دیود گان یکی از مهمترین ادوات نیمه هادی مایکروویو محسوب می شود که برای تولید و تقویت توان در محدوده پایین و متوسط، و فرکانس ighz تا بیش از 100ghz بکار گرفته می شود ویژگی های مثبت باعث استفاده گسترده از آن در نواحی مدارهای مایکروویو برای کاربردهای گوناگون شده است. این دیودها از نیمه هادی معدودی مانند inp, gaas و gan با ساختار باند انرژی ویژه قابل ساختند و روش های مختلف رونشانی برای ساخت آن ها استفاده شده است. در این پروژه از روش رشد رونشانی پرتومولکولی یا mbe برای ساخت دیود گان از جنس نیمه هادی gaas استفاده شده است. پس از طراحی ساختار دیود و محاسبه پارامترهای لازم برای رشد، لایه های مورد نیاز توسط دستگاه mbe رشد داده شده و کیفیت لایه ها توسط روش مشخصه نگاری ecv مورد بررسی قرار گرفت. همچنین برای انجام ازمایشات dc و بررسی کیفیت اتصال فلز، از روش فلز نشانی فلزات طلا و ژرمانیوم بر روی ویفر gaas استفاده شد و آزمایشات لازم برای دستیابی به مشخصه dc مورد نظر بر روی آن انجام گرفت.