امکان تأثیرگذاری آب قرار گرفته در تیمار میدان مغناطیسی روی عملکرد بزهای شیرده نژاد سانن می پردازد. در این مطالعه از 12 رأس بز شیرده استفاده گردید که در 3 تیمار قرار گرفته بودند. تیمارها شامل 1- گروه کنترل، 2- گروهی که از آب قرار گرفته در میدان مغناطیسی 1200 گاوسی مصرف می کردند و 3- گروهی که از آب قرار گرفته در میدان مغناطیسی 3600 گاوسی مصرف می کردند. آب مورد استفاده قرار گرفته در کلیه تیمارها یکسان بوده و از کیفیت بسیار پایینی برخوردار می باشد. نتایج نشان دادند که اعمال میدان مغناطیسی به آب، اثر معنی داری بر مصرف خوراک، مصرف آب، ph مایع شکمبه و متابولیت های خونی، ندارد ولی تا حدودی توانسته است موجب تغییراتی شود که نشان می دهد اعمال میدان مغناطیسی می تواند منجر به برخی تغییرات در سیستم های زیستی گردد.

بررسـی خواص ترمودینامیکی زنجیره مغناطیسی مدلxxz و رسانندگی وابسته به اسپین مولکول dna
thesis وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388
  صفا گلرخ باهوش   احمد کتابی

در این پژوهش، با در نظر گرفتن سامانه شبه یک بعدی الکترود/نانوسیم/الکترود، خواص الکترونی سامانه اعم از انتقال بار یا اسپین مورد بررسی قرار می گیرد. بیشتر کارهای نظری که در این زمینه صورت گرفته است در دمای صفر انجام شده است ولی بررسی خواص الکترونیکی این سامانه ها و اثرات ترمودینامیکی آن در دماهای غیر صفر نیز حائز اهمیت است. بدین منظور ما زنجیره یک بعدی مغناطیسی را در دو مدل xy و xxz در نظر می گیریم و خواص ترمودینامیکی این سامانه از قبیل آنتروپی، گرمای ویژه، مغناطش عرضی و پذیرفتاری مغناطیسی را بصورت نظری به کمک روش های عددی و با استفاده از تابع گرین محاسبه می کنیم. همچنین وابستگی خواص مذکور به تغییرات میدان مغناطیسی خارجی و تغییرات دما، بررسی شده است. علاوه بر این رسانش، مشخصه جریان-ولتاژ و مقاومت مغناطیسی بالای سامانه شبه مغناطیسی فرومغناطیس /dna /فرومغناطیس، با بکارگیری مدل های هامیلتونی بستگی قوی، فرمول بندی لانداور و روش های عددی مبتنی بر نظریه تابع گرین تعمیم یافته، محاسبه می شود. همچنین وابستگی مقاومت مغناطیسی بالای این سامانه به دما نیز بررسی می شود. هدف این مطالعات، بررسی تأثیر درج? آزادی اسپین الکترون ها بر میزان رسانندگی مولکولdna در حضور و در غیاب اثرات محیطی است