نام پژوهشگر: حمیدرضا سلیقه راد

طراحی و ساخت میکروسیم پیچ فرکانس رادیویی برای mini-nmr
thesis وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده فنی 1392
  بتول شکوهیان   محمد محمدزاده

تشدید مغناطیسی هسته ای روش مهمی در زمینه های آنالیز نمونه های پزشکی، زیستی و شیمی محسوب می شود. در علوم تشخیصی پزشکی این روش برای آنالیز نمونه های زیستی با جرم محدود مانند سلول های سرطانی روشی منحصر به فرد محسوب می شود. باوجود انتخاب بهترین مکانی که در آن اطلاعات زیادی از ساختار مولکولی وجود دارد، از تشدید مغناطیس هسته ای بندرت برای آنالیز نمونه ها با جرم محدود استفاده می شود، زیرا حساسیت ذاتی آن پایین است. نسبت سیگنال به نویز دستگاه تشدید مغناطیس هسته ای برای نمونه های با حجم کوچک با کاهش قطر سیم پیچ آشکارساز می تواند بهبود یابد. بهبود در نسبت سیگنال به نویز و وضوح با استفاده از طراحی بهینه میکروسیم پیچ امکان پذیر می باشد. در تصویرگیری با روش تشدید مغناطیسی هسته برای نمونه هایی در ابعاد میکرومتر نیاز به میدان مغناطیسی ثابت با یکنواختی بسیار خوب در ناحیه ی تصویرگیری می باشد. با کوچک کردن سیم پیچ گیرنده آشکارساز فرکانس رادیویی، وضوح در حد میکرو قابل دسترسی خواهد بود. با توجه به اهمیت وجود این سیستم در تشخیص تومورها و نیاز مراکز تحقیقاتی و درمانی، طراحی و ساخت نمونه ی داخلی آن از اهمیت ویژه ای برخوردار است. هدف از اجرای این پروژه طراحی و ساخت یک میکروسیم پیچ مناسب به همراه یک نگاه دارنده نمونه به عنوان بخشی از سیستم تشدید مغناطیس هسته ای برای تفکیک نمونه های بافتی مختلف است. طراحی هندسه سیم پیچ بر اساس پارامترهایی مانند حداکثر سیگنال به نویز و ایجاد میدان الکترومغناطیسی یکنواخت در نمونه انجام گردید. در این مطالعه میکروسیم پیچ مسطح مارپیچ دایروی با قطر داخلی 241 میکرون از جنس مس بر روی بردی از جنس فایبرگلاس طراحی و ساخته شد. پارامترهای میکروسیم پیچ از جمله پهنا (w)، فاصله بین حلقه ها (s)، ضخامت (h)، شعاع داخلی (ri) و تعداد دور (n)، جهت رسیدن به بیشینه مقدار سیگنال به نویز و ضریب کیفیت، با استفاده از نرم افزارهای comsol و ads محاسبه و با مقادیر حاصل از روابط تحلیلی مقایسه شد. ضریب کیفیت میکروسیم پیچ 85/57 و نسبت سیگنال به نویز6/5 برابر بیشتر از میکروسیم پیچ های مسطح دستگاه mri 5/1 تسلا محاسبه گردید. جهت بررسی مدار تنظیم و تطبیق میکروسیم پیچ، ضریب بازتاب آن با استفاده از تحلیلگر شبکه در فرکانس 8/63 مگاهرتز اندازه گیری و برابر باdb 48- s11= محاسبه گردید. درصد خطای نسبی در محاسبات طراحی کمتر از 10 درصد و خطای جذر میانگین مربعات 03/0 درصد بود. لذا با توجه به نتایج فوق میکرو سیم پیچ طراحی و ساخته شده قابلیت تصویربرداری از نمونه های بسیار کوچک با حجم حدود میکرولیتر را با کیفیت مناسب و بسیار بهتر در مقایسه با سیم پیچ های مورد استفاده در دستگاه های mri معمول، دارا می باشد.

کنترل اینورترهای منبع ولتاژ چند سطحی سه فاز با استفاده از مدولاسیون بردار فضایی به کمک کلاسه بندی بردارها
thesis وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان 1379
  حمیدرضا سلیقه راد   علیرضا بخشایی

امروزه افزایش قیمت انرژی و ملاحظات زیست محیطی در درجه اول و کیفیت منابع انرژی در درجه دوم، مهندسی برق را به سوی استفاده بهینه از انرژی الکتریکی سوق داده است . با ظهور ادوات نیمه هادی قدرت با کنترل از طریق گیت (مانند mosfet,bipolar قدرت ، gto,igbt و ... ) باعث شده است که استفاده از الکترونیک قدرت و مبدلهای قدرت در موارد متفاوتی مانند صنعت ، هوافضا، ارتباطات و شبکه های قدرت به صورت فراگیری رواج یابند. در این بین مبدلهای سوئیچینگ dc-ac در کاربردهای مختلفی مانند درایوهای ac ، منابع تغذیه ac ، و جبرانسازهای توان راکتیو مورد استفاده قرار می گیرند. تکنیکهای مدولاسیون پهنای باند pwm به طور وسیعی جهت کنترل ولتاژ و جریان خروجی اینگونه مبدلها به کار می روند. این تکنیکها بسته به نوع سیستم نوع سوئیچهای به کار گرفته شده و سطح توانی که سیستم برای آن طراحی شده است ، تنوع و گوناگونی نسبتا" زیادی پیدا کرده اند. از میان این روشها، مدولاسیون بردار فضایی svm که برای اولین بار در سال 1986 پیشنهاد شد، به خاطر سادگی و خواص مطلوب آن در کنترل اینورترهای سه فاز به صورت دیجیتالی مورد توجه فراوان قرار گرفته است . مهمترین عیب این روش پیچیده و زمان بر بودن محاسبات مورد نیاز برای اجرای آن به صورت زمان حقیقی می باشد که ماکزیمم فرکانس سوئیچینگ و در نتیجه پهنای باند سیستم کنترلی را محدود می کند. در نتیجه استفاده از آن در کاربردهای توان متوسط با مشکل مواجه می شود. همزمان با معرفی مبدل چندسطحی نیاز به توسعه تکنیکهای pwm برای مبدلها مطرح می باشد. این پایان نامه به ارائه روشی برای اجرای svm به صورت زمان حقیقی و برای یک مبدل m سطحی در حالت کلی می پردازد. به طور خاص در این رساله اجرای svm براساس روش کلاسه بندی بردارها که درسال 1996 برای اولین بار جهت سادگی اجرا، بهبود زمان و دقت محاسباتی و کاهش سخت افزار مورد نیاز برای مبدلهای دو سطحی مطرح شده به حالت m سطحی تعمیم داده می شود. صحت روابط تحلیلی به دست آمده در این رساله توسط شبیه سازی کامپیوتری به اثبات رسیده است .