کاهش ابعاد ترانزیستورها در نسل جدید حافظه های nand flash و رهسپار شدن آن ها به سمت حوزه های طراحی نانومتر منجر به عدم صحت در برنامه ریزی و پاک کردن اطلاعات در این طراحی ها شده است؛ درنتیجه قابلیت اطمینان در ذخیره سازی به عنوان چالشی مهم در ساختار این نوع حافظه ها تبدیل شده است. جهت مقابله با چنین چالشی در کنترلر این نوع از حافظه ها، بلوکی به نام ecc تعبیه شده است که وظیفه ی اصلی آن غلبه بر نرخ بالای خطا است، به طوری که جهت افزایش اطمینان در ذخیره سازی، از کدهای تصحیح خطا استفاده می شود. تاکنون مطالعات گوناگونی روی کدهای تصحیح خطای به کار گرفته شده در کنترلر حافظه های nand flash صورت گرفته است. در این پایان نامه ساختار کدهای تصحیح خطای bch و دو بلوک bch اینکدر و دیکدر موردبررسی قرار می گیرد و روش هایی جهت بهینه سازی بلوک دیکدر bch ارائه می شود تا ضمن بهبود قابلیت اطمینان در ذخیره سازی منجر به افزایش کارایی حافظه شود. فرآیند کدگشایی و تصحیح خطا در بلوک دیکدر bch توسط سه زیر بلوک انجام می¬گیرد: بلوک تولید سیندروم، بلوک تولید چندجمله¬ای خطایاب و بلوک chien search جهت یافتن مکان وقوع خطا. دو نکته¬ی اساسی که در فرآیند بهینه¬سازی بلوک دیکدر bch مطرح است، میزان تأخیر در فرآیند تصحیح خطا و حجم سخت افزاری هر یک از زیر بلوک¬ها است. درنتیجه جهت غلبه بر چنین مشکلی روشی موثر مبتنی بر معماری موازی برای زیر بلوک های دیکدر bch پیشنهاد شده است که منجر به کاهش میزان تأخیر زمانی و تسریع در انجام محاسبات خواهد شد، از طرفی راه حل پیشنهادی ما جهت کاهش حجم سخت-افزار بلوک دیکدر bch، استفاده از الگوریتم تطبیق تکرارشونده¬ها جهت حذف گیت¬های xor تکراری در بلوک chien search است که بیشترین حجم سخت¬افزاری بلوک دیکدر bch را اشغال کرده است. روش¬های پیشنهادی توسط زبان توصیف سخت¬افزار vhdl شبیه¬سازی و سپس جهت ارزیابی پارامترهای زمان، فرکانس کار، توان عملیات و حجم سخت¬افزار درxilinx ise سنتز شده است. روش¬های پیشنهادی بر روی مجموعه¬ای از داده¬ها اعمال شده و ضمن حفظ کارکرد اصلی توانسته است زمان فرآیند تصحیح خطا و حجم سخت¬افزاری بلوک دیکدر bch را کاهش دهد.