در این تحقیق تعداد پنج زیرلایه از جنس bk7به قطر 54/2 میلیمتر و ضخامت 4 میلیمتر تهیه شده و تحت عملیات سایش و پولیش یکسان قرار گرفتند تا دارای کیفیت سطح یکسان (کیفیت سطح /4?) گردند. سپس آنالیز تداخل سنجی و اسپکتروفوتومتری بر روی آنها صورت گرفت تا کیفت سطح هر نمونه و میزان بازتابش آنها پیش از لایه نشانی مشخص گردد. زیرلایه ها شامل 11 لایهtio2 با ضریب شکست 25/2 هر کدام به ضخامت 118 نانومتر و 10 لایه sio2 با ضریب شکست 45/1 هر کدام به ضخامت 5/183 نانومتر به صورت یک در میان لایه نشانی شدند و فیلترهای بازتاب بالا برای طول موج 1064 نانومتر تهیه گردیدند. در انباشت کلیه لایه ها از روش تبخیر توسط تفنگ الکترونی استفاده گردید. پس از لایه نشانی، فیلترهای بازتاب بالا تحت آنالیزهای تداخل سنجی، اسپکتروفوتومتری و توسط میکروسکوپ اینترفرومتریnew view قرار گرفتند و خصوصیات کیفیت سطح و ساختاری آنها مورد بررسی قرار گرفت. هدف اصلی پروژه، طراحی و ساخت فیلترهای بازتاب بالا بود که نتایج تجربی بدست آمده با نتایج تئوری نرم افزارطراحی لایه نشانیessential macleod نزدیک بود. نتایج آنالیز پنج فیلترتا حدود زیادی شبیه هم و مطلوب بود. به منظور اندازه گیری آستانه تخریب لیزری، فیلترها مورد تابش نور لیزرهای nd:yag مد پیوسته و پالسی قرار گرفتند که نتایج مطلوبی را در بر داشت. ابتدا لیزر در مد پیوسته با حداکثر توان 200 وات و قطر لکه 4/0 میلیمتر باعث تخریب این فیلترها نشد. در مرحله بعد، لیزر دیگر در مد پالسی، چگالی انرژی حدود 7/6 کیلو ژول بر سانتیمتر مربع ایجاد نمود که باز هم باعث تخریب نمونه نشد.