در این پایان نامه در ابتدا ساختار لایه و ناخالصی یک لیزر مبتنی بر مواد inp/ingaasp و ساختار بالک را بررسی و تحلیل نموده ایم. در این ساختار لایه ingaasp به عنوان لایه فعال و لایه های inp با ناخالصی تدریجی به عنوان لایه های تحدید استفاده شدند. این لیزر درطول موج µm 55/1 تشعشع خواهد داشت. سپس بجای لایه فعال ingaasp از سه جفت لایه inp/ingaas چاه کوانتومی استفاده گردید. ساختار جدید نشان می دهد که مشخصه های توان – جریان، توان – طول موج، جریان – ولتاژ بهبود خواهند یافت. ضمناً تاثیر پنجره نوری و دما بر روی مشخصه های لیزر بررسی گردیدند و نشان داده ایم که برای عرض دهانه µm 2 دمای 300 درجه کلوین چگالی طیفی توان در طول موج mµ55/1 به حدود w/cm ev 045/0 رسیده است که نسبت به ساختار بالک 68/6 برابر شده است. همچنین منحنی ولتاژ جریان نشان میدهد که در ولتاژ v3 جریان در ساختار جدید a 005/0 می باشد که نسبت به ساختار قبل5/2 برابر گردیده است. همچنین بررسی منحنی توان تشعشی نشان می دهد که در ولتاژ v3 و دمای 300 درجه کلوین وعرض دهانه توان نوری حدود w/cm003/0 می باشد که تقریباً 3 برابر ساختار قبل است.